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1 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc PRESENTATION Dans le cadre de la candidature au titre I.D.P.E Ingénieur Diplômé Par LEtat Spécialité : Automatisme et informatique industrielle Denis Tur 9 Janvier 2009

2 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Sommaire de lexposé 1- PRESENTATION GENERALE Mon parcours scolaire et les diplômes obtenus. Mon parcours Professionnel Présentation de la société Freescale Description de ma fonction. 2- ENVIRONNEMENT : IMPLANTATION IONIQUE Introduction Le dopage du silicium Les Implanteurs ioniques 3- MES FONCTIONS DINGENIEUR Fonctions – Missions - Compétences Proposition dun sujet de mémoire IDPE

3 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Sommaire de lexposé 1- PRESENTATION GENERALE Mon parcours scolaire et les diplômes obtenus. Mon parcours Professionnel Présentation de la société Freescale Description de ma fonction. 2- ENVIRONNEMENT : IMPLANTATION IONIQUE Introduction Le dopage du silicium Les Implanteurs ioniques 3- MES FONCTIONS DINGENIEUR Fonctions – Missions - Compétences Proposition dun sujet de mémoire IDPE

4 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Présentation Générale Denis TUR (37 ans) Marié (deux enfants) Résidant à Saint Clar de Rivière Bac ElectrotechniqueAGEN 1990 BTS ElectrotechniqueAGEN ème Année Gestion des systèmes EnergétiquesAGEN 1993 Informations Diverses : Pratique le basket depuis 20 ans Construction de mon habitation (du maçon au décorateur) Fabrication de meubles, billard. Réalisation de vitraux Création de sites internet Adepte des nouvelles technologies. Mon parcours scolaire et les diplômes obtenus

5 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Présentation Générale Mon parcours Professionnel En 1995 je rentre après mon service national à Motorola Semi-conducteurs Toulouse Technicien supérieur de maintenance de 1995 à 2002 Service Implantation Ionique et diffusion (maintenance curative et préventive sur une centaine déquipements) Equipment Engineering de 2002 à 2008 Service Implantation Ionique uniquement (ingénieur équipement sur les Implanteurs ionique)

6 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Présentation Générale Présentation de la société Freescale En 2004, MOTOROLA se sépare de sa branche historique, le semi-conducteur : c'est la naissance de FREESCALE. Basé à AUSTIN aux Etats-Unis, FREESCALE dispose de centres de design, de fabrication ou de vente dans 30 pays et compte employés. En Europe Freescale est représentée à Toulouse (unité de fabrication, ouverte en 1967) et Paris (bureau de vente) Secteur d'activité : électronique embarquée FREESCALE est un des premiers fournisseurs mondial en chiffre d'affaires sur les marchés du sans fil et de l'automobile.

7 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Présentation Générale Présentation de la société Freescale Quelques exemples de produits : Les automobiles : injection directe, suspensions actives, freinage assisté, contrôle de la pression des pneumatiques, sécurité de l'habitacle et airbag. Les équipements domestiques : produits audio et vidéo, réfrigérateurs, lave-linge, sèche-linge, imprimante. Le contrôle industriel : de nombreux produits liés au contrôle industriel, au contrôle d'applications et d'interfaces, aux systèmes de sécurité : applications médicales, détecteurs de fumée, robots industriels. Les réseaux et terminaux mobiles : solutions électroniques, plate-forme complète embarquée, solutions de connectivité, d'audio et de vidéo, de RF embarquées

8 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Présentation Générale 8 Présentation de la société Freescale Le site de Toulouse comprend 1800 employés dont environ 1000 personnes qui travaillent dans lunité de fabrication de semi-conducteurs TLS-FAB répartis : opérateurs de production ingénieurs et techniciens de maintenance. ingénieurs et techniciens procédés et de produits. services supports (informatique, Facilité). Le reste du personnel est réparti entre les ressources humaines, et les départements suivants: WMSG (Conception de logiciels pour la téléphonie mobile). NCSG (réseaux informatiques) TSPG (solutions électroniques embarquées). Pour ma part, je travaille dans la zone de fabrication TLS-FAB et plus précisément dans le service de la maintenance. FREESCALE Semi-conducteurs Toulouse

