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Travail sur machine de la dernière fois Pas mal dans l’ensemble. Pour deux groupes, des résultats que je ne retrouve pas. Comparaison métal / semi-conducteur / isolant : le nb de porteurs dépend fortement de T dans un semi- conducteur, quasiment pas dans un métal (OK) il y a typiquement 10 10 fois plus de porteurs dans un métal de dans un semi conducteur, et 10 10 fois plus de porteurs dans un semi conducteur que dans un isolant. Pensez à récupérer vos fiches !
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cedba BV BC EcEc EdEd EvEv T Dopage n Un électron de la BC vient soit du dopant soit de la BV. Nbre d’e - BC = nbre de trous état du dopant + nbre de trous BV edba BV BC c EcEc EaEa EvEv T Dopage p Un e- qui quitte la BV va soit sur un dopant, soit dans la BC Nbre de trous BV = Nbre d’e - état du dopant + nbre d’e - BV Charges mobiles = trous de la BV + électrons de la BC ionisationextrinsèqueintrinsèque ionisationextrinsèqueintrinsèque
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Définition du dopage Définition du ½ conducteur Le programme sait calculer le niveau de Fermi qui vérifie nbre d’électrons (fixes ou mobiles) = nombres de trous (fixes ou mobiles)
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