Intégration de l’alimentation de la commande rapprochée d’un interrupteur de puissance à potentiel flottant Radoslava Mitova Directeur de thèse: Christian.

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1 Intégration de l’alimentation de la commande rapprochée d’un interrupteur de puissance à potentiel flottant Radoslava Mitova Directeur de thèse: Christian Schaeffer Co-encadrants: Jean-Christophe Crébier Laurent Aubard 27 Octobre 2005

2 « Integrated Drive Module »
INTRODUCTION Optimisation de la gestion de l’énergie Place de plus en plus importante de l’électronique de puissance dans les produits grand public et dans les produits industriels Marché fortement concurrentiel Efforts chez les industriels de réduction de coût et d’augmentation de la densité de puissance Intégration des structures de l’électronique puissance Fonctionnalités ajoutées - commande, protection… Différents types d’intégration monolithique hybride Mini-Profet [INFINEON] « Integrated Drive Module » (IDM) [SEMIPOWER]

3 Organes de gestion, des protections, dV/dt, I, V, T°,CEM
INTRODUCTION Source d’énergie Filtre Commande éloignée rapprochée Isolation galvanique Alimentation Interrupteur CALC Organes de gestion, des protections, dV/dt, I, V, T°,CEM Refroidisseur Charge

4 PLAN DE LA PRESENTATION
INTRODUCTION AUTO-ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT - solutions, principes de fonctionnement, validation expérimentale, rendement 3. CONCEPTION ET REALISATION D’UN MOSFET DE PUISSANCE AVEC LES ELEMENTS DE L’ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE - dimensionnement physique et électrique, validation expérimentale 4. SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET VERTICAL - fonctionnement du JFET vertical, modélisation, résultats expérimentaux 5. CONCLUSIONS ET PERSPECTIVES

5 PLAN DE LA PRESENTATION
INTRODUCTION AUTO-ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT - solutions, principes de fonctionnement, validation expérimentale, rendement 3. CONCEPTION ET REALISATION D’UN MOSFET DE PUISSANCE AVEC LES ELEMENTS DE L’ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE - dimensionnement physique et électrique, validation expérimentale 4. SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET VERTICAL - fonctionnement du JFET vertical, modélisation, résultats expérimentaux 5. CONCLUSIONS ET PERSPECTIVES

6 CAHIER DE CHARGE - Faire appel aux solutions intégrables sur silicium
Compatibilité des filières technologiques des composants Réduire au maximum les étapes technologiques supplémentaires - Éliminer la nécessité d’une alimentation externe de la commande II. L’AUTO-ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT

7 Le transformateur d’impulsion :
L’ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT Le transformateur d’impulsion : Avantages : - Transmission simultanée de l’énergie et des signaux de commande - Haute tension d’isolement (10kV) Inconvénients : Difficilement intégrable Coût Nécessité d’une alimentation externe [COILCRAFT] II. L’AUTO-ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT

8 L’ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT
La pompe à charge : Avantages : - Intégrable pour des faibles et moyennes tensions et pour des faibles valeurs des capacités de stockage Inconvénients : Faible tension de fonctionnement Faible isolation Grand nombre des capacités requises Nécessité d’une alimentation externe II. L’AUTO-ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT

9 L’ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT
Bootstrap : Avantages : Haute tension de fonctionnement (1200V) Une seule alimentation non isolée pour un bras d’onduleur Inconvénients : Fonctionnement impossible en régime statique Nécessité d’une alimentation externe pour la commande - Tension d’alimentation unipolaire II. L’AUTO-ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT

10 Vers l’alimentation de la commande
L’AUTO-ALIMENTATION Le principe de l’auto-alimentation : Prélever de l’énergie aux bornes de l’interrupteur de puissance et alimenter la commande rapprochée avec cette énergie Interrupteur de puissance Vers l’alimentation de la commande REGULATION D C R Commande rapprochée Énergie II. L’AUTO-ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT

11 LA TOPOLOGIE MOSFET/MOSFET
charge décharge maintien MOSFET I Rp P auxiliaire V Cs V DS a Signal de la commande 0V V t VDS GSa MOSFET principal V DZ V OFF ON OFF ON DB D b Commande R G D V rapprochée V DS Z CS C 0V S ON OFF 0V OFF ON OFF ON Avantages : Pas d’alimentation externe de la commande Compatibilité entre les filières technologiques des composants Inconvénients : - Capacité de stockage et la résistance sont difficilement intégrables sur silicium Le fonctionnement en régime statique La branche de polarisation crée des pertes II. L’AUTO-ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT

