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La Plate-forme Caractérisation du LAAS-CNRS
Electrique Hyperfréquences Optique Microsystèmes
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La caractérisation aujourd’hui
Electrique Hyper-fréquences Optique Micro-systèmes Surface 160 m² 210 m² 230 m² Types de mesures Tests paramétriques Mesure d’impédance Caractérisation de substrats et composants discrets Mesure de bruit Mesure param. S Test de fiabilité de commutateurs MEMS Mesures DC : impulsion, continu et analyse impédance basse fréquence) Mesures hyper-opto Une zone d’assemblage Tests paramétriques (puissance, V(I)) Caractérisation composants Spectroscopie Réflectivité Photoluminescence Diffraction Caractérisation mécanique Microsystèmes pour la chimie et la biologie Systèmes de dépôts Caractérisations spécifiques Budget Fonction. (06-07) 220 k€ hors achat d’équipement Équipement Plusieurs millions d’euros Personnel 6 ingénieurs et techniciens en support ‘IG’ 150 utilisateurs (chercheurs, doctorants, extérieurs)
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Quelques exemples… électriques
Mesures I(V) sous pointes: Max 10A ou 1kV Mesures sous pointes I(V) de composants en boitier : -75°C < T < +225°C Microscope à force atomique Thermographie Infra-Rouge : Tmax:1400°C Résolution: 10µm, Sens: 12mK, Fmax: 22kHz Caractérisation électrique Caractérisation physique Profilomètre optique : résolution : 1µm en X,Y et 1nm en Z
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Quelques exemples…hyperfréquences
1 mm Fiabilité de commutateurs micro-usinés l w Caméra IR
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Quelques exemples…optiques
Photoluminescence UV et gain Diodes Laser Guidage Photoluminescence Basse température Test de microsystème optique pour application médicale
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Quelques exemples…microsystèmes
Matrice de micro-éjecteurs (MIS) Micro-leviers (Nano) Ion Sensitive Field Effect Transistor (M2D) Micro-miroirs (MIS) Matrice de membranes (Nano) Capteur de gaz (M2D)
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