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1 CMOS Technology: part 2 C. Fenouillet-Beranger SOI Devices Engineer, CEA/LETI & STMicroelectronics, Crolles.

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1 1 CMOS Technology: part 2 C. Fenouillet-Beranger SOI Devices Engineer, CEA/LETI & STMicroelectronics, Crolles

2 2 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Plan p Introduction –Voir Cours précédent p Chapitre 1: Les outils technologiques de base –Oxidation –Dépôt –Photo-lithographie –Gravure (sèche et humide) –Implantation ionique –Lepitaxie p Chapitre 2 : Exemple de filiere moderne –Objectif de lintegration –Enchainement des étapes technologiques

3 3 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Ingénieur Filière Etapes Elementaires (process/ R&D) Caractérisation Photo/Litho Gravure Dépôts Implantation Recuits Nettoyages Assemblage (Physique, Chimie)

4 4 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Conception dispositif Procédés Elementaires Definition dune technologie Design de produit Caracterisation Production Physique fine Materiaux (phys/chimie)Phys. Compo Phys. Compo, Phys. Fond Electronique, Marketing, Design Materiau, Gestion Fabrication

5 5 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Chapitre 1 : Les étapes technologiques de base

6 6 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Les familles de matériaux utilisés en microelectronique Type de matériaux Matériaux Technique dintegration Semi-conducteursSiSubstrat, epitaxie Si x Ge 1-x epitaxie IsolantsSiO 2 Thermique ou dépôt Si 3 N 4 (nitrure de Si)Dépôt Al 2 O 3 (alumine)Dépôt HfO 2 (oxide dhafnium)Dépôt DopantsType n : As, P,SbImplantation ionique Type p : B, InImplantation ionique Neutre : Ge, XeImplantation ionique MétauxNi, CoDépôt W TiNDépôt TaNDépôt AlDépôt CuDépôt

7 7 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Isolants : SiO 2 et Si 3 N 4

8 8 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 LOxydation thermique Si O2O2 T= °C Si SiO 2 Recuit four Oxyde SiO 2 « thermique » En surface AvantageInconvenient Procédé mature Qualité de linterface oxyde-silicium excellente Couches mince (qqs A) Température élevée Consomme du Si

9 9 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Les dépôts disolants p Réacteur de dépôt CVD pour oxyde (TEOS) ou Nitrure (Si 3 N 4 ) –Four à basse pression (LPCVD) –Assisté par plasma (PECVD) Si SiO 2 ou Si 3 N 4 Four : 700°C Plasma : 500°C AvantageInconvenient Basse temperature Pas de consommation de Si Interface avec Si Qualité du matériaux precurseur

10 10 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Exemples de réactions chimiques permettant un dépôt

11 11 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 La conformité des dépôts Si SiO 2 Si SiO 2 e1e1 e2e2 e1e1 e1e1 e2e2 e1e1 e 1 =e 2 e 1 e 2 Si 3 N 4 Dépôt conforme Dépôt non-conforme

12 12 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Propriétés des matériaux

13 13 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Le polissage mecano-chimique (CMP)

14 14 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Polissage Mecano Chimique (CMP) p Objectif : aplanir une surface Pad Slurry

15 15 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Polissage Mecano Chimique (CMP) Action mecanique Reaction chimique Surface plane La planarisation depend beaucoup de lenvironnement et de la taille des structures a planariser. Dans la pratique le design dun circuit tient compte de cette necessité. Cette technique permet dobtenir un grand nombre de niveau de metalisation en evitant les topographies importantes

16 16 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Lithographie

17 17 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Du Layout au Silicium : Masques et Lithographie Grossièrement, on emploie des lentilles pour manipuler la lumière afin de la focaliser, la réduire et graver le wafer à partir du masque.

18 18 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Photo-lithographie (1) p Permet de déposer de la resine (polymère) sur une zone de Si afin de la protéger Si résine Si résine masque UV (248nm ou 193nm) Si résine Zone fragile

19 19 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Photo-lithographie (2) Si résine developpeur Si résine Zone non-protégée Zone protégée

20 20 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Les problèmes liés à la résine p Le facteur de forme, ou aspect ratio AR = h/CD –Si AR > Ar max (~100) la resine dévelopée se deforme (effet gravitationnel) Si h CD Si deformationcollapse

21 21 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Exemples de lithographie Résine « collapse »Photo correcte Silicium resine

22 22 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Les limites de la photo-lithographie optique Lalignement des masques les uns par rapport aux autres (notion doverlay) Erreur dalignement 2 niveaux Erreur dalignement 3 niveaux

23 23 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Lithographie ebeam p Lithgraphie par faisceau delectron p Par rapport à la photolithographie, l'avantage de cette technique est qu'elle permet de repousser les limites de la diffraction de la lumière et de dessiner des motifs avec une résolution pouvant aller jusqu'au nanomètre (typiquement 20nm) p Procédé long par rapport à la projection de masque car écriture des motifs

