C. Les électrons dans les molécules & les cristaux

Présentation au sujet: "C. Les électrons dans les molécules & les cristaux"— Transcription de la présentation:

1 C. Les électrons dans les molécules & les cristaux
1. Rappel : structure électronique de l’atome isolé Prenons le silicium Si : Structure : K2 L8 M4

2 Eg K2 L6 M4 Niveaux supérieurs K2 L8 M4 E E M4 M4 énergie du gap L8 L8
3. Diagramme énergétique de 2 atomes de silicium : cas de Si2 K2 L6 M4 Niveaux supérieurs K2 L8 M4 E E M4 M4 Eg énergie du gap L8 L8 électrons K2 K2 Niveaux de valence électrons Niveaux bas internes Pour la suite, on « oubliera » les niveaux internes, rarement utiles

3 Niveaux supérieurs = Conduction
4. Diagramme énergétique de N atomes de silicium : le cristal Système de N orbitales qui se recouvrent Si N grand, les niveaux deviennent indiscernables Formation de bandes Niveaux supérieurs = Conduction Conduction Ec Eg Eg Ev avec N grand gap électrons Niveaux bas = Valence Valence On a vu que le Si contient atomes.cm-3 (cristallo). Si on suppose qu’il y a env. 5 niveaux par atome et si la largeur de la bande fait 5 eV, cela fait 5/ = eV d’écart : impossible à séparer !

4 Niveau de Fermi Matériau isolant Matériau semicon. Dopé : Eg < 2 eV
5. Gap dans les matériaux : conducteur, isolant, semiconducteur a. Les différents matériaux Chaque matériau cristallin possède un caractéristique propre : le niveau de Fermi. C’est l’énergie max. des électrons à 0 K BC Niveau de Fermi BC gap élevé (isolant) (> 5 eV) Bande de conduction gap faible (semi-conducteur) BV Bande de valence BV gap nul (conducteur) Matériau isolant Matériau semicon. Dopé : Eg < 2 eV Non dopé : Eg > 3 eV Métal

5 Niveau de Fermi Matériau semicon. Matériau isolant Dopé : E < 2 eV
BC Niveau de Fermi BC gap élevé (isolant) (> 5 eV) Bande de conduction gap faible (semi-conducteur) BV Bande de valence BV gap nul (conducteur) Matériau semicon. Dopé : E < 2 eV Non dopé : E > 3 eV Matériau isolant Métal Cas métal : tjrs conducteur (électrons dans la BC) Cas isolant : gap > 5 eV. On considère qu’il faut un gap > 200 kTambiante pour bloquer Exemples : diamant, Eg = 5,47 eV ; SiO2, Eg = 9 eV Si, Eg = 1,12 eV ; Ge, Eg = 0,66 eV

6 Petit rappel sur les ordres de grandeurs
BV BC gap h  Les gap des métaux : eV semicons : < 3 eV isolants : > 5 eV kT Energie thermique E = ½ kT kTambiante = 1, x 298 = 4, J = 0,026 eV Energie radiative E = h = hc /  h = 6, J.s  = Hertz, soit 620 nm pour E = 2 eV