1 1. Semiconducteurs intrinsèques Dans le silicium à température ambiante (300 K), le nombre de paires e - -trous (n i ) est de 1, cm -3. Sachant que E g = 1,1 eV, a.que vaut n i à 400 K ? Pour simplifier les calculs, on peut utiliser la relation qui dit que 1eV/k B = 11604,8 K où k B est la constante de Boltzmann Les mobilités du Si étant de µ e = 1350 cm 2 V -1 s -1 µ t = 480 cm 2 V -1 s -1 à 300 K b.que vaut la conductivité et la résistivité à 300 et 400 K ?
2 2. Semiconducteurs dopés Si lon désire réaliser un dopage de type n du silicium de lexercice 1 a.citez un matériau que lon peut utiliser b.que devient la résisitivité pour un taux de dopage de atomes/cm 3 ? (pour T=300K, où toutes les impuretés sont ionisées) c.pouvez-vous commenter cette diminution considérable de la résistivité ?
3 Solutions 1. Semiconducteurs intrinsèques a.4, b.300 K: = 4, Siemens/cm, = 227 k ·cm 400 K: = 1, Siemens/cm, = 723 ·cm 2. Semiconducteurs dopés a.As, Sb, P b. = 2, Siemens/cm, = 4, ·cm c.la conductivité se fait dorénavant presque exclusivement par les e -