Modélisation transistor bipolaire à hétérojonction dans le domaine Statique et dynamique La courbe caractéristique de IC-VCE peut être divisée en quatre.

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1 Modélisation transistor bipolaire à hétérojonction dans le domaine Statique et dynamique La courbe caractéristique de IC-VCE peut être divisée en quatre zones 1 I.Caractéristique de sortie IC-VCE

2 Caractéristique de sortie IC-VCE  Des résistances séries d’émetteur et de collecteur du dispositif par la pente des courbes en régime de saturation  La tension d’Early par la pente de IC en régime linéaire à faible polarisation de base (IB ou VBE)  La tension de claquage du dispositif lorsque ce dernier entre en régime d’avalanche 2

3 Résistance collecteur 3

4 Détermination de la tension d’Early l’effet de la polarisation Vbc en inverse nous observons une réduction de la taille de la base et une augmentation de la ZCE 4

5 Caractéristique de sortie IC-VCE l’optimisation des valeurs des paramètres pour la courbe Ic-Vce 5

6 Modélisation du substrat 6

7 Modélisation temps de transit 7

8 Représentation h21 8

9 Modélisation temps de transit  Pour les valeurs de I C faible, le temps de transit ressemble à celui d’un circuit RC. Dans la zone des fortes injections à cause de l’effet Kirk le temps de transit augmente. 9