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3/30/2017 PRESENTATION Dans le cadre de la candidature au titre I.D.P.E Ingénieur Diplômé Par L’Etat Spécialité : Automatisme et informatique industrielle.

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1 3/30/2017 PRESENTATION Dans le cadre de la candidature au titre I.D.P.E Ingénieur Diplômé Par L’Etat Spécialité : Automatisme et informatique industrielle Bonjour, voici la présentation de mon dossier dans le cadre de la candidature au titre d’ingénieur diplômé par l’état Denis Tur 9 Janvier 2009 HP presentation template tutorial - Rev. 1

2 Sommaire de l’exposé 1- PRESENTATION GENERALE
3/30/2017 Sommaire de l’exposé 1- PRESENTATION GENERALE Mon parcours scolaire et les diplômes obtenus. Mon parcours Professionnel Présentation de la société Freescale Description de ma fonction. 2- ENVIRONNEMENT : IMPLANTATION IONIQUE Introduction Le dopage du silicium Les Implanteurs ioniques Mon exposé se décomposera en 3 parties, la présentation générale avec mon parcours scolaire et professionnel, puis la présentation de la société Freescale et enfin mes fonctions dans cette entreprise. Ensuite je parlerais de l’implantation ionique avec les équipements associés. Puis dans la troisième partie je développerais mes fonction d’ingénieur et je vous exposerais mon projet IDPE. 3- MES FONCTIONS D’INGENIEUR Fonctions – Missions - Compétences Proposition d’un sujet de mémoire IDPE HP presentation template tutorial - Rev. 1

3 Sommaire de l’exposé 1- PRESENTATION GENERALE
3/30/2017 Sommaire de l’exposé 1- PRESENTATION GENERALE Mon parcours scolaire et les diplômes obtenus. Mon parcours Professionnel Présentation de la société Freescale Description de ma fonction. 2- ENVIRONNEMENT : IMPLANTATION IONIQUE Introduction Le dopage du silicium Les Implanteurs ioniques Première partie, présentation générale. 3- MES FONCTIONS D’INGENIEUR Fonctions – Missions - Compétences Proposition d’un sujet de mémoire IDPE HP presentation template tutorial - Rev. 1

4 Présentation Générale
3/30/2017 Présentation Générale Mon parcours scolaire et les diplômes obtenus Denis TUR (37 ans) Marié (deux enfants) Résidant à Saint Clar de Rivière Bac Electrotechnique AGEN 1990 BTS Electrotechnique AGEN 1992 3ème Année Gestion des systèmes Energétiques AGEN 1993 Informations Diverses : Pratique le basket depuis 20 ans Construction de mon habitation (du maçon au décorateur) Fabrication de meubles, billard. Réalisation de vitraux Création de sites internet Adepte des nouvelles technologies. Je m’appelle Denis Tur, j’ai 37 ans, je suis marié, j’ai deux enfants de 6 ans et 10 ans, je réside à saint Clar de rivière, prés de muret. J’ai suivi la filière électrotechnique jusqu’à l’obtention du BTS en 1992, puis ensuite j’ai fais une 3ème année en gestion des systèmes énergétique dans le lot et Garonne, à Agen. Quelques autres informations qui sont extra scolaire : je pratique le basket depuis 20ans, j’ai une forte sensibilité aux travaux manuel, j’ai entièrement construit ma maison , du maçon au décorateur, je fabrique des meubles, réalise des vitraux. Je suis aussi adepte de nouvelles technologies, informatique par la création de sites web ou de logiciels. HP presentation template tutorial - Rev. 1

5 Présentation Générale
3/30/2017 Présentation Générale Mon parcours Professionnel En 1995 je rentre après mon service national à Motorola Semi-conducteurs Toulouse Technicien supérieur de maintenance de 1995 à 2002  Service Implantation Ionique et diffusion (maintenance curative et préventive sur une centaine d’équipements) Equipment Engineering de 2002 à 2008  Service Implantation Ionique uniquement (ingénieur équipement sur les Implanteurs ionique) Concernant mon parcours professionnel : en 1995 je rentre après mon service national à Motorola semi conducteur Toulouse. Jusqu’en 2002 j’occupe le poste de technicien supérieur de maintenance dans le secteur Implantation ionique et diffusion. Avec comme missions principales, la maintenance curative et préventive sur une centaines d’équipements en équipe 3*8. Puis depuis 2002 je suis ingénieur équipement sur les Implanteurs ioniques. HP presentation template tutorial - Rev. 1

