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Comparison of raised-microdisk whispering gallery- mode characterization techniques Brandon Redding,* Elton Marchena, Tim Creazzo, Shouyuan Shi, and Dennis.

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Présentation au sujet: "Comparison of raised-microdisk whispering gallery- mode characterization techniques Brandon Redding,* Elton Marchena, Tim Creazzo, Shouyuan Shi, and Dennis."— Transcription de la présentation:

1 Comparison of raised-microdisk whispering gallery- mode characterization techniques Brandon Redding,* Elton Marchena, Tim Creazzo, Shouyuan Shi, and Dennis W. Prather Department of Electrical and Computer Engineering, University of Delaware, Newark, Delaware 19716, USA *Corresponding author: redding@udel.edu Received January 20, 2010; revised February 19, 2010; accepted February 21, 2010; posted March 3, 2010 (Doc. ID 122865); published March 26, 2010 We compare the two prevailing raised-microdisk whispering-gallery-mode (WGM) characterization techniques, one based on coupling emission to a tapered fiber and the other based on collecting emission in the far field. We applied both techniques to study WGMs in Si nanocrystal raised microdisks and observed dramatically different behavior. We explain this difference in terms of the radiative bending loss on which the far-field collection technique relies and discuss the regimes of operation in which each technique is appropriate. Présentation group meeting Tassadit Amrane 14 janvier 2011

2 Techniques de caractérisation Caractérisation en champs lointain. Caractérisation avec fibre effilée Excitation par le dessus à 532nm pour une PL autour de 800nm. Utilisation dune fibre effilée hors contact Récolte des rayons perdues par radiation.Récolte du champs évanescent. La caractérisation en champs lointain est plus simple et plus rapide, pas de fibre à effiler, pas de taper à positionner et il ny a pas deffet de charges, le facteur de qualité mesuré est celui intrinsèque à la cavité.

3 Utilisation de nanocristaux de silicium : Alternance de couches a-Si/SiO2. Faible indice de refraction : n = 1,7. Cavités de diamètre variant entre 8 et 20 um. Fabrication : Déposition de couches de SiO2 et a-Si par PECVD, jusquà obtention dune couche de 200nm. Photolitho. standard avec gravure des nanocristaux avec du SF6 et C4F8 dans un environnement dAr et le pied avec du gaz SF6. T. Creazzo and al. J. Lumin. 130, 631 (2009).

4 Résultats obtenus pour une fibre a) sur le bord du disque et b) sur le dessus du disque et c) en champs lointain. Apparition du deuxième mode radial aux courtes longueurs dondes lorsque la fibre est placée sur le dessus du disque et diminution du facteur de qualité à cause des effets de charges (fibre en contact avec le disque). En champ lointain le deuxième mode radial apparait aux courtes longueurs donde au détriment du premier, on a plus de pertes par radiation pour le second mode que pour le deuxième.

5 Résultats obtenus PL du F8BT déposé sur une cavité de 200um

6 Pertes par radiation : Angle critique pour la réflexion totale interne Diamètre modal effectif Fraction de lénergie perdue par radiation en fonction du diamètre de la cavité et de la longueur donde.

7 Laser à 405nm Microcavité de 200um, Placée à lintérieur dun cryostat Lentille Miroir Vue du dessus du montage. Erreurs commises : Diamètre du disque trop élevé pour avoir des pertes par radiation. Angle trop faible entre le disque et la lentille (~30°), normalement à 90°.

8 Dun montage plus adapté en champs lointain. (plus de lentilles de focalisation, stage contrôlé en angle, distance de travail réduite) Utiliser la collecte par fibre pour les cavités présentement disponible (> 50um). Lutilisation de la collecte par champs lointain requiert des pertes par radiation supérieures aux pertes internes du microdisque. Conclusion


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