H MATHEZ Workshop MICRHAU 4 mai WORKSHOP MICRHAU 4 Mai 2009 FRONT–END Préamplificateurs et Shapers

H MATHEZ Workshop MICRHAU 4 mai LES DÉVELOPPEMENTS FRONT-END Température ambiante Préamplificateurs de Charges Shapers Basse Température Préamplificateurs de Charges Shapers Buffer ILC (DHCAL et ECAL) INNOTEP Hodoscope de faisceau TARANIS (Mind) T2K AMS 0.35 CMOS et BiCMOS

H MATHEZ Workshop MICRHAU 4 mai LES FRONT-END À TEMPÉRATURE AMBIANTE (PREAMPLIFICATEURS) INNOTEP : 3 versions (CMOS, BiCMOS, BiCMOS full Diff) lecture APD et PM Hodoscope de faisceau : convoyeur de courant rapide lecture de PM TARANIS : lecture de diodes HgCdTe et Silicium ILC : lecture de détecteur gazeux (RPC et/ou Micromegas) > DHCAL Architecture : - cascode replié CMOS ou BiCMOS avec compensation par ajout de zéro - convoyeur de courant

H MATHEZ Workshop MICRHAU 4 mai CARACTERISTIQUES (INNOTEP) CMOSBiCMOS Full Diff Photo détecteurAPDAPD/PMAPD Cd80pF80pf/10pF50pF Qmax100fC100fC/10pC700fC Rf600k600k/60k300k Cf450fF450fF/5pF1pF GBW900MhZ2 GHz4.5Ghz Shaper100ns50ns20ns ENC2200e2300 e /1300e3000e Gain1.3mV/fC1.5mV/fC 150mV/fC 1.4mV/fC Power40mW 135mW Proceeding MIPRO mai 2009 Croatie Publication dans un journal en cours MICRHAU + INL Réutilisation avec modifications mineures pour Taranis (Mind)

H MATHEZ Workshop MICRHAU 4 mai LAYOUT (INNOTEP) 280 µm 170 µm CMOS BiCMOS Full DiffBiCMOS

H MATHEZ Workshop MICRHAU 4 mai Out_Shaper Vgenerateur Out2 Out1 INNOTEP BiCMOS full 700fC = 1 V diff

H MATHEZ Workshop MICRHAU 4 mai HODOSCOPE DE FAISCEAU Super base commune gain variable sur 4 bits Structure différentielle (étiquetage en temps) Contrainte forte sur la vitesse : 1 impulsion toutes les 20ns Thèse en cours de rédaction Stage de Master en cours

H MATHEZ Workshop MICRHAU 4 mai ILC DHCAL Version Low power (180uA) Intégrateur avec reset par switch Cd ~ 60pF Qmax : 1->100fC en mode umegas 1-> 10pc en mode RPC Rise time : ~ 120 ns GBW : 900MHz (umegas) et 50Mhz (RPC) Implémentation dans un circuit 64 voies Proceeding NSS-MIC 2008 DRESDE

H MATHEZ Workshop MICRHAU 4 mai LES SHAPERS CR-RC Structure de l amplificateur: 1 seul étage de gain sur la base de cascode replié Fully différentiel CMFB avec double paires différentielles en PMOS GBW de 50 GHz G0 = 78dB Marge de phase : 30 Deg

H MATHEZ Workshop MICRHAU 4 mai LES SHAPERS CR-RC

H MATHEZ Workshop MICRHAU 4 mai LES SHAPERS CR-RC

H MATHEZ Workshop MICRHAU 4 mai Filtrage de type intégrateur avec RAZ diff. ampli. OPA Filtre CRRC Avantages de l'intégrateur avec Remise à Zéro par rapport au shaper CRRC: Fonctionnement synchrone (RAZ) avec le collisionneur Plus grande efficacité de filtrage du bruit Temps de récupération plus rapide empilement réduit Track & Hold intrinsèque mémorisation du signal possible en fin d'intégration Filtre intégrateur avec RAZ Une alternative au filtrage de type CRRC

H MATHEZ Workshop MICRHAU 4 mai Filtrage de type intégrateur avec RAZ LHCb VFE chip of the preshower Filtre utilisé dans le circuit VFE pour le Preshower de LHCb 1LSB 1023 Erreur en LSB Résultats de mesure dune voie complète (VFE + FE): Bruit < 1LSB Fclock = 40 MHz Précision: 10 bits Lecture signal PM

H MATHEZ Workshop MICRHAU 4 mai Etude le circuit VFE du calo. Électromagnétique d'ILC Filtrage de type intégrateur avec RAZ Fonderie commune LAL-LPCC 1 voie analogique complète : préampli + 3 shapers integ. RAZ Gain 2 : NL 4 Gain 100 : NL 7 Gain 20 : NL 4 Mesures de non-linéarité pour les 3 shapers

H MATHEZ Workshop MICRHAU 4 mai amp. ampli. comp. ½ MIP high gain Switches block control ½ MIP Clock dummy Auto-trigger to ADC Configuration en mémoire analogique pour ILC Filtrage de type intégrateur avec RAZ Soumission en fonderie pour cet été d'une voie complète (préamp + shaper)

H MATHEZ Workshop MICRHAU 4 mai FRONT END À BASSE TEMPÉRATURE Préamplificateur de charges Shapers Buffer 50 ohms

H MATHEZ Workshop MICRHAU 4 mai T2K_Versions_1-2-3 Schematic results with Cdet=250pF C pa C Det buffer BP filter G pa R pa Q in

H MATHEZ Workshop MICRHAU 4 mai Vérification du process AMS_C35 à basse température : –Résistances –Seuil transistors PMOS –Seuil transistors NMOS PMOS Wtot=100μ, L=0.35μ, ngate=10 NMOS Wtot=199.8μ, L=0.7μ, ngate=9 T2K_V1

H MATHEZ Workshop MICRHAU 4 mai CONCLUSION Optimisation du Préamplificateur : Etroitement lié au type de détecteur (Cd) Quantité de charges produites (Cd/Cf) Physique (résolution en temps ou résolution en énergie) Puissance disponible Signal/Bruit le couple PA et Shaper est essentiel