6 Présentation Générale
3/30/2017 Présentation Générale Présentation de la société Freescale En 2004, MOTOROLA se sépare de sa branche historique, le semi-conducteur : c'est la naissance de FREESCALE. Basé à AUSTIN aux Etats-Unis, FREESCALE dispose de centres de design, de fabrication ou de vente dans 30 pays et compte employés. En Europe Freescale est représentée à Toulouse (unité de fabrication, ouverte en 1967) et Paris (bureau de vente) Je vais vous présenter la société Freescale. En 2004 Motorola se sépare de sa branche historique, le semi conducteur, c’est la naissance de Freescale. C’est une des plus importante introduction en bourse pour une valeur technologique. Puis en 2006 Freescale devient une entreprise privée anonyme acquise pour 17.6 milliards de dollars, par un groupe de sociétés privées. Basée à Austin aux Etats Unis Freescale compte employés répartis dans le monde. L’usine de Toulouse ouverte depuis 1967. Secteur d'activité : électronique embarquée FREESCALE est un des premiers fournisseurs mondial en chiffre d'affaires sur les marchés du sans fil et de l'automobile. HP presentation template tutorial - Rev. 1

7 Présentation Générale
3/30/2017 Présentation Générale Présentation de la société Freescale Quelques exemples de produits : Les automobiles : injection directe, suspensions actives, freinage assisté, contrôle de la pression des pneumatiques, sécurité de l'habitacle et airbag. Les équipements domestiques : produits audio et vidéo, réfrigérateurs, lave-linge, sèche-linge, imprimante. Voici quelques exemples de produit ou Freescale est présent : dans le secteur automobile , la gestion de l’injection, des suspensions actives, du freinage, de la contrôle de pression pneumatique Les équipements domestique, produits audio, vidéo, lave linge, sèche linge, imprimante, Secteur industriel, détecteurs de fumée, robots Réseaux et communication. Le contrôle industriel : de nombreux produits liés au contrôle industriel, au contrôle d'applications et d'interfaces, aux systèmes de sécurité : applications médicales, détecteurs de fumée, robots industriels. Les réseaux et terminaux mobiles : solutions électroniques, plate-forme complète embarquée, solutions de connectivité, d'audio et de vidéo, de RF embarquées HP presentation template tutorial - Rev. 1

8 Présentation Générale
3/30/2017 Présentation Générale Présentation de la société Freescale FREESCALE Semi-conducteurs Toulouse Le site de Toulouse comprend 1800 employés dont environ 1000 personnes qui travaillent dans l’unité de fabrication de semi-conducteurs TLS-FAB répartis : opérateurs de production ingénieurs et techniciens de maintenance. ingénieurs et techniciens procédés et de produits. services supports (informatique, Facilité). Le reste du personnel est réparti entre les ressources humaines, et les départements suivants: WMSG (Conception de logiciels pour la téléphonie mobile). NCSG (réseaux informatiques) TSPG (solutions électroniques embarquées). Pour ma part, je travaille dans la zone de fabrication TLS-FAB et plus précisément dans le service de la maintenance. Concernant plus particulièrement Toulouse, ce site comprend 1800 employés, dont 1000 personnes travaillent dans l’unité de fabrication qui sont répartis comme suit : 730 opérateurs 100 ingénieurs maintenances 60 ingénieurs procédés 50 ingénieurs produits 20 personnes services supports Le reste du personnel est répartis entre les ressources humaines et ces différents services : - conception de logiciel pour la téléphonie - réseaux informatique - solution électroniques embarqué Pour ma part je travaille dans la zone fabrication, plus précisément dans le service de la maintenance HP presentation template tutorial - Rev. 1

