COURS D’ELECTRONIQUE 01 www. magoe.net CM: 10h; TD: 15h; TP: 20h

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1 COURS D’ELECTRONIQUE 01 www. magoe.net CM: 10h; TD: 15h; TP: 20h
M. Mazoughou Goépogui / /

2 IV. Transistors biplolaires
SOMMAIRE I. Généralité II. Semi-conducteurs III. Diodes IV. Transistors biplolaires V. TEC VI. AOP

3 I. Généralité 3. Représentation des grandeurs
1. Définition 2. Domaines d’application 3. Représentation des grandeurs

4 I. Généralité Objectifs Connaitre les différentes applications
Maitriser les conceptes de base Connaître les composants Connaitre les critères de choix Connaitre les différentes applications Pouvoir concevoir

5 1. Généralité

6 1. Généralité 1.1. Définition
La commission de l'électrotechnique internationale (CEI) définit l'électronique comme : La partie de la science et de la technique qui étudie les phénomènes de conduction dans le vide, les gaz ou les semi-conducteurs et qui utilise les dispositifs basés sur ces phénomènes.

7 1. Généralité 1.1. Définition
Par extension, nous pouvons dire que l'électronique est l'ensemble des techniques qui utilisent des signaux électriques pour capter, transmettre et exploiter une information.

8 1. Généralité Information
Une grandeur électrique (tension ou courant) transportant un flux d’énergie succeptible d’être interprété par un circuit électronique spécial

9 1. Généralité 1.2. Domaines d’application

10 1. Généralité 1.3. Représentation des grandeurs

11 II. Théorie des semi-conducteurs

12 II. Théorie des semi-conducteurs
II.1. Structure de la matière. Les atomes sont des particules de base constituées d'un noyau autour duquel gravitent des électrons. On distingue: les liaisons convalentes et les liaisons métalliques

13 II. Théorie des semi-conducteurs

14 II. Théorie des semi-conducteurs
Les liaisons covalentes. Les atomes se lient entre eux en mettant en commun des électrons célibataires de la couche périphérique (électrons de valence).

15 II. Théorie des semi-conducteurs
Les liaisons métalliques. Dans ce cas de liaison, ce ne sont pas deux atomes qui mettent en commun un ou plusieurs électrons pour se lier ; un grand nombre d'atomes mettent en commun des électrons célibataires.

16 II. Théorie des semi-conducteurs
II.2. La conduction électrique. Lorsqu'on applique un champ électrique extérieur sur un matériau, il y a conduction s’il y a circulation d'un courant électrique dans le matériau. Ce courant est dû au déplacement de charges électriques dans le matériau.

17 II. Théorie des semi-conducteurs
II.2. La conduction électrique.

18 II. Théorie des semi-conducteurs
II.3. Les semi-conducteurs. II.3.1. Semi-conducteurs intrinsèques. Un semi-conducteur est constitué par un réseau cristallin de matériau très pur.

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20 II. Théorie des semi-conducteurs
II.3. Les semi-conducteurs. II.3.1. Semi-conducteurs intrinsèques.

21 II. Théorie des semi-conducteurs
II.3. Les semi-conducteurs. II.3.1. Semi-conducteurs intrinsèques. on y rajoute des impuretés pour modifier leur comportement. Il existe deux types de semi-conducteurs extrinsèques.

22 II. Théorie des semi-conducteurs
II Le semi-conducteur de type P. On dope le cristal intrinsèque avec un élément possédant un nombre inférieur d'électrons de valence

23 II. Théorie des semi-conducteurs

24 II. Théorie des semi-conducteurs
II Le semi-conducteur de type N. Le principe est le même que pour le semi-conducteur de type P, sauf qu'on dope le cristal avec des éléments ayant un électron de valence de plus (atomes donneurs)

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26 III. LA DIODE

27 III. La diode

28 III. La diode III.2. La jonction PN. On appelle jonction la juxtaposition de deux éléments de semi-conducteur dont l'un est de type N et l'autre de type P. Le plus souvent on retrouvera le silicium et le germanium pour la fabrication de jonction.

