1 L’exemple de l’échelle de mise en forme pulse forming network PFN Association itérative de composants On réalise les inductances et capacités linéiques avec des composants discrets
2 Objectif d’un PFN A partir d’une tension continue, on veut réaliser un créneau de tension de même niveau, de durée maîtrisée et d’impédance adaptée. PFN
3 Cellule de base Par l’exemple du circuit RLC, on sait qu’une capacité associée à une inductance présente : un délai à la charge ou à la décharge complète quantifié par T/4= / 2 = /2 (LC) et une équivalence d’impédance Z = (L/C) L C V V
4 L C L C L C R chR
5 Z ohm L(nH) C(nF)0,10, ,04,53,22,21,41,00,70,40,30,20,1 2014,16,34,53,22,01,41,00,60,40,30,1 5022,410,07,15,03,22,21,61,00,70,40, ,614,110,07,14,53,22,21,41,00,5770, ,720,014,110,06,34,53,22,01,40,80, ,731,622,415,810,07,15,03,22,21,30, ,044,731,622,414,110,07,14,53,21,81,0 ns/étage L(nH) C(nF)0,10, Impédance et retard par étage pour un PFN Tables de Z et pour des combinaisons réalistes de L et C
6 C= 300nF L=100nH = (LC) T = = 173 ns Z = (L/C) = 0,577 ohm PFN à 1 étage C’est un RLC !
7 PFN 1 sur Z On a une impulsion principale de largeur trop importante, le palier n’est pas décrit mais le rebond est limité. Globalement la structure est présente. ADAPTATION
8 C = 300nF L = 100nH = (LC) =173 ns T = 6 = 1039 ns Z = (L/C) = 0,577 ohm PFN à 6 étages
9 PFN 6 sur Z On a une impulsion principale qui ne forme pas bien le créneau, la largeur est imparfaite et le rebond est assez fort. ADAPTATION
10 C= 300nF L=100nH = (LC) =173 ns T = 12 = 2078 ns Z = (L/C) = 0,577 ohm PFN à 12 étages
11 PFN 12 sur Z On a un créneau principal de la bonne largeur avec une montée raide, un overshoot de 10% et un rebond à -20%. Le palier est bien décrit après 3 oscillations. ADAPTATION
12 PFN 12 sur Z/10 On note la réflexion quasi totale sur la sortie. Le premier palier est bien décrit, pas la suite. REFLEXION
13 PFN 12 sur 10 Z La modulation laisse apparaître la largeur du créneau mais il n’y a pas de retombée à zéro. AMORTISSEMENT
14 Le comportement est celui d’une décharge RC avec la cap équivalente nC; la contribution des inductances est peu visible. R=57,7 ohm C 12 = 3600 nF RC 12 = 208 µs PFN12 sur 100 Z AMORTISSEMENT