9 Présentation Générale
3/30/2017 Présentation Générale Description de ma fonction Maintenance Manager FILM Maintenance de semaine IMPLANT PHOTO MECA EPITAXIE ETCH BE POLYMIDE ETCH/BE POLYMIDE/PHOTO FILMS/EPITAXIE/MECA/IMPLANT Maintenance Weekend Chaque groupe se compose de la façon suivante : - 1 Manager de groupe - Equipment Engineering - Techniciens supérieurs - Opérateurs techniques 2 Equiments Engineerings Denis TUR (implantation ionique) ... (diffusion) Maintenance Manager IMPLANT Manager Techniciens supérieurs Opérateurs techniques Sous-traitant Admin Assistante FSL-TLS-Fab Operations Manager Manufacturing Process Engineering Device Yield Engineering Maintenance Industrial Engineering & Business Human Ressources Training Finance Quality Le titre attribué à ma fonction décliné sur ma carte de visite est : Equipment Engineering IMPLANTATION Freescale Toulouse Fab Je suis l'expert technique et je suis le garant de la performance, de la qualité et de la formation. Maitre d’œuvre des interventions maintenances curatives/préventives. Formateur des personnels (de l’opérateur au cadre technique). Responsable technique des équipes chargées des maintenances, des installations ou entretiens. Suivi des équipements et support pour une catégorie de machines: « Les implanteurs Ioniques » Voici l’organigramme de l’unité de fabrication à Toulouse qui se décompose de la façon suivante : service production, la qualité, les ressource humaines, la formation, et le service de la maintenance. Ce service de la maintenance est composé de deux équipes : une en semaine et une weekend, dans chaque équipes il y a plusieurs groupes. Je fais parti du groupe IMPLANT. Et dans ce groupe l’organisation est la suivante : un manager, 2 ingénieurs équipements Moi-même qui est en charge de l’implantation ionique et une autre personne pour la diffusion Puis des techniciens, opérateurs techniques et sous traitants. Le titre attribué à ma fonction décliné sur ma carte de visite est : Equipment Engineering IMPLANTATION Freescale Toulouse Fab Je suis l'expert technique et je suis le garant de la performance, de la qualité et de la formation. Réalisation de Maintenances curatives/préventives. Formations des personnels (de l’opérateur au cadre technique). Direction des équipes techniques chargées des maintenances, installations ou entretiens. Suivi des équipements et support pour une catégorie de machines: « Les implanteurs Ioniques » HP presentation template tutorial - Rev. 1

10 Sommaire de l’exposé 1- PRESENTATION GENERALE
3/30/2017 Sommaire de l’exposé 1- PRESENTATION GENERALE Mon parcours scolaire et les diplômes obtenus. Mon parcours Professionnel Présentation de la société Freescale Description de ma fonction. 2- ENVIRONNEMENT : IMPLANTATION IONIQUE Introduction Le dopage du silicium Les Implanteurs ioniques Deuxième partie de mon exposé, l’implantation ionique. 3- MES FONCTIONS D’INGENIEUR Fonctions – Missions - Compétences Proposition d’un sujet de mémoire IDPE HP presentation template tutorial - Rev. 1

11 Implantation Ionique Introduction
3/30/2017 Implantation Ionique Introduction L'implantation consiste à bombarder un matériau avec des ions d’impuretés choisies Cette technique date des années 60 et est utilisée dans plusieurs domaines tels que : Etude physique de collisions atomiques et structure du noyau par l’implantation de particules à très haute énergie. Traitement de surface. Pour améliorer les propriétés des matériaux (usure, frottement, résistance à la fatigue, résistance à la corrosion etc..) Fabrication de biocapteurs : Température, pression, chimique (analyse de gaz) Souligné que l’I² est un bombardement ionique d’un matériaux HP presentation template tutorial - Rev. 1

12 Implantation Ionique Le dopage du silicium 3/30/2017
L’industrie du semi-conducteur utilise comme matière première le silicium car il est classé comme un semi-conducteur mais aussi pour son faible coût. 98 % de la production actuelle. Structure cristalline du silicium Pourquoi utiliser le silicium : son faible coût (issue de la silice, le sable) L’industrie du semi-conducteur utilise comme matière première le silicium car il est classé comme un semi-conducteur mais aussi pour son faible coût (issue de la silice, le sable). 98 % de la production actuelle. Voici ici une animation sur la structure cristalline su silicium Nb : Les Semi conducteur les plus connus sont le Si et le Ge mais il existe aussi SiC, AsGa, InSb ... HP presentation template tutorial - Rev. 1