12 MODELISATION DYNAMIQUE DE L’AUTO-ALIMENTATION
V Diode de roue libre DS Charge 0V I CDGa CGSa CDSa IDSa=f(VGSa) OFF P VZ Rp DC source200V VZ avanlanche Grille MOSFET auxiliaire 0V MOSFET VGSa V VGS principal Vth Z RG D VDB D b Commande Z 0V rapprochée V VCS CS Cs OFF 0V Résultats de simulations sous PSPICE d’un hacheur série avec interrupteur auto-alimenté Formes d’ondes générales Ouverture Ouverture II. L’AUTO-ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT

13 VALIDATION EXPERIMENTALE DE L’AUTO-ALIMENTATION
MOSFET auxiliaire Capacité de stockage VDS=250V CS=22nF Charge Vsource F=30KHz =0.5 MOSFET principal Formes d’ondes générales Ouverture Fermeture II. L’AUTO-ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT

14 RENDEMENT DE L’AUTO-ALIMENTATION
Ouverture Fermeture 2.5A 2A VDS=150V CS=22nF 1.5A F=30KHz 1A =0.5 0.5A Rg=67 0A Commutation à l’ouverture Commutation à la fermeture Somme des pertes dans l’interrupteur principal + l’Interrupteur auxiliaire) 0.33W 0.42W  Interrupteur Commutation à l’ouverture Commutation à la fermeture Principal (alim. ext.) 0.46W 0.26W Le surcoût énergétique de l’auto-alimentation est négligeable II. L’AUTO-ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT

15 CONCLUSION Solution pour l’alimentation de la commande rapprochée d’un interrupteur à potentiel flottant contenant deux MOSFETs. La topologie est entièrement intégrable avec l’interrupteur principal suivant les mêmes étapes technologiques et sans étape supplémentaire. Pas d’alimentation externe pour la commande rapprochée. Le principe de fonctionnement de l’auto-alimentation a été validé par des simulations et avec des composants discrets. La solution MOSFET/MOSFET ne crée que de faibles augmentations de pertes en commutation. Conception d’un composant de puissance intégrant des éléments de l’auto-alimentation avec l’interrupteur principal II. L’AUTO-ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT

16 PLAN DE LA PRESENTATION
INTRODUCTION AUTO-ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT - solutions, principes de fonctionnement, validation expérimentale, rendement 3. CONCEPTION ET REALISATION D’UN MOSFET DE PUISSANCE AVEC LES ELEMENTS DE L’ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE - dimensionnement physique et électrique, validation expérimentale 4. SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET VERTICAL - fonctionnement du JFET vertical, modélisation, résultats expérimentaux 5. CONCLUSIONS ET PERSPECTIVES

17 INTEGRATION DE L’AUTO-ALIMENTATION
Chemins de découpe Périphérie 250µm D p MOSFET auxiliaire Signal de la commande 3mm t MOSFET principal MOS principal D auxiliaire MOS Z D b Commande R G rapprochée C S Source Source Cs + Grille Grille Chemins de découpe Chemins de découpe Al Si02 N+ N+ N+ N+ N+ N+ P P P P P+ P+ P+ P+ P+ P+ N N+ périphérie MOSFET principal Drain MOSFET auxiliaire Diode Db Diode Zener DZ Diode DP périphérie 3mm

18 LA CONCEPTION DU MOSFET
Caractéristiques électriques Électrode de la grille statiques Source dynamiques VBR - Tenue en tension Grille Grille Capacités parasites – Ciss, Crss, Coss RDSON - Résistance à l’état passant Vth - Tension de seuil Source Al Canal JMAX - Densité de courant eSiO2 Si02 Paramètres physiques Paramètres géométriques N+ Xjn N+ N+ P XjP P P+ P P+ e Distance intercellulaire Porte-canal Îlot P+ N - Résistivité () du substrat Épaisseur du substrat (e) N+ - Dopage de la source (N+) Profondeur de la source (Xjn) - Dopages du porte-canal ( P) Profondeur du porte-canal (Xjp) Drain - Type et dopage du polysilicium de la grille - Épaisseur de l’oxyde de grille (eSiO2) Nombre des cellules (S active) - ……………….. Distance Intercellulaire (Lintercell) Périmètre du canal (Z) Dimensions du composant (Surface active) …………. III. LA CONCEPTION DU MOSFET

