Atome de silicium: Si Cristal de silicium 28 14 Atome de silicium: Si +14 +4 Cristal de silicium
atome cristal Bande de conduction gap Bande de valence noyau 4 3 atome cristal Bande de valence noyau Bande de conduction 4 3 gap noyau 4 3 gap bande de conduction bande de valence
atome tétravalent (Gallium) Semi-conducteur dopé atome pentavalent (Arsenic) Cristal N atome tétravalent (Gallium) Cristal P
semi-conducteur intrinsèque semi-conducteur dopé N 4 3 bande de conduction bande de valence semi-conducteur intrinsèque 4 3 bande de conduction bande de valence semi-conducteur dopé N é = porteurs majoritaires trous = porteurs minoritaires 4 3 bande de conduction bande de valence semi-conducteur dopé P trous = porteurs majoritaires é = porteurs minoritaires
Jonction PN diffusion recombinaison E
+ + Polarisation de la diode Ea Ea Diode polarisée dans le sens « passant » ou « direct » Ea + Ec courant des porteurs majoritaires dans la diode (mA, A) Diode polarisée dans le sens « bloquant » ou « inverse» E Ea + Ec courant des porteurs minoritaires dans la diode (µA, nA)
diode polarisée passant diode non polarisée diode polarisée passant diode polarisée inverse µA
création électron-trou Photodiode - principe ou X 1 photon = création électron-trou pas de recombinaison courant inverse augmenté E + E Diode polarisée dans le sens inverse afin d'augmenter la zone de charges d'espace et donc l'efficacité du processus µA I (µA) t