9 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Présentation Générale 9 Description de ma fonction Admin Assistante FSL-TLS-Fab Operations Manager Manufacturing Process Engineering Device Yield Engineering Maintenance Industrial Engineering & Business Human Ressources Training Finance Quality Maintenance Manager FILM Maintenance de semaine IMPLANTPHOTOMECAEPITAXIEETCHBE POLYMIDE ETCH/BE POLYMIDE/PHOTO FILMS/EPITAXIE/MECA/IMPLANT Maintenance Weekend Chaque groupe se compose de la façon suivante : - 1 Manager de groupe - Equipment Engineering - Techniciens supérieurs - Opérateurs techniques Chaque groupe se compose de la façon suivante : - 1 Manager de groupe - Equipment Engineering - Techniciens supérieurs - Opérateurs techniques 2 Equiments Engineerings Denis TUR (implantation ionique)... (diffusion) 2 Equiments Engineerings Denis TUR (implantation ionique)... (diffusion) Maintenance Manager IMPLANT Manager Techniciens supérieurs Opérateurs techniques Sous-traitant Techniciens supérieurs Opérateurs techniques Sous-traitant Le titre attribué à ma fonction décliné sur ma carte de visite est : Equipment Engineering IMPLANTATION Freescale Toulouse Fab Je suis l'expert technique et je suis le garant de la performance, de la qualité et de la formation. Maitre dœuvre des interventions maintenances curatives/préventives. Formateur des personnels (de lopérateur au cadre technique). Responsable technique des équipes chargées des maintenances, des installations ou entretiens. Suivi des équipements et support pour une catégorie de machines: « Les implanteurs Ioniques »

10 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Sommaire de lexposé 1- PRESENTATION GENERALE Mon parcours scolaire et les diplômes obtenus. Mon parcours Professionnel Présentation de la société Freescale Description de ma fonction. 2- ENVIRONNEMENT : IMPLANTATION IONIQUE Introduction Le dopage du silicium Les Implanteurs ioniques 3- MES FONCTIONS DINGENIEUR Fonctions – Missions - Compétences Proposition dun sujet de mémoire IDPE

11 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Implantation Ionique 11 Introduction L'implantation consiste à bombarder un matériau avec des ions dimpuretés choisies Cette technique date des années 60 et est utilisée dans plusieurs domaines tels que : Etude physique de collisions atomiques et structure du noyau par limplantation de particules à très haute énergie. Traitement de surface. Pour améliorer les propriétés des matériaux (usure, frottement, résistance à la fatigue, résistance à la corrosion etc..) Fabrication de biocapteurs : Température, pression, chimique (analyse de gaz)

12 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Implantation Ionique 12 Le dopage du silicium Lindustrie du semi-conducteur utilise comme matière première le silicium car il est classé comme un semi-conducteur mais aussi pour son faible coût. 98 % de la production actuelle. Structure cristalline du silicium Nb : Les Semi conducteur les plus connus sont le Si et le Ge mais il existe aussi SiC, AsGa, InSb...

13 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Implantation Ionique 13 Exemple dimplantation dans un MOS Métal Oxyde Semi-conducteur Le dopage du silicium DOPAGE N – Négatif (P31, A S 75, S b ) DOPAGE P – Positif (B11 ou BF2) La conductivité du silicium peut être augmentée par laddition dimpuretés dans le semi-conducteur.

14 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Implantation Ionique 14 Le dopage du silicium Deux type de DOPAGE selon limpureté choisie (électrons/trou). Dopage type N - électron libre - NEGATIF Dopage type P - Trou - POSITIF Il manque donc un électron et chaque atome contribue à créer un trou ou charge positive. Le phénomène de transition saccentue du fait quun électron de latome voisin sera attiré pour combler cette charge positive ce qui contribue au déplacement délectrons à lintérieur du matériau. Pour augmenter le nombre délectrons dans la bande de conduction du silicium, on ajoute des atomes dimpuretés pentavalents. Ce sont des atomes avec 5 électrons de valence comme larsenic (AS) et le phosphore(P). Chaque atome crée un apport de charges mobiles négatives.

