1 Mesures détalement Mesures détalement par SiProt avec TimePix CEA Saclay Réunion RESIST 3 novembre 2008 David ATTIÉ

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1 1 Mesures détalement Mesures détalement par SiProt avec TimePix CEA Saclay Réunion RESIST 3 novembre 2008 David ATTIÉ

2 David.Attie@cea.frRéunion RESIST, Saclay – 3 novembre 20082 Introduction Puce + Siprot + Micromegas/Ingrid Puce TimePix SiProt Pilier aSi:H, Si 3 N 4

3 David.Attie@cea.frRéunion RESIST, Saclay – 3 novembre 20083 TimePix + InGrid 55 m Pixel 11 2233 44 55 55 μ m μ m 20 μm de a-Si:H

4 David.Attie@cea.frRéunion RESIST, Saclay – 3 novembre 20084 Micro TPC à base de puce TimePix Cage de champ Capot Micromegas puce de lecture Medipix2/TimePix Fenêtre pour sources X Fenêtre pour source Schéma :

5 David.Attie@cea.frRéunion RESIST, Saclay – 3 novembre 20085 Micro-TPC TimePix/Micromegas + 20 μm Puce TimePix + 20 μm SiProt + Micromegas 90 Sr source Ar He Mode Temps z ~ 40 mm V mesh = -340 V t shutter = 180 μs

6 David.Attie@cea.frRéunion RESIST, Saclay – 3 novembre 20086 TimePix + 20 μm SiProt + Micromegas Ar/Iso (95:5)

7 David.Attie@cea.frRéunion RESIST, Saclay – 3 novembre 20087 TimePix + 20 μm SiProt + Micromegas Ar/Iso (95:5) 1

8 David.Attie@cea.frRéunion RESIST, Saclay – 3 novembre 20088 TimePix + 20 μm SiProt + Micromegas 1 320 ns

9 David.Attie@cea.frRéunion RESIST, Saclay – 3 novembre 20089 TimePix + 20 μm SiProt + Micromegas 1

10 David.Attie@cea.frRéunion RESIST, Saclay – 3 novembre 200810 TimePix + SiProt 15 μm + InGrid Ar/Iso (95:5) 2 150 ns

11 David.Attie@cea.frRéunion RESIST, Saclay – 3 novembre 200811 TimePix + SiProt 15 μm + InGrid Ar/Iso (95:5) 2

12 David.Attie@cea.frRéunion RESIST, Saclay – 3 novembre 200812 TimePix + 20 μm SiProt + Micromegas 2 50 ns

13 David.Attie@cea.frRéunion RESIST, Saclay – 3 novembre 200813 Silicon Nitride Si 3 N 4 Utilisé habituellement comme couche ahti-scratch sur les CMOS Si-RichN, lexcès de Si donne une couche résistive Déposé PECVD à T < 300 °C 7 μm Si 3 N 4

14 David.Attie@cea.frRéunion RESIST, Saclay – 3 novembre 200814 TimePix + 7 μm Si 3 N 4 + InGrid

15 David.Attie@cea.frRéunion RESIST, Saclay – 3 novembre 200815 TimePix + 7 μm Si 3 N 4 + InGrid