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RAPPEL MODELE MOS D Mn Modèle CAO larges signaux Mp IDS avec VBS = 0 G
CGD CGS+CGB CBD G D S Mn Mp Modèle CAO larges signaux avec VBS = 0 Transistor OFF : VGS < VTHn Transistor ON en régime saturé : NMOS PMOS
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RAPPEL MODELE MOS Capacités en régime saturé
Modèle CAO petits signaux avec VBS = 0 On se place autour d’un point de polarisation défini par IDS0 (VGS0, VDS0) et on regarde les variations ids du courant global iDS=IDSO+ids pour des variations de vgs et vds des tensions globales vDS= VDSO+vds et vGS= VGSO+vgs
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RAPPEL MODELE MOS gmvgs CGD CGS+CGB CBD G D S gds vgs Mp Mn
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PARAMETES SPICE Paramètres SPICE de la technologie utilisée
KP mA/V2 58 mA/V2 l (VEnLn)-1 avec VEn= 22V/mm (VEpLp)-1 avec VEp= 31V/mm VTH V V Cj fF/mm fF/mm2 Cjsw fF/mm fF/mm mj usi usi mjsw usi usi Fj V V CGB0 = 0.11 fF/mm CGS0 = 0.13 fF/mm CGD0 = 0.13 fF/mm Cox = 4.6 fF/mm2 Paramètres NMOS PMOS Lmin = 0.35 mm et Wmin = 0.5 mm - Toute dimension doit être un multiple de mm
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