15 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Implantation Ionique 15 Les Implanteurs Ioniques Ce sont des accélérateurs de particules qui permettent le dopage de type N ou P pour la fabrication d'un semi conducteur. D'une surface de 15m² pour plus de 30 tonnes de haute technologie, ces équipements sont complexes et font appel à plusieurs domaines techniques (ultra vide, haute tension, mécanique, automatisme, transmission par fibre optique, etc.) LImplanteur ionique produit un faisceau dion positif. Rappel : Un ion positif est un atome qui a perdu un électron de sa couche périphérique. Silicium Implantation a travers un masque (motifs : quelques micromètre)

16 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Implantation Ionique 16 Les Implanteurs Ioniques Les paramètres fondamentaux du faisceaux dions 1-Sa Nature qui est définie par latome qui le compose et qui déterminera le type de la jonction (N ou P). 3-Son énergie exprimée en eV qui déterminera la profondeur dimplantation. 2-Son intensité exprimée en Ampère qui détermine le nombre dions mis en jeu, ce qui influera sur la dosimétrie (ion/cm2) Q = I. T

17 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Implantation Ionique 17 Les Implanteurs Ioniques Source dion

18 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Implantation Ionique 18 Les Implanteurs Ioniques La source à cathode chaude reste la plus utilisée. Dans une chambre darc un filament isolé en tungstène est chauffé et libère des électrons par effet Thermoélectronique. On injecte à létat gazeux des molécules contenant les atomes du dopage. Une tension entre le filament et la chambre est appliquée : elle attire les électrons qui percutent les molécules de gaz en enlevant un électron de leur couche de valence. Ceux ci deviennent des IONS POSITIFS, ils constituent un PLASMA. SOURCE DIONS

19 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Implantation Ionique 19 Les Implanteurs Ioniques Extraction/Accélération dion

20 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Implantation Ionique 20 Les Implanteurs Ioniques EXTRACTION/ACCELERATION DIONS Une électrode soumise à un potentiel négatif extrait les ions de la source. Cette tension permet la création du faisceau (BEAM). La variation de 0 à volts de cette extraction procure au faisceau une Energie variable selon les besoin de limplantation dans le silicium.

21 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Implantation Ionique 21 Les Implanteurs Ioniques Analyseur AMU

22 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Implantation Ionique 22 Les Implanteurs Ioniques AMU Analyseur de masse atomique Pour obtenir un dopage PUR on a besoin de sélectionner latome qui nous intéresse. Dans la chambre darc lionisation nest pas sélective et lon y trouve toutes sortes datomes et de molécules ionisées. On utilise un analyseur qui va sélectionner latome dopant en fonction sa masse atomique. « tri massique » Pour visualiser les particules ionisées dun faisceau on réalise un spectre de masse.

23 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Implantation Ionique 23 Les Implanteurs Ioniques Implantation

24 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Implantation Ionique 24 Les Implanteurs Ioniques Limplantation Les plaquettes de silicium (wafers) sont manipulées par des robots (minimum de contamination particulaire) Un robot IN AIR assure la manipulation des wafers à latmosphère. Un robot IN VAC assure le chargement/déchargement des wafers sur le disque dimplantation.

25 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Implantation Ionique 25 Les Implanteurs Ioniques Mesure et Dosimétrie

26 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Implantation Ionique 26 Les Implanteurs Ioniques Mesure et Dosimétrie La mesure de courant doit être précise pour donner le maximum de précision au dopage. Le principe de mesure reste classique : un ampèremètre associé à une cage de faraday, celle- ci évite toute recombinaison des ions avec les électrons extérieurs à la ligne de mesure. On mesure le Faisceau Ions avant implantation (pour les réglages) et pendant limplantation.

