La présentation est en train de télécharger. S'il vous plaît, attendez

La présentation est en train de télécharger. S'il vous plaît, attendez

La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image1 VI-6 Transfert image par résine photosensible Photoresist imaging.

Présentations similaires


Présentation au sujet: "La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image1 VI-6 Transfert image par résine photosensible Photoresist imaging."— Transcription de la présentation:

1 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image1 VI-6 Transfert image par résine photosensible Photoresist imaging

2 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image2 Sommaire Outlook Applications –gravure directe –Métallisations électrolytiques Principe des résines négatives Types de résines Applications –Direct etching –Electroplating Principle of negative photoresist Kinds of photoresist

3 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image3 Sommaire Outlook Gamme opératoire : –Préparation de surface –Enduction / Laminage –Insolation –Développement Environnement « Stripage » Flow of operations –Surface preparation –Coating / Lamination –Exposure –Development Environment Stripping

4 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image4 Applications Couches internes Circuits SF et DF Circuits DF-TM méthode « panel plating » Internal layer SS & DS PCB DS-PTH PCB panel plating method Gravure directe Direct etching

5 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image5 Applications Gravure directe Direct etching Etching mask (positive pattern) Réserve de gravure (image positive) Tenting

6 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image6 Applications Circuits DF-TM et MC méthode «pattern plating » DS-PTH & ML PCBs pattern plating method Gravure inverse Inverse etching

7 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image7 Applications Circuits hyperfréquences Connecteurs Microwave PCBs Connectors Nickelage / Dorure Nickel / Gold plating

8 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image8 Applications Métallisation et gravure inverse Plating & Inverse etching Réserve de métallisation (image négative) Plating mask (negative pattern)

9 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image9 Principe des résines négatives Negative photoresist principle résine monomère + inducteur de polymérisation + liant Polymère h (UV) Facilement soluble Easy to dissolve Difficilement soluble Hard to dissolve

10 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image10 Types de résines photosensibles Kinds of photoresists Résine liquide (application au rouleau) Résine électro-déposée (application par cataphorèse) Film sec (application par laminage) Liquid resist (roller coating) Electro-deposited resist (electrodeposition process ) Dry film resist (lamination process)

11 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image11 Gamme opératoire Flow of operations préparation de surface étuvage enduction / laminage stabilisation insolation développement séchage Surface preparation dry coating / lamination stabilization exposure development dry

12 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image12 Préparation de surface Surface preparation But : - Elimination des bavures - Nettoyage du cuivre (oxydation, taches de doigts...) - Assurer une bonne adhérence de la résine photosensible Purpose : - Burr removal - copper cleaning ( oxides, finger prints.. ) - improve adhesion of photoresist

13 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image13 Préparation de surface Surface preparation Méthodes - brosse abrasive - brosse avec abrasif - pulvérisation d abrasif - décapage chimique Methods - abrasive brushes - brush with abrasives - blasting with abrasives - chemical cleaning

14 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image14 Nettoyage avec brosse abrasive Cleaning with abrasive brush Brosse abrasive Abrasive brush Cylindre d acier Steel cylinder Eau Water Rinçage HP HP rinse & Séchage Dry

15 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image15 Nettoyage avec brosse abrasive Cleaning with abrasive brush Structure de la surface Surface structure

16 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image16 Nettoyage avec brosse et abrasifs Cleaning with brush and abrasive Brosse nylon Nylon brush Eau + ponce/alumine Water + pumice/alumina Rinçage HP HP rinse & Séchage Dry

17 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image17 Nettoyage par pulvérisation dabrasif Jet scrubbing with abrasive Eau HP + ponce/alumine HP water + pumice/alumina Rinçage HP HP rinse & Séchage Dry

18 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image18 Décapage chimique Chemical cleaning Gamme de travail Flow of operations Décontamination organique Organic contaminants removal Micro-gravure Micro-etch Elimination des taches grasses Oil, fingerprints removal Elimination des oxydes Satinage du cuivre Oxides removal routhening the surface

