COURS D’ELECTRONIQUE 01 www. magoe.net CM: 10h; TD: 15h; TP: 20h M. Mazoughou Goépogui massaleidamagoe2014@gmail.com 669 35 43 10 / 655 34 42 38 / 624 05 56 40

IV. Transistors biplolaires SOMMAIRE I. Généralité II. Semi-conducteurs III. Diodes IV. Transistors biplolaires V. TEC VI. AOP

I. Généralité 3. Représentation des grandeurs 1. Définition 2. Domaines d’application 3. Représentation des grandeurs

I. Généralité Objectifs Connaitre les différentes applications Maitriser les conceptes de base Connaître les composants Connaitre les critères de choix Connaitre les différentes applications Pouvoir concevoir

1. Généralité

1. Généralité 1.1. Définition La commission de l'électrotechnique internationale (CEI) définit l'électronique comme : La partie de la science et de la technique qui étudie les phénomènes de conduction dans le vide, les gaz ou les semi-conducteurs et qui utilise les dispositifs basés sur ces phénomènes.

1. Généralité 1.1. Définition Par extension, nous pouvons dire que l'électronique est l'ensemble des techniques qui utilisent des signaux électriques pour capter, transmettre et exploiter une information.

1. Généralité Information Une grandeur électrique (tension ou courant) transportant un flux d’énergie succeptible d’être interprété par un circuit électronique spécial

1. Généralité 1.2. Domaines d’application

1. Généralité 1.3. Représentation des grandeurs

II. Théorie des semi-conducteurs

II. Théorie des semi-conducteurs II.1. Structure de la matière. Les atomes sont des particules de base constituées d'un noyau autour duquel gravitent des électrons. On distingue: les liaisons convalentes et les liaisons métalliques

II. Théorie des semi-conducteurs

II. Théorie des semi-conducteurs Les liaisons covalentes. Les atomes se lient entre eux en mettant en commun des électrons célibataires de la couche périphérique (électrons de valence).

II. Théorie des semi-conducteurs Les liaisons métalliques. Dans ce cas de liaison, ce ne sont pas deux atomes qui mettent en commun un ou plusieurs électrons pour se lier ; un grand nombre d'atomes mettent en commun des électrons célibataires.

II. Théorie des semi-conducteurs II.2. La conduction électrique. Lorsqu'on applique un champ électrique extérieur sur un matériau, il y a conduction s’il y a circulation d'un courant électrique dans le matériau. Ce courant est dû au déplacement de charges électriques dans le matériau.

II. Théorie des semi-conducteurs II.2. La conduction électrique.

II. Théorie des semi-conducteurs II.3. Les semi-conducteurs. II.3.1. Semi-conducteurs intrinsèques. Un semi-conducteur est constitué par un réseau cristallin de matériau très pur.

II. Théorie des semi-conducteurs II.3. Les semi-conducteurs. II.3.1. Semi-conducteurs intrinsèques.

II. Théorie des semi-conducteurs II.3. Les semi-conducteurs. II.3.1. Semi-conducteurs intrinsèques. on y rajoute des impuretés pour modifier leur comportement. Il existe deux types de semi-conducteurs extrinsèques.

II. Théorie des semi-conducteurs II.3.2.1. Le semi-conducteur de type P. On dope le cristal intrinsèque avec un élément possédant un nombre inférieur d'électrons de valence

II. Théorie des semi-conducteurs

II. Théorie des semi-conducteurs II.3.2.2. Le semi-conducteur de type N. Le principe est le même que pour le semi-conducteur de type P, sauf qu'on dope le cristal avec des éléments ayant un électron de valence de plus (atomes donneurs)

III. LA DIODE

III. La diode

III. La diode III.2. La jonction PN. On appelle jonction la juxtaposition de deux éléments de semi-conducteur dont l'un est de type N et l'autre de type P. Le plus souvent on retrouvera le silicium et le germanium pour la fabrication de jonction.