27 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Implantation Ionique 27 Les Implanteurs Ioniques Haute tension Volts Les Implanteurs Ioniques et la sécurité : Je suis le garant des règles de sécurité et à ce titre je suis le responsable pour les qualifications et validations des nouveaux produits ou des nouvelles pièces. (ex : jai qualifié et validé une nouvelle source dantimoine « SbO 3 » pour lensemble des usines Freescale) En tant que formateur et spécialiste mon rôle est de transmettre et de vérifier que la connaissance des règles de bases soit bien comprise et respectée. Produit toxique Phosphine, Arsine, Bore Mouvement mécanique À fort couple Rayonnement X

28 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Sommaire de lexposé 1- PRESENTATION GENERALE Mon parcours scolaire et les diplômes obtenus. Mon parcours Professionnel Présentation de la société Freescale Description de ma fonction. 2- ENVIRONNEMENT : IMPLANTATION IONIQUE Introduction Le dopage du silicium Les Implanteurs ioniques 3- MES FONCTIONS DINGENIEUR Fonctions – Missions - Compétences Proposition dun sujet de mémoire IDPE

29 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Fiabilité Equipement Performance Qualité Coût de fonctionnement Relations clients/fournisseurs Management technique Missions transversales Mes fonctions dingénieur 29 Fonctions – Missions - Compétences Equipment Engineering IMPLANTATION Freescale Toulouse Fab La mission principale est de délivrer en temps et heure le client final. Cet engagement est au quotidien suivi lors de réunion sur létat davancement des lots de production. Pour atteindre cet objectif commun nous avons tous des missions différentes, en ce qui me concerne, voici les principales.

30 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Mes fonctions dingénieur 30 Fonctions – Missions - Compétences Je maîtrise complètement les différents systèmes préventifs et prédictifs. Leader technique, je suis au quotidien sur le terrain pour travailler sur tous les domaines techniques : Etant linterlocuteur technique pour Toulouse, je communique régulièrement avec mes homologues dans les autres usines du groupe. Mes propositions et évolutions techniques permettent daugmenter la fiabilité des équipements. (1 heure darrêt par équipement correspond à de manque à gagner pour lentreprise) Fiabilité Equipement

31 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Mes fonctions dingénieur 31 Performance Je suis le garant du bon fonctionnement des divers projets gravitant autour de lImplantation ionique. A ce titre je dois anticiper et surveiller toutes les dérives. Je propose et challenge des plans dactions pour remédier à ces dérives. En partenariat avec les Ingénieurs du procédé je suis les tableaux de bords (Dashboard) des rendements sur produits Je surveille hebdomadairement les résultats de performance des équipements. Fonctions – Missions - Compétences

32 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Mes fonctions dingénieur 32 Fonctions – Missions - Compétences Qualité Je suis à lécoute des clients internes et externes pour réagir rapidement sur des situations complexes. Je mets en place des suivis et interventions spécifiques pour améliorer la qualité sur les produits. Avec les analyses mises à ma disposition, visualisation des rejets, caractérisation des défauts, jaméliore les qualités dinterventions sur mes équipements. Les FMEA, les suivis SPC et les comités CAB sont les acteurs principaux de la qualité.

33 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Dans un secteur industriel fortement lié à lautomobile, je dois avoir une politique des coûts de fonctionnement très stricte. Avec un budget de fonctionnement est de 1,1 millions uros par an, je gère les commandes pour les pièces de rechange. Je définie les quantités, les pièces et les fréquences dapprovisionnement pour lannée. (Variable en fonction du rythme de la production.) -La diminution des interventions curatives -Les améliorations équipements -La recherche dautres sources dapprovisionnements (Etats Unis, Europe, etc..) Priorité quotidienne. Les coûts de fonctionnement en 2008 ont baissés de 38% par rapport à ceux de 2002, date de ma prise de fonction. Mes fonctions dingénieur 33 Fonctions – Missions - Compétences Coût de fonctionnement