19 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image19 Décapage chimique Chemical cleaning Microgravure Microetch - Acide sulfurique et eau oxygénée - Sulfuric acid & hydrogen peroxide Cu +H 2 O 2 => CuO + H 2 O CuO + H 2 SO 4 => CuSO H 2 O

20 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image20 Décapage chimique Chemical cleaning Microgravure Microetch - Persulfate de sodium - Sodium persulphate Cu +Na 2 (S0 4 ) 2 => Na 2 SO 4 + CuSO 4

21 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image21 Oxydation du cuivre Copper oxidation

22 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image22 Temps d attente maximum Maximum hold time

23 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image23 « Film sec » Dry film photoresist Résine photosensible (20 à 70 µ) Photoresist Feuille de protection (polyoléfine) release sheet Support (polyester 25µ) cover sheet (25µ mylar)

24 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image24 Laminage Lamination Fim sec collé par thermo-compression Heat and pressure dry film bonding

25 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image25 Laminage Lamination Rouleau de film sec Rouleau chauffant Récupération du film de protection release sheet collector Photoresist roll Heating roll Laminateur Laminator

26 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image26 Laminage Lamination Paramètres Température des rouleaux:~ 100 °C Température de sortie : ~ 60°C Pression :~ 3 bars Vitesse :~ 1,5 m/mn Parameters Roll Temperature : ~ 100 °C Exit Temperature : ~ 60°C Pressure :~ 3 bars Speed :~ 1,5 m/mn

27 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image27 Laminage Lamination propriétés adhérence conformation tenue au « tenting » productivité Properties adhesion conformation tenting behaviour productivity

28 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image28 Laminage Lamination Défaut de conformation de la résine Poor resist conformation

29 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image29 Temps de stabilisation Stabilization time Permet le retour des panneaux à la température ambiante avant l exposition Empêche la déformation des masques photographiques Stabilise la résine photosensible Durée environ 15 mn Allow to cool the panels to room temperature prior to exposure Prevent from photomask deformation Stabilyze the photoresist Time about 15 mn

30 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image30 Insolation Exposure polyester émulsion résine photo Masque photographique UV UV UV Photoresist emulsion polyester Photomask

31 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image31 Insolation Exposure Conditions Lampes ~5 kW Longueur d onde ~ 320 à 420 nm Intensité d exposition > 5 mW/cm² Energie d exposition w~100 mJ/cm² temps ~2s Conditions Lamps ~5 kW Wave length ~ 320 à 420 nm Exposure intensity > 5 mW/cm² Exposure energie w~100 mJ/cm² temps ~2s

32 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image32 Insolation Exposure Contrôle de l energie d exposition Exposure energy test Echelle de gris RST à 25 plages RST 25-step stablet 50% de résine restant après développement 50% of the resist remaining after developpment Résine développée Stripped resist Résine non développée Totaly remaining resist

33 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image33 Insolation Exposure Influence de l energie d exposition sur la largeur des lignes Effect of exposure energy on ligne width

34 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image34 Insolation Exposure Influence du hors contact Effect of off contact UV Masque photographique Photomask Résine photosensible Photoresist Polyester Après développement After development Emulsion Polyester Film sec Dry film Diffraction

35 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image35 Insolation Exposure Influence du hors contact Effect of off contact UV Masque photographique Photomask (Inversé) (reversed) Résine photosensible Photoresist Polyester Après développement After development Emulsion Polyester Film sec Dry film

36 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image36 Développement Development Pulvérisation de solvant Solvent spray résine polymérisée Polimerized resist

