INJ Déplacement au CHREA ● CHREA Labo CNRS (INP) de Sophia-Antipolis –Spécialisé dans la croissance de matériaux ● Produit à proposer : photopiles 0.6A.

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1 INJ Déplacement au CHREA ● CHREA Labo CNRS (INP) de Sophia-Antipolis –Spécialisé dans la croissance de matériaux ● Produit à proposer : photopiles 0.6A en direct Pas homogène sur la surface –contact sur la surface en peigne ● Capacité de R&D jusqu’au prototypage ● Intéressé par le développement de nouveaux matériaux ! 1

2 INJ Situation du CHREA vis-à-vis de notre projet ● Vérifier si les solutions industrielles conviennent à nos besoins ● Dans un 2nd temps contacter des entreprises de taille plus modeste 35lab (Alcatel-Thales) / 3Sphotonics Beaucoup plus flexibles sur leurs produits –Adaptation à nos besoins spécifiques (Back illuminated) –Probablement onéreux –F. Cléva va les contacter ● Dans un 3eme temps, envisager une R&D avec le CHREA, Virgo et un industriel (type 35lab) dans le cadre d’un financement (type ANR) sur 3 ans 2

3 INJ Quelques pistes sur les technologies ● InGaAs Au titre d’alliage, n’est pas forcément le mieux adapté pour de fortes puissances incidentes Linéarité souffre aussi de cet aspect alliage ● Suggestion d’utilisation d’un matériau pur Meilleure linéarité, tenue à forte puissance, prix Si –Faible efficacité quantique à 1um Ge –Légèrement moins efficace que InGaAs ● Les arguments pour le choix de l’InGaAs sur Virgo sont-ils toujours valides? 3

4 INJ ● Sélection InGaAs : Devis obtenus –GPD, 319 $US, 3 semaines –Fermionics, 259 €, 1 à 2 semaines –Perkin Elmer, 390 €, 8 semaines, 5 exemplaires minimum ● Judson… produit spécifique, 918€, 2 à 4 semaines ● Envisager les solutions Si et Ge ? Ge : Judson Si : hamamatsu 4

5 INJ FabricantRéférenceAct. AreaQuant. Eff.Rev. Volt. Max HamamatsuG8605-133 mm70% @ 1 µm5 V + curve @ 10 V HamamatsuG8370-833 mm64% @ 1 µm2 V HamamatsuG8370-033 mm70% @ 1 µm5 V Perkin ElmerC306653 mm81% @ 1 µm5 V + breakdown = 50 V Roithner LasertechnikPT8113 mm81% @ 1 µm10 V FermionicsFD3000W3 mm86% @ 1 µm2 V + curve @ 5 V GPD Optoelectronics Corp.GAP30103 mmno curve! 86% @ 1.3 µm15 V eGtranPD3M-0013 mmno curve! 85% @ 1,31 µm2 V EOSIGA-0303 mmno curve! 85% @ 1,3 µmno data FabricantCapacitanceCapacitance on curve Hamamatsu1000 pF @ 1V450 pF @ 10 V Hamamatsu1000 pF @ 1V800 pF @ 2 V Hamamatsu1000 pF @ 1V600 pF @ 5 V Perkin Elmer1000 pf @ 0 V + 400pF @ 2 V110 pF @ 30 V Roithner Lasertechnik1300 pF @ 5 V800 pF @ 10 V + 1450 pF @ 0 V Fermionics750 pF(typ) 1800pF(max) @ 0 V380 pF @ 5 V GPD Optoelectronics Corp.1100 pF @ 0 V + 380 pF @ 5 Vnone eGtran700 pF @ ?none EOS1000 pF @ ?none FabricantDark cur. Typ. (Max)Dark cur. on curveReverse current Hamamatsu1(5)nA @ 1 V< 1.5 nA @ 5 Vnone Hamamatsu15(75)nA @ 1 Vnone Hamamatsu15(75)nA @ 1 V20 nA @ 5 Vnone Perkin Elmer25 nA @ 2 V45 nA @ 10 V100 mA Roithner Lasertechnik200 nA @ 5 Vnone10 mA Fermionics15 nA @ 2 V28 nA @ 5 Vnone GPD Optoelectronics Corp.8(25)nA @ 2 Vnone10 mA eGtran50 nA @ 0,3 Vnone20 mA EOSno datanone 5