Atome de silicium: Si Cristal de silicium

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1 Atome de silicium: Si Cristal de silicium
28 14 Atome de silicium: Si +14 +4 Cristal de silicium

2 atome cristal Bande de conduction gap Bande de valence noyau
4 3 atome cristal Bande de valence noyau Bande de conduction 4 3 gap noyau 4 3 gap bande de conduction bande de valence

3 atome tétravalent (Gallium)
Semi-conducteur dopé atome pentavalent (Arsenic) Cristal N atome tétravalent (Gallium) Cristal P

4 semi-conducteur intrinsèque semi-conducteur dopé N
4 3 bande de conduction bande de valence semi-conducteur intrinsèque 4 3 bande de conduction bande de valence semi-conducteur dopé N é = porteurs majoritaires trous = porteurs minoritaires 4 3 bande de conduction bande de valence semi-conducteur dopé P trous = porteurs majoritaires é = porteurs minoritaires

5 Jonction PN diffusion recombinaison E

6 + + Polarisation de la diode Ea Ea
Diode polarisée dans le sens « passant » ou « direct » Ea + Ec courant des porteurs majoritaires dans la diode (mA, A) Diode polarisée dans le sens « bloquant » ou « inverse» E Ea + Ec courant des porteurs minoritaires dans la diode (µA, nA)

7 diode polarisée passant
diode non polarisée diode polarisée passant diode polarisée inverse µA

8 création électron-trou
Photodiode - principe  ou X 1 photon = création électron-trou pas de recombinaison courant inverse augmenté E + E Diode polarisée dans le sens inverse afin d'augmenter la zone de charges d'espace et donc l'efficacité du processus µA I (µA) t