37 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image37 Développement Development Paramètres Concentration en Na 2 CO 3 :~ 1% température :~ 30 °C temps de développement : ~ 2 mn Point de lavage~ 60 % Concentration en anti-mousse : ~ 0,15 ml/l Pressions des buses~ 1,5 bars Charges en résine ~ 0,3 mil-m²/l Parameters Developper concentration (Na 2 CO 3) :~ 1% temperature :~ 30 °C Time to clean : ~ 2 mn Breakpoint~ 60 % Defoamer concentration ~ 0.15 ml/l Pressions des buses~ 1.5 bars Developper loading ~0.3 mil-m²/l

38 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image38 Développement Development Propriétés Qualité des talus Résolution (largeur des pistes - espacements Vitesse de developpement Properties Sidewall quality Line/space resolution Developpement rate

39 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image39 Développement Development Titration du carbonate de soude Avec HCl 0,1 N Indicateur : méthyle orange jaune => rouge saumon Vs volume de solution Va volume d acide utilisé N normalité de l acide m masse molaire du carbonate (106 g) T Titre en poids T% = N. Va. m / 20. Vs Titration of sodium carbonate With 0.1 N HCl Indicator : methyl orange Yellow => salmon/red Vs sample volume Va volume of acid required N normality of the acid m formulation weight of the carbonate (106 g) T concentration T% = N. Va. m / 20. Vs

40 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image40 Développement Development Point de lavage Breakpoint Chambre de développement Development chamber D d d/D 60%

41 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image41 Développement Development Influence de la température Effect of temperature

42 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image42 Développement Development Influence de charge en résine Effect resist loading

43 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image43 Développement Development Rinçage A l eau dure Température 20 à 30 °C Pression > 1,5 bar => élimination des résidus de solution sur le cuivre => très important pour une bonne métallisation ou une bonne gravure Rinsing With hard water Temperature 20 to 30 °C Pressure > 1.5 bar => remove residual developper chemistry => Very important for a good plating or etching

44 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image44 Développement Development Séchage A l air chaud => évite l oxydation du cuivre => arrête l attaque des talus par la solution de développement => durcit la résine Drying With hot air => prevent from copper oxidation => stop the developper to attak the resist sidewall =>harden the resist

45 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image45 Environnement Environment Éclairage inactinique UV (jaune) Salle propre exemple classe (nombre de particules > 0,5µm par pied cube) Contrôle de la température (ex : 21 2°C) Contrôle du taux d humidité (ex : 55 5%) Safe lighting Yellow (UV free) Clean room for exemple class (number of particles > 0.5µm per cubic foot) temperature regulation (ex: 21 2°C) Humidity regulation (ex : 55 5%)

46 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image46 « Stripage » Stripping Procédé du « stripage » Pulvérisation d une solution de soude ou de potasse Le film sec se brise en formant des peaux Élimination des peaux par filtration Rinçage et séchage Stripping Process Sodium hydroxide or potassium hydroxide spray The dry film resist breaks into skins Removing skins by filtration Rinse and dry

47 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image47 « Stripage » Stripping Paramètres Concentration de la solution ~ 1,5% Anti-mousse ~1,5 ml/l Température~ 50°C Pression des buses~ 1,8 bar Point de lavage~50% Charge en résine < 0,5mil-m²/l Parameters Stripper concentration ~ 1.5% Antifoam ~ 1.5 ml/l Temperature~ 50°C Nozzles pressure~ 1.8 bar Breakpoint~50% Resist loading <0.5mil-m²/l

48 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image48 « Stripage » Stripping Propriétés recherchées Vitesse de « stripage » élevée Faible oxydation du cuivre Faible attaque de l étain- plomb Parameters Hight stripping rate Low copper oxidation Low tin-lead oxidation

49 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image49 « Stripage » Stripping Effet de l exposition à la lumière blanche Effect of white light exposure

50 La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image50


Télécharger ppt "La fabrication des circuits intégrés VI-6 Transfert image1 VI-6 Transfert image par résine photosensible Photoresist imaging."

Présentations similaires


Annonces Google