Institut d’Électronique Fondamentale, UMR8622

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1 Institut d’Électronique Fondamentale, UMR8622
Étude d'un procédé d'encapsulation sous vide sur tranche de microsystèmes électromécaniques S. Lani, A. Bosseboeuf, X. Leroux, B. Belier, D. Bouville, W. De Marcillac Institut d’Électronique Fondamentale, UMR8622 Université Paris XI

2 Plan d’étude Pourquoi? Le procédé d’assemblage de substrats par soudure eutectique Le film getter Les connections électriques Conclusion et perspectives

3 Connexions électriques
Pourquoi? Assemblage de substrats => collectif Protection contre l’environnement Amélioration des performances des systèmes encapsulés Contrôle et test intégré Séparation des puces Substrat Capot Connexions électriques Getter Microsystème Soudure Cavité

4 Le procédé d’assemblage de substrats par soudure eutectique
Choix des matériaux : Alliage eutectique Au-Si (19% de Si, Tf=363°C) Couches étudiés Substrat Or Barrière de diffusion Couche d’adhésion Barrière électrique 100 à 300nm Pt ou Ni : 10 à 30nm (facultatif) Ti : 10nm SiO2 : 500nm (facultatif) Si : 500 µm

5 Le procédé d’assemblage de substrats par soudure eutectique
Choix des matériaux : Alliage eutectique Au-Si (19% de Si, Tf=363°C) Couches étudiés Caractérisation des couches recuites (RBS, résistivité, RX, rugosité rms) Si (bulk) (surface) Ti (film) Au (film) Top surface Annealing time (430°C) 20 min 40 min 60 min 430°C 380°C (380°C) 0 min Si (bulk) (SiO2) Ti Au surface (film) Spectre RBS des empilements Au/Ti/Si Spectre RBS des empilements Au/Ti/SiO2/Si

6 Le procédé d’assemblage de substrats par soudure eutectique
Déterminations des conditions expérimentales pour la soudure Bonder : EVG-501 T°C : 380°C à 450°C Temps de soudure : 15min à 120min Pression résiduelle : 10-3 mBar Pression appliquée : 1500 à 3500N Empilement Au/Ti/SiO2/Si Au/Ti => scellement peu adhérent Au/Ti/SiO2 & Au/Pt/Ti => scellement très adhérent Au/Ni/Ti => non scellé Empilement Au/Ti/Si

7 Le procédé d’assemblage de substrats par soudure eutectique
Assemblage de cavités sous vide Substrat avec cordons en Au/Ti/SiO2 Image IR de 2 substrats alignés, après soudure eutectique Cordon Cavité Capot réalisé par gravure KOH Défaut d'alignement (imagerie IR)

8 Le procédé d’assemblage de substrats par soudure eutectique
Caractérisation de l’assemblage Vide Substrat Capot Pression atmosphérique Vide résiduel mesuré par profilométrie optique : mBar Déflexion en fonction de la pression externe du capot en silicium

9 Étude d’un film getter Pression stable dans le temps (10 à 20 ans)
Pression dans la cavité plus faible (10-4 mBar) Image de cavités dans un substrat de silicium intégrant un film getter et encapsulées avec un substrat de verre Quantité d’oxygène incorporé dans le film getter en fonction de la température de recuit mesuré par spectrométrie RBS

10 Réalisations des connections électriques
Vias (gravure RIE profonde) Vue en coupe d’une matrice de vias Vue en coupe d’un via

11 Réalisations des connections électriques
Métallisation des vias Dépôt par pulvérisation cathodique d’une couche métallique Dépôt électrochimique de cuivre (partiel) Au Micro analyse X en coupe sur des échantillons métallisés Si

12 Réalisations des connections électriques
SiO2 Si Si Au Au/Si Si O Micro analyse X en coupe sur des échantillons assemblés par soudure eutectique Cordon adapté aux besoins

13 Conclusion et perspectives
Réalisation de cavités sous vide Mise en place d’un getter Développement de connections électriques Perspectives Encapsulation d’un microsystème dans la cavité (en cours) Getter : mesure de la pression interne (à l’aide d’un microsystème) Via : caractérisation de la résistivité de la connection