19 Calibre en tension du MOSFET = 600V
LA TENUE EN TENSION Calibre en tension du MOSFET = 600V Périphérie N= at/cm3 e = 50 µm MOS principal auxiliaire MOS f(VBR) Terminaison de tenue en tension – anneaux de garde Source Tenue en tension Grille I[A] Al Al Si02 Si02 Si02 Si02 Al Si02 Al Al Al Al N+ N+ P P P+ P+ P+ P+ P+ P+ P+ N+ VDS,[V] MOSFET principal Drain périphérie III. LA CONCEPTION DU MOSFET

20 LA TENSION DE SEUIL VTH DU MOSFET
VTH entre 1.5 et 3V Dépend essentiellement de deux paramètres: - le dopage du porte-canal P - l’épaisseur de l’oxyde de la grille eSi02 Contrainte pour l’oxyde de la grille – tenue en tension eSiO2> 100nm Dopage du porte-canal entre et at/cm3 III. LA CONCEPTION DU MOSFET

21 LA TENUE EN TENSION DU PORTE CANAL
Source Grille A Grille Al A Zone de charge d’espace,µm Profondeur du porte-canal E,V.cm-1 Si02 N+ N+ N+ P P WA P+ P EMAX P+ Jonction porte-canal substrat WD N+ A’ VDSVBR A’ Drain XJP =f(EMAX,P, N) NA [at/cm-3] XJP [cm] Profondeur du porte-canal entre 2.5 et 3µm pour une tenue en tension de 600V III. LA CONCEPTION DU MOSFET

22 Variation de la distance intercellulaire
P Lintercell Lcell/2 Nv Drain R v R45° W P+ Rcanal Grille Z N+ Source A surface active du MOSFET constante: Résultats analytiques Simulations SILVACO 20 10 R,[] 20 40 60 80 100 40 80 120 160 Distance intercellulaire,[µm] Variation de la distance intercellulaire Lintercell [µm] Distance intercellulaire de 30, 40 et 50µm III. LA CONCEPTION DU MOSFET

23 CONCEPTION DU LAYOUT MOSFET
Zone active Plots de prise de contact de grille Périphérie 3mm Amenée principale de courant de grille MOS principal auxiliaire MOS Amenée principale de courant de source Al MOS principal SiPoly MOS auxiliaire SiO2 Nv P+ Drain P Plots de prise de contact de source N+ N+ III. LA CONCEPTION DU MOSFET

24 CONCEPTION DU LAYOUT MOSFET
Largeurs des amenées de courant de grille et de la source: JMAX de l’aluminium Nombre des doigts Surface Active Lintecell + Lcell, IMAXMOS LGrille LGrille= 100µm Ldoigt_grille Ldoigt_Source Ldoigt_Source=2100µm LSource=230µm LSource Al SiPoly SiPoly MOS principal MOS auxiliaire SiO2 SiO2 Nv Nv Nv N+ P+ P+ Drain P N+ N+ III. LA CONCEPTION DU MOSFET

25 DIMENSIONNEMENT DE LA JONCTION ENTRE LES MOSFETs
Périphérie 250µm Da MOSFET I P D auxiliaire p Grille Ga Grille Signal de la commande VDS D auxiliaire MOS MOS principal V GSa Sa t MOSFET principal V DZ V DB D G b Commande R G D V rapprochée Z CS C Source S Source S 15V 0V 15V 0V VDS>0V III. LA CONCEPTION DU MOSFET

26 DIMENSIONNEMENT DE LA JONCTION ENTRE LES DEUX MOSFETS
15V 0V 15V 0V VDS= 400V Distribution du champ électrique Distribution du potentiel Grille principale Source auxiliaire Grille auxiliaire Source principale III. LA CONCEPTION DU MOSFET

27 REALISATION TEHCNOLOGIQUE DES COMPOSANTS AU CIME
III. LA CONCEPTION DU MOSFET

28 RESULTATS EXPERIMENTAUX DES COMPOSANTS REALISES
Caractéristiques de sortie IDS[A] VDS[V] Tenue en tension Vth=1.5V IDS[A] IDS[A] VGS[V] VDS= 15V VDS[V] III. LA CONCEPTION DU MOSFET

29 TEST DES COMPOSANTS REALISES
Composant sous test Diode de roue libre Charge Charge I Composant testé P D p VDS=100V V DS a MOSFET V DS auxiliaire Commande éloignée CS=22nF V MOSFET GSa Composant pilote principal V DZ V DB F=20KHz D D b Commande R G Vsource Z V V Commande CS rapprochée DS =0.5 C rapprochée S Commande du composant pilote t Commande rapprochée Commande du composant testé t Commutation du composant testé VC , IAUX et VDS du composant testé Ouverture (VDS,Iaux,VC) III. LA CONCEPTION DU MOSFET

