Travail sur machine de la dernière fois Pas mal dans l’ensemble. Pour deux groupes, des résultats que je ne retrouve pas. Comparaison métal / semi-conducteur.

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Plan du cours A. Généralités Introduction
Transcription de la présentation:

Travail sur machine de la dernière fois Pas mal dans l’ensemble. Pour deux groupes, des résultats que je ne retrouve pas. Comparaison métal / semi-conducteur / isolant : le nb de porteurs dépend fortement de T dans un semi- conducteur, quasiment pas dans un métal (OK) il y a typiquement fois plus de porteurs dans un métal de dans un semi conducteur, et fois plus de porteurs dans un semi conducteur que dans un isolant. Pensez à récupérer vos fiches !

cedba BV BC EcEc EdEd EvEv T Dopage n Un électron de la BC vient soit du dopant soit de la BV. Nbre d’e - BC = nbre de trous état du dopant + nbre de trous BV edba BV BC c EcEc EaEa EvEv T Dopage p Un e- qui quitte la BV va soit sur un dopant, soit dans la BC Nbre de trous BV = Nbre d’e - état du dopant + nbre d’e - BV Charges mobiles = trous de la BV + électrons de la BC ionisationextrinsèqueintrinsèque ionisationextrinsèqueintrinsèque

Définition du dopage Définition du ½ conducteur Le programme sait calculer le niveau de Fermi qui vérifie nbre d’électrons (fixes ou mobiles) = nombres de trous (fixes ou mobiles)