III. La diode

III. La diode III.2.3. Polarisation de la jonction PN.

III. La diode III.2.3. Polarisation de la jonction PN.

III. La diode III.3. Caractéristique électrique

III. La diode III.4. Diode de redressement.

III. La diode III.4.2. Paramètres essentiels.

III. La diode III.4.2. Paramètres essentiels.

III. La diode III.4.3. Redressement

III. La diode III.4.3. Redressement

III. La diode III.4.3. Redressement

III. La diode III.4.3. Redressement

III. La diode III.4.3. Redressement

III. La diode III.4.4. Filtrage

III. La diode III.4.4. Filtrage

III. La diode III.4. Diode Zener.

III. La diode III.5. Diode Electro-Luminescente (DEL).

III. La diode III.5. Diode Electro-Luminescente (DEL).

III. La diode III.5. Autres diodes

IV. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

IV. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

IV. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE IV.1. Structure d’un transistor bipolaire.

IV. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE IV.1. Structure d’un transistor bipolaire.

IV. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE IV.2. Caractéristiques électriques. a. Montage de base

IV. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE IV.2. Caractéristiques électriques. b. Caractéristique d'entrée

IV. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE IV.2. Caractéristiques électriques. b. Caractéristique de transfert

IV. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE IV.2. Caractéristiques électriques. b. Caractéristique de sortie

IV. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE Caractéristiques électriques.

IV. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE IV.3. Montages de base a) Schéma équivalent du transistor en petits signaux.

IV. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE IV.3. Montages de base a) Montage émetteur commun

IV. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE IV.3. Montages de base Montage émetteur commun

IV. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE IV.3. Montages de base b) Montage collecteur commun

IV. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE IV.3. Montages de base c) Montage base commune

V. LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP

V. LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP V.1. JFET (Junction Field Effet Transistor)

V. LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP V.1. JFET (Junction Field Effet Transistor) a) Caractéristiques

V. LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP V.1. JFET (Junction Field Effet Transistor) a) Schéma équivalent

V. LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP V.1. JFET (Junction Field Effet Transistor) a) Montage source commune

V. LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP V.2. MOSFET (Métal Oxyde Silicium Field Effet Transistor)

V. LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP V.3. MOSFET (Métal Oxyde Silicium Field Effet Transistor)

V. LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP V.3. MOSFET à enrichissement

V. LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP V.3. MOSFET à enrichissement a) Caractéristiques

VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS.

VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS. VI.1. Brochage. L’A.O. possède : Deux entrées : broche IN+ (ou e+) : entrée «non inverseuse» ; broche IN- (ou e-) : entrée «inverseuse».

VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS. Une sortie : broche OUT (ou s). Deux broches d’alimentation : broche Vcc+ : alimentation en tension positive. broche Vcc- : alimentation en tension négative.

VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS. VI.1. Brochage.

VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS. VI.1. Brochage.

VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS. VI.1. Brochage.

VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS. VI.2. Symboles

VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS. VI.3. Caractéristiques électriques. Ils sont essentiellement caractérisés par : Un gain en tension différentiel très important (105 à 107) ; La réjection du mode commun (Avcd/Avmc) très grande ; Une impédance d’entrée différentielle très grande (105 à 1012Ω) ; Une impédance d’entrée en mode commun très grande (108 à 1012Ω) ; Une impédance de sortie très faible (10 à 500Ω) ; La réponse en fréquence va du continu à des fréquences assez élevées.

VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS. VI.3. Caractéristiques électriques.

VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS. VI.4. Caractéristique de transfert : vS(ε) a) Amplificateurs opérationnel réel

VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS. VI.4. Caractéristique de transfert : vS(ε) a) Amplificateurs opérationnel parfait

VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS. VI.5. Montages de bases AOP en regime linéaire Montage «amplificateur inverseur».

VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS. VI.5. Montages de bases AOP en regime linéaire Montage «amplificateur inverseur».

VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS. VI.5. Montages de bases AOP en regime linéaire Montage «amplificateur non inverseur».

VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS. VI.5. Montages de bases AOP en regime linéaire Additionneur inverseur

VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS. VI.5. Montages de bases AOP en regime linéaire Montage soustracteur (différentiateur)

VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS. VI.5. Montages de bases AOP en regime linéaire Montage intégrateur

VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS. VI.5. Montages de bases AOP en regime linéaire Montage dérivateur

VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS. VI.5. Montages de bases Montages non linéaires Comparateur simple de tensions

VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS. VI.5. Montages de bases Montages non linéaires Comparateur simple de tensions

VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS. VI.5. Montages de bases Montages non linéaires Comparateur simple de tensions

VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS. VI.5. Montages de bases Montages non linéaires Comparateur à hystérésis ou trigger de Schmitt