Objectif d’un PFN A partir d’une tension continue, réaliser un créneau de tension de même niveau, de durée maîtrisée et d’impédance adaptée PFN Association.

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1 Objectif d’un PFN A partir d’une tension continue, réaliser un créneau de tension de même niveau, de durée maîtrisée et d’impédance adaptée PFN Association de composants jouant un rôle de ligne L’exemple de la ligne de mise en forme (PFN pulse forming network)

2 Montages typiques Par l’étude du circuit RLC on sait qu’une capacité associée à une inductance présente : un délai à la charge ou à la décharge complètes quantifiée par T= 2  /  = 2   (LC) et une impédance Z =  (L/C) L’association de capacités en parallèles distribuées dans une ligne coaxiale présente des apsects similaires. Peut-on réaliser une ‘ligne’ avec des composants discrets ?

3 Z ohm L(nH) \ C(nF)0,10,51251020501003001000 1010,04,53,22,21,41,00,70,40,30,20,1 2014,16,34,53,22,01,41,00,60,40,30,1 5022,410,07,15,03,22,21,61,00,70,40,2 10031,614,110,07,14,53,22,21,41,00,5770,3 20044,720,014,110,06,34,53,22,01,40,80,4 50070,731,622,415,810,07,15,03,22,21,30,7 1000100,044,731,622,414,110,07,14,53,21,81,0 tau ns/étage L(nH) \ C(nF)0,10,51251020501003001000 1012347 14223255100 201346101420324577141 50257101622325071122224 10037101422324571100173316 2004101420324563100141245447 50071622325071100158224387707 100010223245711001412243165481000 Impédance itérative et retard par étage pour un PFN

4 PFN à 1 étage (!) fermé sur R=Z C= 300nF L=100nH  =  (LC)  T =  = 173 ns Z =  (L/C) = 0,577 ohm

5 PFN à 1 étage fermé sur R=Z

6 PFN à 6 étages fermé sur R=Z C= 300nF L=100nH  =  (LC) =173 ns  T = 6  = 1039 ns Z =  (L/C) = 0,577 ohm

7 PFN à 6 étages fermé sur R=Z

8 PFN à 12 étages fermé sur R=Z C= 300nF L=100nH  =  (LC) =173 ns  T = 12  = 2078 ns Z =  (L/C) = 0,577 ohm

9 PFN à 12 étages fermé sur R=Z

10 PFN à 12 étages fermé sur R=Z/10 On note la réflexion quasi totale sur la sortie. Le premier palier est bien décrit.

11 PFN à 12 étages fermé sur R=10Z

12 PFN à 12 étages fermé sur R=100Z Le comportement est celui d’une décharge RC avec la capacité équivalente nC la contribution des self-inductances est peu visible. R=57,7 ohm C 12 = 3600 nF RC 12 = 208 µs