Commande embarquée de moteurs 2 Commande des transistors Christian Koechli
Objectifs du cours Fonctionnement d’un Mosfet de puissance Problématique du Low-Side Problématique du High-Side Découplage Bootstrap Utilisation de P-MOS
Structure
Principe
Enclenchement
Enclenchement 2
Effets des inductances parasites
Déclenchement
Précautions Surtension GS (souvent 20V max) Pics de courant Phénomènes transitoires DS Limitations du pouvoir de coupure de la diode de roue libre
Pics de tensions sur la grille
Changements DS
Limitation du pouvoir de coupure de la diode
Limitation du pouvoir de coupure de la diode
Les 10 choses à faire ou à ne pas faire avec les MOS de puissance Attention à la manipulation Attention aux pics de VGS Attention aux pics de tension sur le drain ou la source dus à la commutation Ne pas dépasser la valeur de crête du courant Rester dans les limites thermiques Attention au layout Attention aux performances de la diode de roue libre Attention en comparant les performances (courant) de différents MOSFETs
Calcul des pertes Pertes en conduction: Pcd=RDSon I2 tON Pertes en commutation: Pcom=f
Caractéristiques de l’étage « driver » Limiter les pertes de commutation Source de courant idéale pour une commutation rapide Éviter les pics de tension Attention à la commutation rapide. Éviter les inductances de fuites (Condensateur et diode de roue libre le plus proche du transistor)
Transistor Low Side
Transistor High Side
Découplage Vcc (12V) DSP R TLP250 UDC (24V) (0V) Rmesure_courant
Alimentation unipolaire UDC (24V) Vcc (12V) R DSP Level shifter
Décalage de niveau (+bootstrap)
Utilisation d’un transistor à canal P
Schéma Labo