24 24 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Scanner à immersion -La lithographie par immersion consiste à placer le wafer dans un bain liquide qui a un indice de réfraction supérieur à 1 -Le liquide agit donc comme une lentille ou une loupe en grossissant lapparence du wafer. Le principe est le même que pour la lithographie sèche, il sagit de focaliser la lumière pour accroître la finesse de gravure. -La photolithographie par immersion permet de plus facilement augmenter la finesse de gravure -Les machines sont chères

25 25 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Extreme UV -La lithographie EUV (Extreme Ultra Violet) est similaire aux procédés de lithographie classiques actuels -Rayonnement UV d'une longueur d'ondes de l'ordre de 10 à 15 nanomètres (le rayonnement EUV entre donc dans la gamme des rayons X-mous), en remplaçant les objectifs (ou masques dits « en transmission ») par une série de miroirs de précision (i.e. masques dits « en réflexion ») - Il permet ainsi une résolution inférieure à 45 nm

26 26 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Gravure sèche et humide

27 27 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 La gravure « sèche » p Lobjectif est denlever un matériau A selectivement par rapport a un matériau B à laide dun plasma (reaction chimique et physique) Si résine Si résine Ions HBr, CF 4, O 2.. V E Résidus de gravure (produits des réactions chimiques) Si Après gravureAprès élimination résine

28 28 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Exemple Si Tranchée Si SiO2 Si 3 N 4

29 29 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Gravure chimique & physique

30 30 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Comment sarrête une gravure sèche ? Au temps… Au temps et à la selectivité A la DFA (détection de fin dattaque) p = vitesse gravure x temps Si derive procédé surgravure, sous gravure…adapté pour les gravure longues (t>>10s) Si SiO 2 Si 3 N 4 Si SiO 2 Si 3 N 4 Ex : Gravure selective 1000:1 de Si3N4/SiO2 Si derive procédé SiO2 se grave 1000 fois moins vite que Si 3 N 4, donc p reste constant Si SiO 2 Si 3 N 4 Si SiO 2 Si 3 N 4 Molecules de SiO2 molécules temps Critere de fin de gravure Ex : on arrête la gravure lorsque lon detecte les premieres molécules de SiO 2. Le temps nintervient plus. Si SiO 2 Si 3 N 4 Si SiO 2 Si 3 N 4 ppp Gravure ionique

31 31 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Les différents types de gravures sèches Anisotrope Si SiO 2 Si 3 N 4 Si SiO 2 Si 3 N 4 Gravure ionique Isotrope Si SiO 2 Si 3 N 4 Si SiO 2 Si 3 N 4 Gravure ionique

32 32 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Exemples de gravures usuelles Espece à graver DFA possible sur Exemple SiSiO 2 Gravure grille SiO2Si3N4, SiEspaceurs Si3N4SiEspaceurs SiGe (%Ge>20%)Si,SiO2Tunnel enterré (SON)

33 33 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Nettoyage et Gravure Humide p But : préparer une surface pour un dépôt, enlever des particules ou polymeres résiduel ou retirer de manière isotrope un matériau X p Moyen : attaque chimique (liquide) NomFormuleUtilisation CARO (SPM)H2SO4/H2O2Decontamination orgranique (eg. retrait resine) SC1NH4OH/H2O2/H2ODecontamination particulaire (grave Si) SC2HCl/H2O2/H2ODecontamination metallique HFHF 49% + H2OGravure SiO2 Acide NitriqueHNO3 (69%)Decontamination organique et metaux lourds HF/H2O2HF (49%)+H2O2(30%)+eauEmpeche la decontamination metallique durant un nettoyage HF Acid PhosporiqueH3PO4Gravure Si3N4 TMAH(CH3)4NOH(3%) + eau + peroxyde Gravure Si HF DiluéHF/H2OGravure et decontamination particulaire

34 34 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Exemple : Principe du SC1 p Mélange de NH 4 OH/H 2 O 2 /H 2 O pour un retrait de particules p Mecanisme = Oxydation, gravure et repulsion –Oxydation du Si par H 2 O 2 –Gravure de la couche formée par les ions OH - –Répulsion électrosatique des particules Polarisation négative des particules et de la surface par les ions hydroxydes Formation dune couche de chage opposée dans le liquide Ecran électrostatique Si particule Si SiO2 H2O2H2O2 Si NH 4 OH Particule adsorbée Gravure SiO2 Si H2O2H2O2

35 35 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Exemples et equipements HF Dilué

36 36 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Exemple de combinaison litho-gravure : La gravure grille Si SiO 2 Poly-Si But: definir la grille du transitor Si DFA Si LithoGravureNettoyage CD grille Si Gravure CD grille Nettoyage Ex. : resine trop fine