13 Implantation Ionique Le dopage du silicium
3/30/2017 Implantation Ionique Le dopage du silicium La conductivité du silicium peut être augmentée par l’addition d’impuretés dans le semi-conducteur. Exemple d’implantation dans un MOS Métal Oxyde Semi-conducteur A quoi sert le dopage du silicium : A augmenter la conductivité du silicium par l’ajout d’impuretés. Exemple dans un CMOS, pour la fabrication des dispositifs -> Source et drain d'un transistor MOS ou Base et Emetteur d’un transistor bipolaire, etc... DOPAGE N – Négatif (P31, AS75, Sb) DOPAGE P – Positif (B11 ou BF2) HP presentation template tutorial - Rev. 1

14 Implantation Ionique Le dopage du silicium 3/30/2017
Deux type de DOPAGE selon l’impureté choisie (électrons/trou). Dopage type P - Trou - POSITIF Dopage type N - électron libre - NEGATIF Il manque donc un électron et chaque atome contribue à créer un trou ou “charge positive ”. Le phénomène de transition s’accentue du fait qu’un électron de l’atome voisin sera attiré pour combler cette charge positive ce qui contribue au déplacement d’électrons à l’intérieur du matériau. Ce procédé appelé DOPAGE augmente le nombre de porteurs libres (électrons/trou). Dans le cadre d’un dopage positif : - L’impureté avec 3 électrons sur la couche de valence, comme le bore, crée un trou, ce phénomène contribue au déplacement d’électrons à l’intérieur du matériau. Dans le cadre d’un dopage négatif : - l’impureté avec 5 électrons sur la couches de valence, comme le phosphore ou l’arsenic crée un apport de charges mobiles négatives. Pour augmenter le nombre d’électrons dans la bande de conduction du silicium, on ajoute des atomes d’impuretés pentavalents. Ce sont des atomes avec 5 électrons de valence comme l’arsenic (AS) et le phosphore(P). Chaque atome crée un apport de charges mobiles négatives. HP presentation template tutorial - Rev. 1

15 L’Implanteur ionique produit un faisceau d’ion positif.
3/30/2017 Implantation Ionique Les Implanteurs Ioniques Ce sont des accélérateurs de particules qui permettent le dopage de type N ou P pour la fabrication d'un semi conducteur. D'une surface de 15m² pour plus de 30 tonnes de haute technologie, ces équipements sont complexes et font appel à plusieurs domaines techniques (ultra vide, haute tension, mécanique, automatisme, transmission par fibre optique, etc.) Implantation a travers un masque (motifs : quelques micromètre) Comment réalise t’on ce dopage avec des Implanteurs ioniques. L’Implanteur ionique produit un faisceau d’ion positif. Rappel : Un ion positif est un atome qui a perdu un électron de sa couche périphérique. Silicium HP presentation template tutorial - Rev. 1

16 Implantation Ionique Les Implanteurs Ioniques
3/30/2017 Implantation Ionique Les Implanteurs Ioniques Les paramètres fondamentaux du faisceaux d’ions 1-Sa Nature qui est définie par l’atome qui le compose et qui déterminera le type de la jonction (N ou P). 3-Son énergie exprimée en eV qui déterminera la profondeur d’implantation. 2-Son intensité exprimée en Ampère qui détermine le nombre d’ions mis en jeu, ce qui influera sur la dosimétrie (ion/cm2) Q = I . T Les paramètres du faisceau d’ion HP presentation template tutorial - Rev. 1

17 Implantation Ionique Les Implanteurs Ioniques 3/30/2017
Source d’ion HP presentation template tutorial - Rev. 1

18 Implantation Ionique Les Implanteurs Ioniques SOURCE D’IONS 3/30/2017
La source à cathode chaude reste la plus utilisée. Dans une chambre d’arc un filament isolé en tungstène est chauffé et libère des électrons par effet Thermoélectronique. On injecte à l’état gazeux des molécules contenant les atomes du dopage. Une tension entre le filament et la chambre est appliquée : elle attire les électrons qui percutent les molécules de gaz en enlevant un électron de leur couche de valence. Ceux ci deviennent des IONS POSITIFS, ils constituent un PLASMA. HP presentation template tutorial - Rev. 1

