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Publié parRaimond Bonneau Modifié depuis plus de 10 années
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Commande d’actionneurs à l’aide d’un microprocesseur
4 Commande des transistors Christian Koechli
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Objectifs du cours Fonctionnement d’un Mosfet de puissance
Problématique du Low-Side Problématique du High-Side Découplage Bootstrap Utilisation de P-MOS
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Structure
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Principe
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Enclenchement
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Enclenchement 2
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Effets des inductances parasites
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Déclenchement
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Précautions Surtension GS (souvent 20V max) Pics de courant
Phénomènes transitoires DS Limitations du pouvoir de coupure de la diode de roue libre
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Pics de tensions sur la grille
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Changements DS
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Limitation du pouvoir de coupure de la diode
13
Limitation du pouvoir de coupure de la diode
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Les 10 choses à faire ou à ne pas faire avec les MOS de puissance
Attention à la manipulation Attention aux pics de VGS Attention aux pics de tension sur le drain ou la source dus à la commutation Ne pas dépasser la valeur de crête du courant Rester dans les limites thermiques Attention au layout Attention aux performances de la diode de roue libre Attention en comparant les performances (courant) de différents MOSFETs
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Calcul des pertes Pertes en conduction: Pcd=RDSon I2 tON
Pertes en commutation: Pcom=f
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Caractéristiques de l’étage « driver »
Limiter les pertes de commutation Source de courant idéale pour une commutation rapide Éviter les pics de tension Attention à la commutation rapide. Éviter les inductances de fuites (Condensateur et diode de roue libre le plus proche du transistor)
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Transistor Low Side
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Transistor High Side
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Découplage Vcc (12V) DSP R TLP250 UDC (24V) (0V) Rmesure_courant
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Alimentation unipolaire
UDC (24V) Vcc (12V) R DSP Level shifter
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Décalage de niveau (+bootstrap)
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Utilisation d’un transistor à canal P
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Schéma Labo
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