Détecteurs semi-conducteur Activités récentes CPPM
3 thématiques "détecteurs" Réunion réseau semi-conducteurs LPNHE, 21/10/2014 HV CMOS Détecteurs CdTe pour imagerie X Caractérisation de détecteurs IR Et aussi B-layer ATLAS (méca)
HV CMOS (dans le cadre d'Atlas) Réunion réseau semi-conducteurs LPNHE, 21/10/2014 "Nouvelle technique" pour des trackers : Cela ressemble au CMOS pour la détection mais C'est en partie déplété : Signal rapide A priori résistant aux radiations (tests jusqu'à 800 MRad) Cela resterait un hybride Mais pourrait-être hybridé à moindre coût sur un circuit de lecture (collage) Pas mal d'avantages / actuels pixels hybrides Pixels plus petits, moins de matière, moindre coût, applicable pour ministrips Mais aussi pas mal de R&D: Sur la résistance aux radiations (bon résultats de HVFEI4p2) Sur l'efficacité de détection et la résolution spatiale test beam Pour optimiser la géométrie et l'architecture simulation à la limite entre le détecteur et l'électronique
Pixels CdTe pour l'imagerie X (collaboration ESRF/Soleil) Réunion réseau semi-conducteurs LPNHE, 21/10/2014 Adaptation de détecteurs CdTe (Schottky h) sur des circuits de lecture existant (XPAD3.2) Efficacité de détection/ Silicium Réalisation d'un détecteur de "grande" dimension (80x 80 mm) par mise cote à cote de circuits individuels C'est essentiellement un projet d'intégration avec des points durs Fragilité du CdTe Connection à la polarisation du détecteur Précision de positionnement
Caractérisation et intégration des détecteurs IR (expérience Euclid) Réunion réseau semi-conducteurs LPNHE, 21/10/2014 Détecteurs et électronique "quasi- existants" Modifs sur électronique de lecture et longueur d'onde Packaging Ambitieux Technos nouvelles au CPPM (cryogénie, IR, Spatial) Précision de mesure (de l'ordre du % par pixel) En collaboration avec l'IPNL et l'APC