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HLL= labo semi-conducteurs = 18 cher., 6 ingé., 8 tech, 3 adm.
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Silicium aminci : détecteur
Idée : Alternative au détecteur dit “3D” pour éviter le trapping des charges et une trop grande tension de déplétion après irradiation Normal « 3D » Aminci 250 µm de longueur de trace µm de trace 250 µm de drift µm de drift µm de drift
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Silicium aminci : détecteur
Fabrication : Intérêt : Process “standard”
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Silicium aminci : détecteur
Réalisation :
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Idée : Construire une électronique 3D
Electronique 3D : VSI Idée : Construire une électronique 3D Recherche motivée par l’industrie du Si (Réduction des RC, augmentation de la densité et des performances)
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VSI : électronique Beaucoup de gens travaillent dessus :
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VSI : Comment ca marche ?
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VSI : Comment ca marche ? Très haute densité d’interconnexion : /cm2 Via de l’ordre de 1 à2 µm Distance min via-gate =11 µm Distance min via-drain= 4µm
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VSI : Comment ca marche ? Technologie clés : Contacts inter-couches :
-Fusion directe du cuivre ou Eutectique Cu-Sn Amincissement des wafers : 50 µm en routine, 6 µm déjà fait et visiblement peu de dégâts si l’on reste dans la gamme µm Formation et remplissage des vias : Etching plasma ( Si02) , remplissage après isolation des parois (cas du CMOS) par W ou TiN/cu Précision de l’alignement : 1 µm sur le wafer ..
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VSI : Comment ca marche ? 2 approches : Wafer sur wafer :
Un seul fabricant mais les circuits doivent être de même taille et le rendement se réduit avec le nombre de couches Chip sur wafer : On peut utiliser différents fabricants, on augmente le rendement, mais on multiplie les tests et les manipulations
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Un exemple de VSI
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Module et mécanique Le module est assez semblable aux modules actuels mais son épaisseur devrait être inférieure à 150 µm
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Objectifs du proposal : Un proto en 2009
1FTE process eng., 1 FTE mech. eng.,1FTE tech.
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