ACTIVITÉs Silicium IPNO

Présentation au sujet: "ACTIVITÉs Silicium IPNO"— Transcription de la présentation:

1 ACTIVITÉs Silicium IPNO 2013 - 2014
Ana Torrento Réseau semiconducteurs – 21 octobre 2014

2 PrÉsentation Laboratoire Silicium
Ana Torrento (IR responsable), Valérie Le Ven (AI) Fabrication et tests de détecteurs (IPNO, TP, extérieur): barrière de surface, localisation et SiLi sources (alpha, beta et gamma), électronique Support technique pour les expériences Interface pour l’intégration mécanique et électronique Interface industriels (achat de Si multipistes) Conseil aux utilisateurs de détecteurs Si

3 Labo Si - fabrication Expérience en la fabrication de
Barrière de surface Expérience en la fabrication de Détecteur silicium à barrière de surface Détecteur silicium à localisation (1D / 2D) Détecteur silicium compensé au Lithium SiLi Localisation 2D SiLi : épaisseur jusqu’à 6 mm, surface active n’importe quelle taille ou géométrie (Canberra est limité à 2000 mm2 circulaire)

4 Labo Si - fabrication Techniques
IPNO : découpe, rodage, évaporation contacts, bonding à la pâte d’argent CSNSM (IRMA) : implantation de couche résistive (Bore, Phosphore) IEF : découpe Évaporateur Polisseuse Scie diamantée

5 Labo Si - fabrication Ana Torrento (10%), Valérie Le Ven (30%)
Activités 2014 Test/mise au point des détecteurs pour le Split-pole et Bacchus. Fabrication de 2 SiLi pour le CENBG En formation à l’IEF pour bonding à ultrasons Activités 2015 Formation à l’IEF en lithographie pour faire des électrodes avec géométrie plus complexe

6 Labo Si – Projet cnes Détecteur à localisation 2D pour le CNES
Utilisation : moniteur de faisceau portatif lors des tests de composants électroniques et matériaux Si X-Y à couche résistive d = 800 µm, Sact = 17 × 22 mm2 VSi = 300 V (inverse), ISi ~ 6 µA Fabriqués à l’IPNO en 2007 (implantations IRMA - CSNSM) Préamplificateurs dédiés développés au service électronique Faisceaux: protons MeV, ions lourds 10 MeV/nucleon ((cyclotron UCL Belgique (756 MeV Kr) et cyclotron RADEF Finlande (1.22 GeV 131Xe)) Etot = Qtot * 3.6 V = QYA + QYB = QXC+ QXD PosX = QXC/(QXC+ QXD) PosY = QYA/(QYA + QYB)

7 Labo Si – Projet cnes Personnes impliqués:
Marin Chabot (chercheur responsable) Service détecteurs: Bernard Genolini (20%), Valérie Le Ven (30%), Ana Torrento (30%), Julien Bettane (20%) + Jean-Baptiste Le Pré (stagiaire pendant 6 mois) Service Électronique: Emmanuel Rauly (30%), Jean-Jacques Dormard (30%) Activités 2013 Test fonctionnel des diodes et préamplificateurs avec générateur des signaux et source alpha (acquisition MAESTRO) Étude du principe de mesure pour équipement portatif : utilisation d’un oscilloscope pour numériser les signaux Activités 2014 Validation du principe de mesure en faisceau (TANDEM) Construction et test du module portatif Activités 2015 : test final du module portatif en faisceau (TANDEM)

8 Labo Si – Projet cnes Mesures en faisceau mai 2014
Masque en bakélite Ø1mm, δ = 3.8 mm Énergie X Énergie Y Masque du détecteur en bakélite : 1 mm de diamètre, espacement de 3.8 mm. Une rangé et une colonne de trous recouvrent les électrodes. Faisceaux primaires : proton 7, 9 MeV; C 85, 60, 38 MeV; Cl 102, 125 MeV; Ni 92 MeV; Co 90 MeV. Résolution en énergie 400 LET 10 MeV/(mg/cm2) Résolution en position < 0.25 mm (ions lourds E > 30 MeV) ~1 mm (protons E = 5 MeV) Position XY

9 Labo Si – Projet cnes construction du module portatif
Étude mécanique dédié (stage de JB Le Pré) Circuits HT et BT Diode XY Préamplificateur

10 Labo Si – telescope compton
Détecteur Si multipiste double face (DSSD) Développement d’une nouvelle mission gamma pour préparer la succession du satellite INTEGRAL : large bande spectrale 0.1 – 100 MeV DSSD, 32 pistes par face, pitch 2 mm d = 1.5 mm, Sact = 64 × 64 mm2 VSi = 320 V (inverse), ISi ~ 1.5 µA Acheté chez Micron Semiconductor Utilisation des préamplificateurs PACI et d’un PCB de lecture dédié fait par le service électronique DSSD : Capacitance/strip 20 pF typical Total Alpha resolution (Junction) 55 kEV FWHM Total Alpha Resolution (Ohmic): 70 kEV FWHM

11 Labo Si – telescope compton
Personnes impliqués: Nicolas de Sereville (chercheur responsable) Service détecteurs : Valérie Le Ven (30%), Ana Torrento (30%) Service Électronique : Emmanuel Rauly (30%), Jean-Jacques Dormard (30%) Activités 2013 : Tests avec source 207Bi (g 481 keV) et 241Am (g 60 keV) à 15°C Résolution face P = 8 keV, face N = keV Seuil ~11 keV Achat d’un nouveau détecteur (sans kapton) 241Am 207Bi

12 Labo Si – telescope compton
Activités 2014 Tests pour étudier l’évolution du bruit et de la résolution en énergie avec la température Faits en enceinte climatique avec générateur et sources 207Bi, 241Am et 133Ba Tests et analyse en cours Activités 2015 : Test du prototype sans kapton, avec PCB dédie incluant des asic VA32TA7, qui intègrent 32 voies complètes d’électronique de traitement de signaux détecteurs. Achat du détecteur final (sans connecteur, bonding directe au PCB) VA32TA7 sont fabriqués par l’entreprise norvégienne Ideas. L’asic inclut le préamplificateur, le shaper et le ADC, pas utilisé pour l’instant dans le PCB que l’on a développé.