19 Implantation Ionique Les Implanteurs Ioniques 3/30/2017
Extraction/Accélération d’ion HP presentation template tutorial - Rev. 1

20 Implantation Ionique Les Implanteurs Ioniques
3/30/2017 Implantation Ionique Les Implanteurs Ioniques EXTRACTION/ACCELERATION D’IONS Une électrode soumise à un potentiel négatif extrait les ions de la source. Cette tension permet la création du faisceau (BEAM). La variation de 0 à volts de cette extraction procure au faisceau une Energie variable selon les besoin de l’implantation dans le silicium. HP presentation template tutorial - Rev. 1

21 Implantation Ionique Les Implanteurs Ioniques 3/30/2017
Analyseur AMU HP presentation template tutorial - Rev. 1

22 Implantation Ionique Les Implanteurs Ioniques
3/30/2017 Implantation Ionique Les Implanteurs Ioniques AMU Analyseur de masse atomique Pour obtenir un dopage PUR on a besoin de sélectionner l’atome qui nous intéresse. Dans la chambre d’arc l’ionisation n’est pas sélective et l’on y trouve toutes sortes d’atomes et de molécules ionisées. On utilise un analyseur qui va sélectionner l’atome dopant en fonction sa masse atomique. « tri massique » Amu : une analogie avec une bille de plomb, une plume, une bille de plastique et un vent constant Pour visualiser les particules ionisées d’un faisceau on réalise un spectre de masse. HP presentation template tutorial - Rev. 1

23 Implantation Ionique Les Implanteurs Ioniques 3/30/2017
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24 Implantation Ionique Les Implanteurs Ioniques L’implantation 3/30/2017
Les plaquettes de silicium (wafers) sont manipulées par des robots (minimum de contamination particulaire) Un robot “IN AIR” assure la manipulation des wafers à l’atmosphère. Un robot “IN VAC” assure le chargement/déchargement des wafers sur le disque d’implantation. parler de la difficulté pour les réglages mécaniques et les positionnements aux pas moteur prêt pour éviter les ébréchures et les particules. HP presentation template tutorial - Rev. 1

25 Implantation Ionique Les Implanteurs Ioniques 3/30/2017
Mesure et Dosimétrie HP presentation template tutorial - Rev. 1

26 Implantation Ionique Les Implanteurs Ioniques Mesure et Dosimétrie
3/30/2017 Implantation Ionique Les Implanteurs Ioniques Mesure et Dosimétrie La mesure de courant doit être précise pour donner le maximum de précision au dopage. Le principe de mesure reste classique : un ampèremètre associé à une cage de faraday, celle-ci évite toute recombinaison des ions avec les électrons extérieurs à la ligne de mesure. Le cœur de l’implanteur. L’importance du vide d’implantation pour éviter au maximum les recombinaisons (influence de la dosimétrie) et les faibles valeurs de courant d’implantation (du micro ampères au milli-ampères) On mesure le Faisceau Ions avant implantation (pour les réglages) et pendant l’implantation. HP presentation template tutorial - Rev. 1

27 Implantation Ionique Les Implanteurs Ioniques
3/30/2017 Implantation Ionique Les Implanteurs Ioniques Les Implanteurs Ioniques et la sécurité : Je suis le garant des règles de sécurité et à ce titre je suis le responsable pour les qualifications et validations des nouveaux produits ou des nouvelles pièces. (ex : j’ai qualifié et validé une nouvelle source d’antimoine « SbO3 » pour l’ensemble des usines Freescale) En tant que formateur et spécialiste mon rôle est de transmettre et de vérifier que la connaissance des règles de bases soit bien comprise et respectée. Rayonnement X Haute tension Volts Produit toxique Phosphine, Arsine, Bore Mouvement mécanique À fort couple HP presentation template tutorial - Rev. 1

