Détermination des conditions d’epitaxie

Présentation au sujet: "Détermination des conditions d’epitaxie"— Transcription de la présentation:

1 Détermination des conditions d’epitaxie
Couche mince de MnAs/GaAs produite par Epitaxie par Jets Moléculaires et observée par Microscopie Electronique à Balayage.

2 Motivations de MnAs/GaAs
MMnAs GaAs

3 Construction de la maille de GaAs
Multiplicité de la maille cubique ? Réseau de Bravais ? Motif ? Réseau réciproque? Orientation de la maille par rapport à l’image MEB ?

4 Construction de la maille de GaAs

5 Réseau réciproque de GaAs

6 Réseau réciproque de GaAs
h,k et l ont la même parité.

7 Construction de la maille de GaAs
Multiplicité de la maille cubique ? 4 Réseau de Bravais ? cF Cubique à faces centrées Motif ? Ga (0,0,0) et As (¼, ¼, ¼) Réseau réciproque? Cubique centrè de paramètre : 2/a Orientation de la maille par rapport à l’image MEB ?

8 GaAs : Réseau direct et réseau réciproque

9 Orientation par rapport au MEB

10 Orientation par rapport au MEB

11 GaAs : plan (1, 1, 1) d111 = 1/ d*111 = a/√(1+1+1) = 5,65/ √3 = 3,26 Å

12 Plan (1,1,1) : surface du substrat de GaAs

13 GaAs : plan (4, -2, -2) d4,-2-2 = 1/ d*4,-2-2 = a/√(16+4+4) = 5,65/ √24 = 1,15 Å

14 GaAs : plan (2,0,0) d2,0,0 = 1/ d*2,0,0 = a/√(4) = 5,65/ √4 = 2,83 Å

15 GaAs : plan (-1, 3, 3) d-1,3,3 = 1/ d*1,3,3 = a/√(19) = 5,65/ √19 = 1,30 Å

16 Image du réseau réciproque par diffraction d’électrons
Cliché de diffraction = contributions de GaAs + MnAs car epitaxié

17 MnAs : On remarque la symétrie hexagonale.

18 MnAs : réseau direct et réciproque

19 MnAs : réseau direct et réciproque

20 Orientation rélative MnAs GaAs
+ MnAs RR à trouver

21 Orientation rélative MnAs GaAs

22 Orientation rélative MnAs GaAs
+

23 Conditions d’épitaxie
(-1-1-1)GaAs// (001)MnAs [0-11]GaAs // [100] MnAs

24 -112 GaAs // 120 MnAs

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