" Substrat capacitif " 1 Sous l'impulsion de TL et FF Rappel action 3DPHI Toulouse : " Substrat capacitif " 1 Sous l'impulsion de TL et FF ETAPE 1 : RÉALISATION DE CONDENSATEURS CÉRAMIQUE MULTI-COUCHES ETAPE 2 : BUSBAR CAPACITIF C. COMBETTE, V. BLEY and Al

" Noyaux magnétiques Custom et pertes" Rappel action 3DPHI Toulouse : " Noyaux magnétiques Custom et pertes" 2 MESURES DE PERTES SOUS INDUCTION COMPLEXE D. FLUMIAN and Al Sous l'impulsion de TM RÉALISATION DE NOYAUX FERRITE NI-ZN-CU A. LUCAS and Al Mélange des oxydes précurseurs (Fe2O3, NiO, ZnO, CuO) Rebroyage Enrobage et mise en forme (pressage uniaxial ou isostatique) 1er traitement thermique vers 800°C : Chamottage (formation de la phase ferrimagnétique) 2nd traitement thermique : Frittage (densification) OPTIONS Usinage des pièces avant frittage ou Usinage des pièces après frittage Moulage avec pressage uniaxial

" Mise en œuvre composants GaN " Rappel action 3DPHI Toulouse : " Mise en œuvre composants GaN " 3 Sous l'impulsion de TM Associations parallèle (directe et entrelacé) S. VINNAC, N. VIDEAU Cellule GaN sur Al2O3 H. SCHNEIDER, V. BLEY, …

INTÉGRATION DE CELLULES ET DE CONVERTISSEURS AVEC COMPOSANTS GAN Proposition plus précise 4 INTÉGRATION DE CELLULES ET DE CONVERTISSEURS AVEC COMPOSANTS GAN

Des composants particulièrement attractifs 5 — Des performances exceptionnelles tant en conduction qu'en commutation — Un packaging rustique offrant une grande souplesse d'implantation et aisément interconnectable

Etape 1 : concevoir et réaliser l'environnement d'une cellule à deux composants + découplage 6 — Choix philosophie des interconnexions électriques et thermiques — Choix de technologies et procédés adaptés et accessibles — Maîtrise des procédés, répétabilité — Exploration de l'intégration capacitive

Etape 2 : conception et réalisation de cellules Plus élaborées, mise en parallèle, en série, intégration magnétique 7 — Associations parallèles et/ou série de composants — Associations parallèles et/ou série de cellules — Généralisation de la cellule avec composants magnétiques (inductances ou ICT)

Etape 3 : de la cellule au convertisseur 8 — Assemblage 3D, problématique majeure des vias inter-niveaux, procédés d'empilage et d'alignement inter-niveaux — Gestion thermique globale, transport et échange avec l'extérieur

modélisation et caractérisations Actions parallèles : modélisation et caractérisations 9 1 – Reverse engineering, 2 – caractérisations avancées des composants et d'une cellule de démonstration, (Didier Flumian, études sur démo-board, Nicolas Videau conversion BT autour PAC et electrolyseur) 3 – modèle thermique des composants, (Henri Schneider, simulations et modèle thermiques, validation sur demo-board) 4 – modèle électrique : pertes, fonctionnement en inverse, 5 – implantation, parallélisation, minimisation des mailles (simulations fines ?), CEM-maîtrise commutation (liens avec point 5), 5 – Circuits de commande de grille, intégration, mise à l'échelle en adéquation avec les composants, (Marc Cousineau, modulateurs multi-cell, simulation driver GaN, utilisation modèles Spice composants GaN).