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GENERALITE SUR LA PHYSIQUE DES SEMI-CONDUCTEURS
Chapitre I GENERALITE SUR LA PHYSIQUE DES SEMI-CONDUCTEURS
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I. Niveau d’énergie. Bande d’énergie
Si =14 proton valence r3 r2 r1 Noyau
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Représentation d’un réseau cristallin de Silicium
Bande d’énergie Liaison covalente Bande permise Bande interdite Valence Conduction E Représentation d’un réseau cristallin de Silicium
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Différents matériaux Isolant Semi-Conducteurs Conducteurs Intrinsèque
Extrinsèque Type N Type P
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Conducteurs E Conduction Valence
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Isolant BC vide BV totalement occupée E =10 eV
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Semi-conducteurs intrinsèques
Conduction Trou 0.1à 3eV Valence
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P Si P Si A °0K T augmente
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Semi-conducteurs extrinsèques
En ajoutant au semi-conducteur intrinsèque un élément dit dopeur qui joue le rôle d’impureté on obtient un semi-conducteur extrinsèque. conductivité est due essentiellement à cet élément dopeur. Pour dopé le silicium ou le germanium on utilise les éléments trivalents ou pentavalent.
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Semi-conducteur type N Semi-conducteur type P
Si Si majoritaire : Électrons du donneur et du SC intrinsèque ; minoritaire : Trous majoritaires : Trou minoritaires : Électrons.
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III. jonction PN 1. Formation de la jonction PN type N type P
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P N apparition d’un flux de diffusion des électrons libre
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Jonction PN sans champ extérieur
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2. Polarisation de la diode
a. Polarisation direct Création d’un courant directe
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b. Polarisation inverse
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IV. CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES D’UNE DIODE.
Etat passant Vd Id État bloqué Vd Id
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1. Schéma équivalent Diode idéale Diode avec seuil
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Diode avec seuil et résistance
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V. La diode en commutation
Vc=+E, la diode est conductrice RF=Vd/IF Vc = -E, la diode est bloquée, le courant Ir est quasiment nul Rf If Caractéristique reste quasiment constante
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Si la diode est passante calculer le courant qui la traverse.
Exercice: Si la diode est passante calculer le courant qui la traverse. La diode possède une tension seuil Vs = 0.6V et une résistance dynamique nulle. On traitera les deux cas. R1 R2 R3 a) E = 2V R1 = 4 K R2 = 1 K R3 = 200 b) E = 6V R1 = 8 K R2 = 2 K E
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