Contact : llopis@laas.fr Activité Optoélectronique dans le groupe « Composants et Intégration de Systèmes Hyperfréquences pour les Télécommunications »

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1 Contact : llopis@laas.fr
Activité Optoélectronique dans le groupe « Composants et Intégration de Systèmes Hyperfréquences pour les Télécommunications » du LAAS-CNRS, Toulouse G. Quadri doctorant, H. Martinez post-doctorant, O. Llopis CR A. Rennane doctorant, L. Bary ingénieur Contact : Projet 1 : Modélisation de photo transistors Photo oscillateurs Projet 2 : Distribution optique de signaux de référence de fréquence

2 Projet 1 Photo TBH InP (1,55 µm) HEMT InP (1,55 µm)
Photo TBH SiGe (0,85 µm) I(V) - Paramètres S Modélisation petit et fort signal en fonction de l’éclairement Modélisation en bruit

3 But : conserver le faible bruit de phase de la référence
Projet 2 Distribution optique de signaux de référence de fréquence dans un satellite de télécommunications But : conserver le faible bruit de phase de la référence 1) Étude du récepteur : Étude de différentes configurations : Photodiode + amplificateur Photodiode + amplificateur+filtre Photo oscillateur Fréquences concernées: 10 MHz, 800 MHz, bande C 2) Étude du laser : Collaboration: SupAero (GREMO) + Groupe Photonique LAAS Soutiens financiers : Alcatel Space Ind., Toulouse, Région Midi Pyrénées

4 Exemple de résultat pour une application à la transmission des signaux d’OUS à 10 MHz
Liaison optique avec amplificateur Liaison optique avec amplificateur et filtre à quartz Liaison optique avec amplificateur, filtre à quartz et oscillateur

5 Contact : bardinal@laas.fr
Travaux menés au LAAS sur les VCSELs groupe Photonique C. Bringer doctorante, V. Bardinal CR, T. Camps MDC, C. Fontaine DR Contact : Epitaxie de la structure verticale (MBE/EJM) : Optimisation du gain des puits de la zone active Minimisation de la Résistivité des DBRs Contrôle des épaisseurs des couches Métal Polymère Diaphragme d’oxyde 3 puits quantiques GaAs / GaAlAs 6nm Réflecteur de Bragg n+ 30.5 periodes Bragg p+ 20 périodes Substrat n+ Exemple : VCSEL pour l’émission à 840nm sur substrat GaAs avec diaphragme d’oxyde enterré Fabrication technologique du composant : Confinement latéral du courant d’injection Plusieurs géométries possibles

6 Résultats obtenus sur les VCSELs AlOx : courant de seuil et comportement spectral
Faible taille de zones d’émission : Vue de dessus Faibles seuils 2 0.0 0.2 0.4 0.6 I seuil = 250µA Puissance optique (mW) Courant (mA) 4µm-continu Monomode transverse 837.0 837.5 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 Intensité (u.a.) Longueur d'onde (nm)

7 Cavités couplées pour la génération THz
ACI Photonique LAAS, CEM2-Montpellier, LAHC-Chambéry