29 III. La diode

30 III. La diode III.2.3. Polarisation de la jonction PN.

31 III. La diode III.2.3. Polarisation de la jonction PN.

32 III. La diode III.3. Caractéristique électrique

33 III. La diode III.4. Diode de redressement.

34 III. La diode III.4.2. Paramètres essentiels.

35 III. La diode III.4.2. Paramètres essentiels.

36 III. La diode III.4.3. Redressement

37 III. La diode III.4.3. Redressement

38 III. La diode III.4.3. Redressement

39 III. La diode III.4.3. Redressement

40 III. La diode III.4.3. Redressement

41 III. La diode III.4.4. Filtrage

42 III. La diode III.4.4. Filtrage

43 III. La diode III.4. Diode Zener.

44 III. La diode III.5. Diode Electro-Luminescente (DEL).

45 III. La diode III.5. Diode Electro-Luminescente (DEL).

46 III. La diode III.5. Autres diodes

47 IV. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

48 IV. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

49 IV. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
IV.1. Structure d’un transistor bipolaire.

50 IV. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
IV.1. Structure d’un transistor bipolaire.

51 IV. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
IV.2. Caractéristiques électriques. a. Montage de base

52 IV. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
IV.2. Caractéristiques électriques. b. Caractéristique d'entrée

53 IV. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
IV.2. Caractéristiques électriques. b. Caractéristique de transfert

54 IV. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
IV.2. Caractéristiques électriques. b. Caractéristique de sortie

55 IV. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
Caractéristiques électriques.

56 IV. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
IV.3. Montages de base a) Schéma équivalent du transistor en petits signaux.

57 IV. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
IV.3. Montages de base a) Montage émetteur commun

58 IV. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
IV.3. Montages de base Montage émetteur commun

59 IV. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
IV.3. Montages de base b) Montage collecteur commun

60 IV. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
IV.3. Montages de base c) Montage base commune

61 V. LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP

62 V. LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
V.1. JFET (Junction Field Effet Transistor)

63 V. LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
V.1. JFET (Junction Field Effet Transistor) a) Caractéristiques

64 V. LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
V.1. JFET (Junction Field Effet Transistor) a) Schéma équivalent

65 V. LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
V.1. JFET (Junction Field Effet Transistor) a) Montage source commune

66 V. LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
V.2. MOSFET (Métal Oxyde Silicium Field Effet Transistor)

67 V. LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
V.3. MOSFET (Métal Oxyde Silicium Field Effet Transistor)

68 V. LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
V.3. MOSFET à enrichissement

69 V. LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
V.3. MOSFET à enrichissement a) Caractéristiques

70 VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS.

71 VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS.
VI.1. Brochage. L’A.O. possède : Deux entrées : broche IN+ (ou e+) : entrée «non inverseuse» ; broche IN- (ou e-) : entrée «inverseuse».

72 VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS.
Une sortie : broche OUT (ou s). Deux broches d’alimentation : broche Vcc+ : alimentation en tension positive. broche Vcc- : alimentation en tension négative.

73 VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS.
VI.1. Brochage.

74 VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS.
VI.1. Brochage.

75 VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS.
VI.1. Brochage.

76 VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS.
VI.2. Symboles

77 VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS.
VI.3. Caractéristiques électriques. Ils sont essentiellement caractérisés par : Un gain en tension différentiel très important (105 à 107) ; La réjection du mode commun (Avcd/Avmc) très grande ; Une impédance d’entrée différentielle très grande (105 à 1012Ω) ; Une impédance d’entrée en mode commun très grande (108 à 1012Ω) ; Une impédance de sortie très faible (10 à 500Ω) ; La réponse en fréquence va du continu à des fréquences assez élevées.

78 VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS.
VI.3. Caractéristiques électriques.

79 VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS.
VI.4. Caractéristique de transfert : vS(ε) a) Amplificateurs opérationnel réel

80 VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS.
VI.4. Caractéristique de transfert : vS(ε) a) Amplificateurs opérationnel parfait

81 VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS.
VI.5. Montages de bases AOP en regime linéaire Montage «amplificateur inverseur».

82 VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS.
VI.5. Montages de bases AOP en regime linéaire Montage «amplificateur inverseur».

83 VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS.
VI.5. Montages de bases AOP en regime linéaire Montage «amplificateur non inverseur».

84 VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS.
VI.5. Montages de bases AOP en regime linéaire Additionneur inverseur

85 VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS.
VI.5. Montages de bases AOP en regime linéaire Montage soustracteur (différentiateur)

86 VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS.
VI.5. Montages de bases AOP en regime linéaire Montage intégrateur

87 VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS.
VI.5. Montages de bases AOP en regime linéaire Montage dérivateur

88 VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS.
VI.5. Montages de bases Montages non linéaires Comparateur simple de tensions

89 VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS.
VI.5. Montages de bases Montages non linéaires Comparateur simple de tensions

90 VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS.
VI.5. Montages de bases Montages non linéaires Comparateur simple de tensions

91 VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS.
VI.5. Montages de bases Montages non linéaires Comparateur à hystérésis ou trigger de Schmitt

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