RAPPEL MODELE MOS D Mn Modèle CAO larges signaux Mp IDS avec VBS = 0 G CGD CGS+CGB CBD G D S Mn Mp Modèle CAO larges signaux avec VBS = 0 Transistor OFF : VGS < VTHn Transistor ON en régime saturé : NMOS PMOS
RAPPEL MODELE MOS Capacités en régime saturé Modèle CAO petits signaux avec VBS = 0 On se place autour d’un point de polarisation défini par IDS0 (VGS0, VDS0) et on regarde les variations ids du courant global iDS=IDSO+ids pour des variations de vgs et vds des tensions globales vDS= VDSO+vds et vGS= VGSO+vgs
RAPPEL MODELE MOS gmvgs CGD CGS+CGB CBD G D S gds vgs Mp Mn
PARAMETES SPICE Paramètres SPICE de la technologie utilisée KP 175 mA/V2 58 mA/V2 l (VEnLn)-1 avec VEn= 22V/mm (VEpLp)-1 avec VEp= 31V/mm VTH 0.47 V -0.60 V Cj 0.93 fF/mm2 1.42 fF/mm2 Cjsw 0.28 fF/mm 0.38 fF/mm mj 0.31 usi 0.55 usi mjsw 0.19 usi 0.39 usi Fj 0.69 V 1.02 V CGB0 = 0.11 fF/mm CGS0 = 0.13 fF/mm CGD0 = 0.13 fF/mm Cox = 4.6 fF/mm2 Paramètres NMOS PMOS Lmin = 0.35 mm et Wmin = 0.5 mm - Toute dimension doit être un multiple de 0.025 mm