28 Sommaire de l’exposé 1- PRESENTATION GENERALE
3/30/2017 Sommaire de l’exposé 1- PRESENTATION GENERALE Mon parcours scolaire et les diplômes obtenus. Mon parcours Professionnel Présentation de la société Freescale Description de ma fonction. 2- ENVIRONNEMENT : IMPLANTATION IONIQUE Introduction Le dopage du silicium Les Implanteurs ioniques 3- MES FONCTIONS D’INGENIEUR Fonctions – Missions - Compétences Proposition d’un sujet de mémoire IDPE HP presentation template tutorial - Rev. 1

29 Mes fonctions d’ingénieur
3/30/2017 Mes fonctions d’ingénieur Fonctions – Missions - Compétences Equipement Fiabilité Performance Qualité Coût de fonctionnement clients/fournisseurs Relations Management technique Missions transversales La mission principale est de délivrer en temps et heure le client final. Cet engagement est au quotidien suivi lors de réunion sur l’état d’avancement des lots de production. Pour atteindre cet objectif commun nous avons tous des missions différentes, en ce qui me concerne, voici les principales. Equipment Engineering IMPLANTATION Freescale Toulouse Fab HP presentation template tutorial - Rev. 1

30 Mes fonctions d’ingénieur
3/30/2017 Mes fonctions d’ingénieur Fonctions – Missions - Compétences Fiabilité Equipement Je maîtrise complètement les différents systèmes préventifs et prédictifs. Leader technique, je suis au quotidien sur le terrain pour travailler sur tous les domaines techniques : Etant l’interlocuteur technique pour Toulouse, je communique régulièrement avec mes homologues dans les autres usines du groupe. Mes propositions et évolutions techniques permettent d’augmenter la fiabilité des équipements. (1 heure d’arrêt par équipement correspond à € de manque à gagner pour l’entreprise) HP presentation template tutorial - Rev. 1

31 Mes fonctions d’ingénieur
3/30/2017 Mes fonctions d’ingénieur Fonctions – Missions - Compétences Performance Je suis le garant du bon fonctionnement des divers projets gravitant autour de l’Implantation ionique. A ce titre je dois anticiper et surveiller toutes les dérives. Je propose et challenge des plans d’actions pour remédier à ces dérives. En partenariat avec les Ingénieurs du procédé je suis les tableaux de bords (Dashboard) des rendements sur produits Je surveille hebdomadairement les résultats de performance des équipements. HP presentation template tutorial - Rev. 1

32 Mes fonctions d’ingénieur
3/30/2017 Mes fonctions d’ingénieur Fonctions – Missions - Compétences Qualité Je suis à l’écoute des clients internes et externes pour réagir rapidement sur des situations complexes. Je mets en place des suivis et interventions spécifiques pour améliorer la qualité sur les produits. Parler des difficultés de réglages mécaniques lors des slides précédent pour préciser qu’un mauvais alignement engendre des particules et ces particules vont être tueuses de puces (dimensions critiques). Avec les analyses mises à ma disposition, visualisation des rejets, caractérisation des défauts, j’améliore les qualités d’interventions sur mes équipements. Les FMEA, les suivis SPC et les comités CAB sont les acteurs principaux de la qualité. HP presentation template tutorial - Rev. 1

33 Mes fonctions d’ingénieur
3/30/2017 Mes fonctions d’ingénieur Fonctions – Missions - Compétences Coût de fonctionnement Dans un secteur industriel fortement lié à l’automobile, je dois avoir une politique des coûts de fonctionnement très stricte. Avec un budget de fonctionnement est de 1,1 millions €uros par an, je gère les commandes pour les pièces de rechange. Je définie les quantités, les pièces et les fréquences d’approvisionnement pour l’année. (Variable en fonction du rythme de la production.) La diminution des interventions curatives Les améliorations équipements La recherche d’autres sources d’approvisionnements (Etats Unis, Europe, etc..) Priorité quotidienne. Les coûts de fonctionnement en 2008 ont baissés de 38% par rapport à ceux de 2002, date de ma prise de fonction. HP presentation template tutorial - Rev. 1

