Apport du SIMS dans le domaine de la micro-électronique

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Transcription de la présentation:

Apport du SIMS dans le domaine de la micro-électronique F. Laugier, Ph. Holliger 22/11/2002

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Salle blanche Pas de poussières Contrôle température, hygrométrie 22/11/2002

Contaminations organiques (1) TOF SIMS 22/11/2002

Contaminations organiques (2) 22/11/2002

R&D Front End Xj S/D=50-100nm Xj ext. =20-60nm 22/11/2002 Grille Contact S/D Lg Xj SD Xj ext Diélectrique Dopage caisson Dopage Canal Isolation Substrat 22/11/2002

Profil B et As BF2 5keV, 21015at/cm2 As 3keV, 1014at/cm2 Recuit 1050°C Impl. 22/11/2002

Canal contraint 22/11/2002

Structure Damascene Interconnections Passivation Diélectrique Protection gravure Encapsulation du diélectrique Structure Damascene Cuivre + barrière Pre metal dielectrique Plot W 22/11/2002

Contamination par le Cuivre SiO2 SiC SiOC 22/11/2002

Contamination du Cuivre Cu ECD 40 nm Cu PVD 20 nm Ta 15 nm TaN 10 nm SiO2 100 nm Å Si 725 µm 22/11/2002

SIMS Dédié (CAMECA Wf) 300mm Salle blanche Automatisation 22/11/2002

Besoins Récurrents Résolution en profondeur (<1nm) Sensibilité Zones d’analyse  + particulièrement Transitoire (conc. Surf. ) Oxyde natif Préparation échantillons Quantification en profondeur Quantitatif 22/11/2002

Conclusion SIMS Particulièrement adapté à la micro-électronique Technique de base en R&D Evolution cte pour répondre aux besoins technologiques (micro  nano) 22/11/2002