30 TEST DES COMPOSANTS REALISES DANS UN CONVERTISSEUR AC/AC
(thèse B. Nguyen) Convertisseur AC/AC AC switch 1 3 1 2 Ventrée ICh 4 2 2µF AC AC switch 2 Commande rapprochée Circuit de puissance Formes d’ondes aux bornes de deux MOSFETs et deux capacités de stockage Vcharge Icharge*100 VDS2 VC2 VDS3 VC3 III. LA CONCEPTION DU MOSFET

31 CONCLUSION SUR LA CONCEPTION ET LA REALISATION DU MOSFET
Conception du MOSFET pour la fonction de l’auto-alimentation: Dimensionnement des paramètres électriques Dimensionnement de la géométrie de l’interrupteur de puissance contenant des éléments de l’alimentation de la commande rapprochée Réalisation pratique: Validation expérimentale des composants réalisés Test impulsionnel Convertisseur AC/AC III. LA CONCEPTION DU MOSFET

32 PLAN DE LA PRESENTATION
INTRODUCTION AUTO-ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE D’UN INTERRUPTEUR A POTENTIEL FLOTTANT - solutions, principes de fonctionnement, validation expérimentale, rendement 3. CONCEPTION ET REALISATION D’UN MOSFET DE PUISSANCE AVEC LES ELEMENTS DE L’ALIMENTATION DE LA COMMANDE RAPPROCHEE - dimensionnement physique et électrique, validation expérimentale 4. SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET VERTICAL - fonctionnement du JFET vertical, modélisation, résultats expérimentaux 5. CONCLUSIONS ET PERSPECTIVES

33 LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET
Commande raprochée D b S G C Interrupteur principal (MOSFET) auxiliaire JFET D Z b C S Signal de la commande t Commande rapprochée p R G MOSFET auxiliaire principal VGS0 < 0 VGS1 < -VP V GS VDS V Db OFF V C 0V ON VDS > 0 Seuils de pincement à VDS= 400V VGS= -15V IDS Avantages : - Compatibilité de filière technologique entre le JFET & le MOSFET principal - Un seul composant pour assurer la régulation VGS=0V VGS0<0V VDS VGS= -VP Caractéristiques électriques de sortie du type penthode d’un JFET IV. LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET

34 INTEGRATION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET
Périphérie 3mm Commande raprochée D b S G C Interrupteur principal (MOSFET) auxiliaire JFET MOS principal JFET Source Source + Grille Cs Grille Al Si02 N+ N+ N+ N+ P P P P+ P P+ P+ P+ Canal Source du JFET Source Porte-canal Court-circuit de la source N Grille du JFET N+ MOSFET principal Diode Db Drain JFET IV. LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET

35 LE JFET VERTICAL VGS=0V VGS<0V 2a  1µm VDS1 > 0 VDS2> VDS1
Lsource > 2 µm Grille VGS=0V VGS<0V Source Caractéristiques électriques de sortie du type triode d’un JFET Résultats de simulation du JFET vertical N+ P P IDS VDS L VGS2<VGS1 N VGS=0 VGS1<VGS 2a  1µm L’équipotentielle 0V L’équipotentielle 0V VP1 VP2 N + Seuils de pincement VDS1 > 0 Drain VDS= 400V VGS= -15V Caractéristiques électriques de sortie du type triode d’un JFET VDS2> VDS1 LES MODELES EXISTANTS DE JFET VERTICAL NE SONT PAS ADAPTES A CETTE STRUCTURE DE JFET AVEC DES REGIONS DE GRILLES DIFFUSEES La largeur de la source modifie le seuil de pincement du JFET et la tenue en tension de la jonction grille - source Modèle qui donne les seuils de pincement en fonction de la géométrie du JFET ! IV. LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET

36 MODELE PSEUDO-ANALYTIQUE DU JFET VERTICAL
Cartographie du potentiel pour un seuil de pincement à VGS=-9V et VDS=108V L’équipotentielle 0V Grille Source N+ L P P P Jonction grille-substrat N N + Drain La cartographie du potentiel est la même pour les différents seuils de pincement La position de l’équipotentielle 0V au pincement est la même pour les différents couples VGS - VDS IV. LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET

37 MODELE PSEUDO-ANALYTIQUE DU JFET VERTICAL
Simulation SILVACO L’équipotentielle 0V VG<0 Canal du JFET L’emplacement de l’équipotentielle 0V au pincement Grille Source VG=0 E(V.cm-1) VGD P- EMAX WA VG x VD WD VGD N WD et WA N+ x Drain VD=0 VD>0 Les couples VGS-VDS pour des différents seuils de pincement IV. LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET

38 MODELE PSEUDO-ANALYTIQUE DU JFET VERTICAL
Comparaison entre le modèle analytique et la simulation pour un canal de largeur 2µm Comparaison entre le modèle analytique et la simulation pour un canal de largeur 1.5µm Lsource = 4µm Avantage : Prise en compte des effets bidimensionnels Source Grille Grille Inconvénient : - Nécessité d’une simulation à éléments finis canal = 1µm IV. LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET

39 SIMULATION DE L’AUTO-ALIMENTATION
Formes d’ondes générales de VDS et VCS Recharge de la capacité CS Pincement du JFET VDS/20 VDS/20 VCS JFET D VCS G V S GS VDb D b VDS ICS IC Rg VC CS Topologie simulée avec le logiciel SILVACO IV. LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET

40 CONCEPTION DU LAYOUT DU JFET
Grille Source Grille Source Al SiPoly MOS principal JFET SiO2 Nv P+ Drain P N+ IV. LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET N+

41 CONCEPTION DU LAYOUT DU JFET
Grille Source LN+ Grille Source Al SiPoly SiO2 MOS principal MOS auxiliaire Nv P+ N+ P N+ IV. LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET N+

42 CONCEPTION DU LAYOUT DU JFET
Surface de contact pour la source LN+ RN+ eN+ LN+= 72µm Source DN+ Lcanal Rcanal eN+ R45° R canal Canal R Rsubstrat 45° Al N SiPoly R substrat SiO2 Nv P+ Drain P Pas=36µm N+ N+ IV. LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET

43 REALISATION DU JFET VERTICAL
JFET réalisé Zone active du MOSFET pricipal Zone active du JFET Ouverture contact de la source Canal Grille Grille du JFET Source du MOSFET principal Périphérie IV. LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET

44 RESULTATS DE MESURE DES JFET REALISES
Résultats de mesure pour les seuils de pincements des JFETs réalisés Résultats de mesure d’un JFET IDS,[A] VDS,[V] VGS[A] VDS[V] IV. LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET

45 CONCLUSION SUR LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION
AVEC UN JFET VERTICAL Les caractéristiques électriques de sortie (triode ou pentode) du JFET vertical sont très dépendantes de ses formes géométriques. Les modèles analytiques ne prennent pas en compte le profil diffusé des régions de grille ni l’influence du caisson de source : - ils ne sont pas adaptés à notre structure. Un modèle pseudo-analytique couplé avec une simulation à éléments finis a été développé. Un JFET vertical a été dimensionné et réalisé pour l’auto-alimentation. Des résultats expérimentaux ont été présentés. La conception et la réalisation du JFET est délicate. IV. LA SOLUTION DE L’AUTO-ALIMENTATION AVEC UN JFET

46 CONSLUSION GENERALE Deux topologies d’auto-alimentation de la commande rapprochée ont été présentées: - MOSFET/JFET - MOSFET/MOSFET Leurs principes de fonctionnement ont été validés par des simulations et des réalisations pratiques Un dimensionnement et une réalisation d’un interrupteur de puissance (MOSFET) avec des éléments des deux topologies d’auto-alimentation ont été faits Les composants réalisés de la topologie MOSFET/MOSFET ont été testés et validés dans des convertisseurs Les résultats expérimentaux de JFET réalisés montrent que leur réalisation est plus délicate et rends cette solution plus difficile à mettre en œuvre

47 PERSPECTIVES Réflexions sur une topologie permettant le fonctionnement en statique. Pour la structure MOSFET/MOSFET : - Réaliser l’intégration monolithique des autres éléments de la topologie (Thèse Nicolas Rouger). Pour la structure MOSFET/JFET : - Mise en oeuvre des composants réalisés. - Étudier la topologie en remplaçant le JFET par un MOSFET à appauvrissement (en coopération avec le LAAS). Étudier la faisabilité et la réalisation d’une intégration de la commande rapprochée au sein de la même puce que l’interrupteur de puissance ( Thèse Binh Nguyen). Autre solution intégrable monolithiquement afin d’éliminer l’opto-coupleur ( transmission capacitive, émetteur RF…).

48 FIN Merci pour votre attention FIN