37 37 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Exemple de gravure Grille Si Poly-Si

38 38 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Implantation Ionique et Activation

39 39 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Limplantation Ionique : Principe Ex:PH3 PH+ P+ P++.. courant Spectro de masse 2eme filtrage par fenteContrôle lenergie des ions Mesure In-situ de la dose Ou deceleration Evite la contamination energetique et de dose

40 40 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Limplantation Ionique : Principe p Objectif : definir les zones de dopants utilisée dans le fonctionnement du transistor p Moyen : Implantation despece de type donneur ou accepteur sous forme dions accélérés par un champs électrique

41 41 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Energie et dose des dopants usuels Type dimplantation Espèce Energie (keV) Dose (at/cm²) Remarques Caisson n B, In x10 12_ 4 x10 12 Caisson p As x10 12_ 4 x10 12 Pre-dopage grille n+ P x10 15 – 5 x10 15 Pre-dopage grille p+ B 3-52 x10 15 – 5 x10 15 Extension SD n (LDD) As x10 15 – 5 x10 15 Souvent appelé Ultra Low Energy (ULE) Extension SD p (LDD) B,BF2 B: ; BF2: x10 15 – 5 x10 15 SD n (HDD) As x10 15 – 5 x10 15 SD p (HDD) B 2-51 x10 15 – 5 x10 15 Note : ordre de grandeur pour un transistor de longeur < 100 nm LDD = Lightly Doped Drain ; HDD = Heavy Doped Drain

42 42 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Exemple dimplantations typiques As 2e15 15keV P 6e13 20keV B 3e12 8keV As 1e15 1keV X (nm) Concentration (at/cm 3)

43 43 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Pouvoir darrêt ions resine Si

44 44 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Lactivation des dopants

45 45 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Les recuits dactivation et de diffusion

46 46 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Diffusion

47 47 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Conclusion

48 48 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Les « Combos » usuels Les « Combos » usuels p Etapes de dépôts et doxydation thermique –Nettoyage Dépôt Mesure dépaisseur (ellipsométrie) p Etapes de photo-lithographie/Gravure –Photo mesure CD/overlay gravure mesure dépaisseur du matériaux servant à la DFA nettoyage résine mesure CD p Etapes de gravure seule –Gravure nettoyage résidus mesure CD mesure mat. DFA p Etapes dimplantations –Lithographie implantation retrait resine p Etapes de recuit –Nettoyage Four

49 49 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Chapitre 2 : Exemple de Filière Moderne

50 50 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Matériau de départ Les tranches proviennent de fournisseurs sélectionnés p Un lingot est constitué à partir de silicium hautement purifié. p Procédé Czochralski: croissance de cristaux monocristallins de grande dimension (plusieurs centimètres). - Principe de solidification dirigée à partir d'un germe monocristallin de petite taille. Matériau fondu à une température juste au-dessus du point de fusion, avec un gradient de température contrôlé. - Le germe est placé dans une « navette » suspendue au-dessus du liquide par une tige.- - Le liquide se solidifie sur le germe en gardant la même organisation cristalline (épitaxie) au fur et à mesure que l'on tire le germe vers le haut tout en le faisant tourner (à vitesse très lente). - L'opération se passe sous atmosphère neutre (argon ou azote) pour éviter l'oxydation. p Des coupes transversales du lingot sont pratiquées pour former les tranches.

51 51 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Objectif p Réaliser lintégration complète dune technologie CMOS avec 2 niveaux dinterconnexion p Le schéma dintégration peut être divisée en différents modules technologiques Isolation : définition des zones actives de Silicium et de lisolation entre ces zones Definition des caissons n & p par implantation ionique Réalisation de la grille du transistor : oxide de grille et electrode de grille, puis gravure grille Définition des extensions de source et drain par implantation ionique Définition des espaceurs et des zones de sources et drain Activation des dopants Silicuration des sources/drains Réalisation des contacts Premier niveau de metallisation Connexion vers 2ieme niveau de métallisation Deuxième niveau de metallisation

52 52 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Vue Générale du MOSFETs réel source extension source extension drain canal Oxyde de grille T ox Lg X ext Isolation latérale siliciure L X S/D L Diff contact Électrode de grille espaceurs

53 53 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A Module dIsolation (STI, Shallow Trench Isolation)

54 54 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Silicium Nettoyage, HF+RCA Oxydation thermique (SiO 2 « padox »), 7nm Dépôt Nitrure (Si 3 N 4 ), 100nm Dépôt TEOS (SiO2) Masque dur, 50nm

55 55 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Résine Photo-lithographie zone active (masque active) Gravure zone active (profondeur ~ 3000A) Elimination Résine