34 Mes fonctions d’ingénieur
3/30/2017 Mes fonctions d’ingénieur Fonctions – Missions - Compétences Relation clients/fournisseurs Clients : La production est mon client interne. Je suis l’interlocuteur entre la production et le groupe de la maintenance « Implantation ». L’étroite relation de nos services permet de satisfaire notre client final. Fournisseurs : La maintenance des Implanteurs ioniques demande une mixité importante de techniques. De ce fait je travaille avec beaucoup de fournisseurs nationaux et internationaux afin d’assurer ensemble la fiabilité et l’entretien des équipements. Cette entière collaboration avec les différents intervenants extérieurs, balaye tous les corps de métiers, nettoyage chimique ou mécanique, réparation de carte électronique, fabricant de graphite, entretien de pompe à vide, fournisseurs de pièces spécifiques, etc. HP presentation template tutorial - Rev. 1

35 Mes fonctions d’ingénieur
3/30/2017 Mes fonctions d’ingénieur Fonctions – Missions - Compétences Management technique Référent technique pour l’ensemble des interventions internes et externes Je gère les projets des techniciens et je leur donne les directives techniques. Je coordonne toutes les interventions externes de sous-traitance (gestion des plannings des interventions, sécurité des personnes, suivi des travaux, et contrôle de conformité). Je donne les tâches à effectuer, les projets à réaliser, les rapports d’interventions à faire pour l’ingénieur sous contrat (AXCELIS : fabricant des Implanteurs Ionique) Enfin je suis le suppléant de mon manager lors de ses absences, je prends et assure les décisions de management pour le groupe. HP presentation template tutorial - Rev. 1

36 Mes fonctions d’ingénieur
3/30/2017 Mes fonctions d’ingénieur Fonctions – Missions - Compétences Missions transversales Dans le but d’améliorer et de faciliter au quotidien le travail de l’ensemble du personnel de maintenance de l’unité de fabrication (environ 100 techniciens et ingénieurs), je crée des outils Informatiques. HP presentation template tutorial - Rev. 1

37 Mes fonctions d’ingénieur
Fonctions – Missions - Compétences Missions transversales Je suis l’administrateur pour Toulouse du système de surveillance « ALF ». Outil contrôlant les paramètres machines et les données du procédé pour les Implanteurs. Toulouse (France) Sendai (Japon) Chandler (USA) Austin (USA)

38 Mes fonctions d’ingénieur
3/30/2017 Mes fonctions d’ingénieur Fonctions – Missions - Compétences Missions transversales Leader du groupe « 5S » et « SMED » sur la zone Implantation, je partage et je fais appliquer ces méthodes au groupe de maintenance. Toutes ces valeurs font parties de la philosophie « LEAN Manufacturing » qui se met en place depuis 2006 au sein de Freescale Toulouse. Participant aux groupes « KAIZEN » (amélioration continue), j’apporte mon expérience et mon savoir faire sur les différentes méthodologies. Le 5S : Seiri 整理 Trier Seiton 整頓 Mettre en ordre Seiso Briller Seiketsu Standardiser Shitsuke Soutenir S.M.E.D. : « Single Minute Exchange of Die », soit en français « Changement de série en moins de 10 min » est une méthode d'organisation qui cherche à réduire de façon systématique le temps de changement de série, avec un objectif quantifié. HP presentation template tutorial - Rev. 1

39 Mes fonctions d’ingénieur
3/30/2017 Mes fonctions d’ingénieur Proposition d’un sujet de mémoire IDPE Outil de gestion de la maintenance via l’intranet de Freescale TLS-TWIM Cahier des charges : Créer et développer un outil commun de gestion de la maintenance pour Freescale Toulouse FAB Ce projet doit standardiser les méthodes de travail : Saisie de consignes d’interventions curatives centralisée Recherche des pièces dans le stock de l’usine Gérer et planifier les interventions de préventives sur tous les équipements Gestion des compteurs équipements Mettre en ligne toutes les aides aux dépannages et documentations techniques Calculer les performances de tous les équipements Communiquer avec les bases de données existantes, oracle , MySql, Teradata. Mettre en service sur un serveur de production cet outil. Assurer la maintenance et l’évolution. HP presentation template tutorial - Rev. 1