34 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Clients : La production est mon client interne. Je suis linterlocuteur entre la production et le groupe de la maintenance « Implantation ». Létroite relation de nos services permet de satisfaire notre client final. Fournisseurs : La maintenance des Implanteurs ioniques demande une mixité importante de techniques. De ce fait je travaille avec beaucoup de fournisseurs nationaux et internationaux afin dassurer ensemble la fiabilité et lentretien des équipements. Cette entière collaboration avec les différents intervenants extérieurs, balaye tous les corps de métiers, nettoyage chimique ou mécanique, réparation de carte électronique, fabricant de graphite, entretien de pompe à vide, fournisseurs de pièces spécifiques, etc. Mes fonctions dingénieur 34 Fonctions – Missions - Compétences Relation clients/fournisseurs

35 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Référent technique pour lensemble des interventions internes et externes Je gère les projets des techniciens et je leur donne les directives techniques. Je coordonne toutes les interventions externes de sous-traitance (gestion des plannings des interventions, sécurité des personnes, suivi des travaux, et contrôle de conformité). Je donne les tâches à effectuer, les projets à réaliser, les rapports dinterventions à faire pour lingénieur sous contrat (AXCELIS : fabricant des Implanteurs Ionique) Enfin je suis le suppléant de mon manager lors de ses absences, je prends et assure les décisions de management pour le groupe. Mes fonctions dingénieur 35 Fonctions – Missions - Compétences Management technique

36 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Dans le but daméliorer et de faciliter au quotidien le travail de lensemble du personnel de maintenance de lunité de fabrication (environ 100 techniciens et ingénieurs), je crée des outils Informatiques. Mes fonctions dingénieur 36 Fonctions – Missions - Compétences Missions transversales

37 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Mes fonctions dingénieur 37 Fonctions – Missions - Compétences Missions transversales Je suis ladministrateur pour Toulouse du système de surveillance « ALF ». Outil contrôlant les paramètres machines et les données du procédé pour les Implanteurs. Toulouse (France) Chandler (USA) Austin (USA) Sendai (Japon)

38 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Leader du groupe « 5S » et « SMED » sur la zone Implantation, je partage et je fais appliquer ces méthodes au groupe de maintenance. Toutes ces valeurs font parties de la philosophie « LEAN Manufacturing » qui se met en place depuis 2006 au sein de Freescale Toulouse. Participant aux groupes « KAIZEN » (amélioration continue), japporte mon expérience et mon savoir faire sur les différentes méthodologies. Mes fonctions dingénieur 38 Fonctions – Missions - Compétences Missions transversales Seiri Trier Seiton Mettre en ordre Seiso Briller Seiketsu Standardiser Shitsuke Soutenir S.M.E.D. : « Single Minute Exchange of Die », soit en français « Changement de série en moins de 10 min » est une méthode d'organisation qui cherche à réduire de façon systématique le temps de changement de série, avec un objectif quantifié. Le 5S :

39 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Mes fonctions dingénieur 39 Proposition dun sujet de mémoire IDPE Outil de gestion de la maintenance via lintranet de Freescale TLS-TWIM Cahier des charges : -Créer et développer un outil commun de gestion de la maintenance pour Freescale Toulouse FAB -Ce projet doit standardiser les méthodes de travail : Saisie de consignes dinterventions curatives centralisée Recherche des pièces dans le stock de lusine Gérer et planifier les interventions de préventives sur tous les équipements Gestion des compteurs équipements Mettre en ligne toutes les aides aux dépannages et documentations techniques Calculer les performances de tous les équipements -Communiquer avec les bases de données existantes, oracle, MySql, Teradata. -Mettre en service sur un serveur de production cet outil. -Assurer la maintenance et lévolution.