56 56 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Nettoyage (HFRCA) Oxydation thermique des tranchée Remplissage des tranchées par oxide « HDP » Recuit de densification de loxide (permet une meilleur tenue aux nettoyages par la suite)

57 57 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Planarisation de loxyde avec arrêt sur nitrure Gravure Humide du nitrure, puis de de loxide

58 58 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A Définition des Caissons n & p

59 59 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Photo Caisson n (canal du pMOS) : protège les zones nMOS Implantation profonde P (isolation) Implantation As pour réglage de la tension de seuil du pMOS Oxydation thermique (9nm) dites « Sacox » : oxyde sacrificiel servant a protéger la surface lors des implantations caissons Caisson n

60 60 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Caisson n Elimination résine Photo Caisson p (canal du nMOS) : protège les zones pMOS Implantation profonde B (isolation) Implantation B/In pour réglage de la tension de seuil du nMOS Caisson n Caisson p Elimination résine Recuit dactivation des dopants de caisson

61 61 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A Definition de la Grille du Transistor

62 62 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Caisson n Caisson p Nettoyage pour préparation de surface (HFRCA) Caisson n Caisson p Oxidation thermique (1-2nm) : fabrication de loxyde de grille du transistor

63 63 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Dépôt de lelectrode de grille (poly-silicium), ~ 100nm Caisson nCaisson p

64 64 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Caisson nCaisson p Photo-lithographie sur caisson n (pMOS) Pré-dopage grille nMOS : implantation P (règle le travail de sortie du poly-silicium afin dobtenir une tension de seuil acceptable (<0.5V) pour le nMOS

65 65 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Caisson nCaisson p -Elimination résine -Photo-lithographie sur caisson p (nMOS) -Pré-dopage grille pMOS : implantation B (règle le travail de sortie du poly-silicium afin dobtenir une tension de seuil acceptable (>-0.5V) pour le pMOS - Elimination résine Poly n + Poly p +

66 66 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Caisson nCaisson p -Dépôt masque dur TEOS (~ 50nm) - Photo-lithographie de grille (masque Grille), CD<100nm Poly n + Poly p +

67 67 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Caisson nCaisson p -gravure anistrope du masque dur et retrait résine Poly n + Poly p + Caisson nCaisson p Poly n + Poly p + -Gravure anisotrope du polysilicium avec arrêt sur oxyde de grille

68 68 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Caisson nCaisson p Poly n + Poly p + -Retrait masque dur TEOS

69 69 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A – Extentions S/D

70 70 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Caisson nCaisson p Poly n + Poly p + - Photolithographie (masque nLDD, protege la zone pMOS) -Implantation As

71 71 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Caisson nCaisson p Poly n + Poly p + -Implantation B tilté (~ 25°) de poches de surdopage : renforce localement le dopage du canal. Efficace sur les petits transistors, négligeable sur les transistors longs. - retrait résine

72 72 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Caisson nCaisson p Poly n + Poly p + - Photo pLDD (protège les zones nMOS) - Implantation des extensions pMOS (B) - Implantation As tilté (~ 25°) de poches de surdopage : renforce localement le dopage du canal. Efficace sur les petits transistors, négligeables sur les transistor longs. - retrait résine Extension n + Poches p Extension p + Poches n

73 73 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A Espaceurs

74 74 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A Dépôt TEOS (~ 10nm) - Dépôt Nitrure (~ 30nm)

75 75 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A Gravure Anisotrope du Nitrure avec arrêt sur SiO2 - Desoxidation HFRCA

76 76 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A – S/D, recuit dactivation et Siliciure

77 77 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A Photo S/D N (protege pMOS) -Implantation SDN (As,P) -Photo S/D P (protege nMOS) -Implantation S/D P (B)

78 78 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A Recuit dactivation des dopants -Dépôt Métal pour Siliciuration

79 79 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A Réaction de siliciuration, et retrait de metal en excès -Depôt nitrure de la couche darrêt de gravure contact

80 80 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A Contact et 1er niveau de Metallisation

81 81 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A Depôt doxyde PMD (Pre Metal Dielectric)

82 82 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A Polissage Mecano-chimique (CMP)

83 83 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A Photo contact et gravure contact

84 84 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A Depôt barriere TiN -Depôt W

85 85 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A CMP W

86 86 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A Depot dielectrique (SiOC) -Photo Ligne 1 -Gravure 1 - Strip Resine -Dépôt Cuivre

87 87 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A CMP Cuivre

88 88 C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011 Tranche de silicium Tranche Méplat Chemin de découpe Une tranche est une coupe fine, généralement ronde, de matériau semi- conducteur qui constitue le premier élément de production pour la fabrication des semi-conducteurs. Une puce, cest un circuit intégré unique ou un dispositif autonome sur une tranche de semi-conducteur. puce


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