40 Mes fonctions d’ingénieur
3/30/2017 Mes fonctions d’ingénieur Proposition d’un sujet de mémoire IDPE Serveur de Production Préventif équipement : Calendrier Compteur Check listes Archives Gestion des pièces Interface : Consignes équipements Archives Documentations/Aides TLS-TWIM Intranet TLS-TWIM TLS-TWIM Performance équipement: Suivi performance Détail des détracteurs Stock Recherche de pièces de rechanges Communication : Equipement/TLS-TWIM Promis/Machine manager Bases de données HP presentation template tutorial - Rev. 1

41 Mes fonctions d’ingénieur
Proposition d’un sujet de mémoire IDPE Plan du projet : Les motivations et le contexte Pourquoi ce projet est un point essentiel En quoi ce qui existe dans l'entreprise est insuffisant. 2. Le cœur du projet Synthèse des problèmes à résoudre Méthode de travail Ma contribution 3. Les résultats : Présentation des résultats Bilan et perspectives Conclusions personnelles

42 Merci de votre attention
3/30/2017 Merci de votre attention Denis Tur 9 janvier 2009 HP presentation template tutorial - Rev. 1

43 Fin

44 Mes fonctions d’ingénieur
3/30/2017 Mes fonctions d’ingénieur Présentation du projet IDPE Plan du projet : Sommaire Introduction Etat des lieux Définition des objectifs Analyse des besoins et faisabilité Conception générale Conception détaillée Codage source Tests unitaires Intégration Qualification Documentation Mise en production sur Toulouse FAB Maintenance corrective et évolutive Conclusion Bibliographie/Webographie Glossaire Annexes HP presentation template tutorial - Rev. 1

45 Présentation Générale
3/30/2017 Présentation Générale Présentation de la société Freescale Freescale Chandler Fab – 8” Chandler, AZ Freescale Sendai Fab-6” Sendai, Japan Freescale Tempe Fab – 6” Tempe, AZ Freescale Oak Hill Fab – 8” Austin, TX Freescale Austin Technology & Mfg Fab – 8” Austin, TX Freescale East Killbride Fab – 6” East Kilbride, Scottland Freescale Tianjin Final Mfg Tianjin, China Freescale Toulouse Fab – 6” Toulouse, France Freescale Kuala Lumpur Final Mfg-Kuala Lumpur, Malaysia HP presentation template tutorial - Rev. 1

46 Implantation Ionique Q =I x t = q D x S Les Implanteurs Ioniques
3/30/2017 Implantation Ionique Les Implanteurs Ioniques Mesure et Dosimétrie La dose c’est la quantité d’atomes implantée dans le silicium, elle s’exprime en ions/cm2. Q =I x t = q D x S La dose et la surface du wafer sont fixes et programmées La précision de la dosimétrie dépend uniquement de la mesure moyenne du courant. I = courant d’implantation- en Ampères-Variable t = le temps d’implantation - en secondes-Variable q = la charge élémentaire - 1, Coulomb-Fixe S = la surface du wafer en cm - Fixe D= dose en ion/cm2-Fixe Pendant l’implantation, le courant est mesuré en temps réel. Le système compense la vitesse de balayage Y si le courant varie. Sans cette boucle de régulation les variations de faisceau affecteraient l’uniformité d’implantation. HP presentation template tutorial - Rev. 1

47 Implantation Ionique Le dopage du silicium Si 3/30/2017
La modification des propriétés électriques du silicium par le dopage est la base de la technologie des circuits intégrés. Le dopage est une étape majeure dans la fabrication des circuits intégrés. Tous les composants intégrés dans le silicium reposent sur la fabrications de zones dopées N ou P. Ces dopages sont à l’origine de la construction des diodes (jonction PN), transistors NPN ou PNP, des transistors MOS etc.. Les impuretés introduites dans le silicium doivent être issues d’éléments les plus PURS pour assurer la précision de la conductivité choisie. L ’environnement du dopage doit être contrôlé pour éviter la contamination du silicium par des éléments étrangers. Impureté Si on dope le silicium avec une impureté, ici représentée par le grain rouge pour 106 grain bleu de silicium Ce dopage représente une dose de ions/cm3 Si HP presentation template tutorial - Rev. 1


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