Objectif d’un PFN A partir d’une tension continue, réaliser un créneau de tension de même niveau, de durée maîtrisée et d’impédance adaptée PFN Association de composants jouant un rôle de ligne L’exemple de la ligne de mise en forme (PFN pulse forming network)
Montages typiques Par l’étude du circuit RLC on sait qu’une capacité associée à une inductance présente : un délai à la charge ou à la décharge complètes quantifiée par T= 2 / = 2 (LC) et une impédance Z = (L/C) L’association de capacités en parallèles distribuées dans une ligne coaxiale présente des apsects similaires. Peut-on réaliser une ‘ligne’ avec des composants discrets ?
Z ohm L(nH) \ C(nF)0,10, ,04,53,22,21,41,00,70,40,30,20,1 2014,16,34,53,22,01,41,00,60,40,30,1 5022,410,07,15,03,22,21,61,00,70,40, ,614,110,07,14,53,22,21,41,00,5770, ,720,014,110,06,34,53,22,01,40,80, ,731,622,415,810,07,15,03,22,21,30, ,044,731,622,414,110,07,14,53,21,81,0 tau ns/étage L(nH) \ C(nF)0,10, Impédance itérative et retard par étage pour un PFN
PFN à 1 étage (!) fermé sur R=Z C= 300nF L=100nH = (LC) T = = 173 ns Z = (L/C) = 0,577 ohm
PFN à 1 étage fermé sur R=Z
PFN à 6 étages fermé sur R=Z C= 300nF L=100nH = (LC) =173 ns T = 6 = 1039 ns Z = (L/C) = 0,577 ohm
PFN à 6 étages fermé sur R=Z
PFN à 12 étages fermé sur R=Z C= 300nF L=100nH = (LC) =173 ns T = 12 = 2078 ns Z = (L/C) = 0,577 ohm
PFN à 12 étages fermé sur R=Z
PFN à 12 étages fermé sur R=Z/10 On note la réflexion quasi totale sur la sortie. Le premier palier est bien décrit.
PFN à 12 étages fermé sur R=10Z
PFN à 12 étages fermé sur R=100Z Le comportement est celui d’une décharge RC avec la capacité équivalente nC la contribution des self-inductances est peu visible. R=57,7 ohm C 12 = 3600 nF RC 12 = 208 µs