Tenue aux radiations des composants Logiques et Interfaces

Présentation au sujet: "Tenue aux radiations des composants Logiques et Interfaces"— Transcription de la présentation:

1 Tenue aux radiations des composants Logiques et Interfaces
1/ Rappel : Comportement des technologies CMOS et BiCMOS vis à vis des radiations 2/ Composants testés au CNES depuis 1999 dans le cadre du projet MICROSAT et de la R&T 3/ Les moyens et conditions de test 4/ Résultats des essais 5/ Conclusion des essais 6/ Rappels sur les difficultés des essais

2 1/ Rappel : Comportement des technologies CMOS et BiCMOS vis à vis des radiations
Rappel des phénomènes étudiés: Dose cumulée: (électrons, protons) Dégradation progressive de certains paramètres pouvant aller jusqu'à la perte de fonctionnalité. Effets singuliers: (ions lourds, protons) Le passage d'une particule provoque un événement destructif ou pas Latch-up: Mise en conduction d'une structure thyristor parasite pouvant entraîner la destruction thermique du composant. Upset: Basculement logique du contenu d'un point mémoire. Phénomène non destructif. Transitoire: Modification très temporaire du niveau d ’un signal. Phénomène non destructif.

3 Sensibilité intrinsèque des technologies CMOS et BiCMOS :
Dose cumulée: Les deux technologies sont sensibles. Les paramètres sensibles à priori sont les courants ICC et ICCSB ainsi que les tensions de seuil qui en dérivant perturbent le fonctionnel. Effets singuliers: Latch-up: Seules les structures CMOS y sont sensibles (nécessité d ’avoir une structure PNPN pour avoir latch-up. Les parties Bipolaires des composants BICMOS n ’y sont pas sensibles. Upset: Tous les composants qui contiennent des points mémoires y sont sensibles (latchs, registres, mémoire…) qu ’ils soient CMOS ou BiCMOS. Transitoire: Tous les composants sont concernés mais un SET ne se propagera au niveau système que s ’il est mémorisé ou amplifié.

4 Méthodes de durcissement système :
Dose cumulée: Blindage global ou local, prise en compte des dérives paramétriques dans le design, redondance froide. Latch-up: Système délatcheur. Plus ou moins complexe à mettre en oeuvre. SEU: Redondance chaude, vote majoritaire,... SET: Filtrage, Redondance matérielle ou temporelle. Toutes ces méthodes sont déjà connues. Le recours à l'utilisation massive de composants non durcis devrait entraîner leur généralisation et déplacer l'assurance durcissement du composant vers le système.

5 2/ Composants testés au CNES depuis 1999 dans le cadre du projet Microsat et de la R&T composants
Familles Logiques 5V :

6 Familles Logiques 3.3V :

7 Composants d ’Interfaces :

8 3/ Les moyens et conditions de test
Essai en dose cumulée : Moyens : Source Co60 de l ’ONERA/DESP Conditions : Débit de dose : entre 200 et 400 rad/h Annealing : 24h, 20°C et 168h, 100°C Essai sous ions lourds : Moyens : Accélérateur de l ’IPN Orsay Ions lourds Brome, Iode … avec des LET variant 13 à 80MeV/mg/cm²

9 4/ Résultats des essais Familles Logiques 5V :

10 Famille Logique 3.3V :

11 Résultats des essais TID Paramétrique sur les familles Logiques

12 Interfaces :

13 Résultats des essais TID Paramétrique sur composants d ’Interfaces

14 5/ Conclusion des essais
Dose cumulée: Familles logiques: tenue variable suivant fonction et/ou fabricant. Circuits d ’interface: tenue très variable d ’un fabricant à l ’autre et d ’un type à l ’autre. Latch-up: Familles logiques: Insensibles ou très peu sensibles Circuits d ’interface: Attention tenue très variable d ’un fabricant à l ’autre et d ’une révision à l ’autre. SEU/SET: Familles logiques: Peu ou pas sensible au SEU car peu de points mémoires. Circuits d ’interface:Tous les produits testés se sont avérés sensibles aux transitoires.

15 6/ Rappels sur les difficultés des essais
Dose cumulée: Travail à faible débit de dose pour éviter des phénomènes liés à l ’accélération du dépôt de dose. Test paramétrique le plus complet possible: nécessite testeurs performants. Effets singuliers: Ions lourds: Nécessité d ’ouvrir les composants difficile voire impossible dans certain cas. Les accélérateurs d ’ions lourds et de protons ne sont pas sur Toulouse: Nécessité de se rendre sur les installations avec des testeurs portables . Pour le latch-up le test peut être réalisé alors que le composant est polarisé en statique mais pour les SEU/SET, il est nécessaire d ’activer le composant alors qu ’il est sous faisceau: Système de test élaboré.

16 6/ Rappels sur les difficultés des essais
Représentativité/pérennité: Quel que soit le type d ’essai, en plus du date code, la révision de puce et des informations technologiques sont très utiles. Coût: Faisceau ions lourds ou protons: compter 500 à 700 Euros de l ’heure. (un test varie de 2h à 8 heures suivant complexité et sensibilité du composant) Accès à la source dose cumulée: de l ’ordre de 3000 Euros. Développement d ’un test latch-up simple: de l ’ordre de quelques kEuros. Développement d ’un test Latch-up et SEU ou SET: jusqu ’à 15kEuros suivant complexité. Délai: Compter 1 semaine pour l ’ouverture de composants 2 à 6 semaines pour la mise au point d ’un essai en dose ou SEU/SET L’accès au faisceau ions lourds ou protons se fait à des dates précises 3 à 4 fois par an. Le délai peut atteindre 4 mois (pas de faisceau l ’été car maintenance des accélérateurs ).