40 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Mes fonctions dingénieur 40 Préventif équipement : - Calendrier - Compteur - Check listes - Archives - Gestion des pièces Communication : - Equipement/TLS-TWIM - Promis/Machine manager - Bases de données Interface : - Consignes équipements - Archives - Documentations/Aides Performance équipement: - Suivi performance - Détail des détracteurs TLS- TWIM Proposition dun sujet de mémoire IDPE Stock - Recherche de pièces de rechanges TLS- TWIM Serveur de Production Intranet

41 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Mes fonctions dingénieur 41 Proposition dun sujet de mémoire IDPE Plan du projet : 1.Les motivations et le contexte Pourquoi ce projet est un point essentiel En quoi ce qui existe dans l'entreprise est insuffisant. 2. Le cœur du projet Synthèse des problèmes à résoudre Méthode de travail Ma contribution 3. Les résultats : Présentation des résultats Bilan et perspectives Conclusions personnelles

42 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Merci de votre attention Denis Tur 9 janvier 2009

43 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Fin 43

44 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Mes fonctions dingénieur 44 Présentation du projet IDPE Plan du projet : Sommaire Introduction Etat des lieux Définition des objectifs Analyse des besoins et faisabilité Conception générale Conception détaillée Codage source Tests unitaires Intégration Qualification Documentation Mise en production sur Toulouse FAB Maintenance corrective et évolutive Conclusion Bibliographie/Webographie Glossaire Annexes

45 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Présentation Générale 45 Présentation de la société Freescale Freescale Tempe Fab – 6 Tempe, AZ Freescale Tempe Fab – 6 Tempe, AZ Freescale Chandler Fab – 8 Chandler, AZ Freescale Chandler Fab – 8 Chandler, AZ Freescale East Killbride Fab – 6 East Kilbride, Scottland Freescale East Killbride Fab – 6 East Kilbride, Scottland Freescale Toulouse Fab – 6 Toulouse, France Freescale Toulouse Fab – 6 Toulouse, France Freescale Kuala Lumpur Final Mfg- Kuala Lumpur, Malaysia Freescale Tianjin Final Mfg Tianjin, China Freescale Sendai Fab-6 Sendai, Japan Freescale Oak Hill Fab – 8 Austin, TX Freescale Oak Hill Fab – 8 Austin, TX Freescale Austin Technology & Mfg Fab – 8 Austin, TX Freescale Austin Technology & Mfg Fab – 8 Austin, TX

46 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Implantation Ionique 46 Les Implanteurs Ioniques Mesure et Dosimétrie La dose cest la quantité datomes implantée dans le silicium, elle sexprime en ions/cm2. Q =I x t = q D x S La dose et la surface du wafer sont fixes et programmées La précision de la dosimétrie dépend uniquement de la mesure moyenne du courant. I = courant dimplantation- en Ampères-Variable t = le temps dimplantation - en secondes-Variable q = la charge élémentaire - 1, Coulomb-Fixe S = la surface du wafer en cm - Fixe D= dose en ion/cm2-Fixe Pendant limplantation, le courant est mesuré en temps réel. Le système compense la vitesse de balayage Y si le courant varie. Sans cette boucle de régulation les variations de faisceau affecteraient luniformité dimplantation.

47 TM Freescale Semiconductor Confidential and Proprietary Information. Freescale and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © Freescale Semiconductor, Inc Implantation Ionique 47 Le dopage du silicium La modification des propriétés électriques du silicium par le dopage est la base de la technologie des circuits intégrés. Le dopage est une étape majeure dans la fabrication des circuits intégrés. Tous les composants intégrés dans le silicium reposent sur la fabrications de zones dopées N ou P. Ces dopages sont à lorigine de la construction des diodes (jonction PN), transistors NPN ou PNP, des transistors MOS etc.. Les impuretés introduites dans le silicium doivent être issues déléments les plus PURS pour assurer la précision de la conductivité choisie. L environnement du dopage doit être contrôlé pour éviter la contamination du silicium par des éléments étrangers. Si on dope le silicium avec une impureté, ici représentée par le grain rouge pour 10 6 grain bleu de silicium Ce dopage représente une dose de ions/cm 3 Impureté Si


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