LES MEMOIRES

Mémoire vive Mémoire morte Mémoire cache

RAM Espace temporaire de stockage Se décharge quand elle n’est plus alimentée Composé de 2 éléments : Modules Puces

Les modules RAM RIMM : Rambus In-line Memory Module Ce sont des supports qui accueillent des puces mémoires. SIMM : Single In-line Memory Module SO-SIMM : Small Out-Line SIMM DIMM : Dual In-line Memory Module SO-DIMM : Small Out-line DIMM RIMM : Rambus In-line Memory Module SO-RIMM : Small Out-line RIMM

Barrette SIMM Apparut au début des années 80. Support spécialisés pour la RAM de manière généralisé. Caractéristique : contacts électriques que d’un seul côté de la mini carte, ils sont liés électriquement à leurs homologues d’en face.

Barrette DIMM Ces modules ont succédés au SIMM. Il y a 168 contacts où passent le bus de données de 64 bits, le bus d’adresse, le bus de commande, le signal d’horloge et l’alimentation de la RAM.

Barrette RIMM Fabriqué par la société Rambus 184 contacts Bus de données de 16 bits Vitesse de transfert élevée Film d’aluminium pour dissiper la chaleur

Puces RAM

ROM Contient les éléments nécessaires au démarrage Temps d’accès plus élevé que la RAM Shadowing

Mémoire Cache Méthode d’adressage : Set libre Aléatoire FIFO LRU

Mémoires mortes ROM : Read Only Memory PROM : Programmable ROM EPROM : Erasable Programmable ROM EEPROM : Electrically Erasable Programmable ROM NVRAM : RAM non volatile

Mémoires vives DIP : Dual In-line Package DRAM : Dynamique Ramdom Access Memory S-RAM : Static RAM SD-RAM : Synchronious Dynamique RAM DDR-RAM : Dual Data Rate RAM RDRAM : Rambus DRAM SO-DIMM : Small Out-line DIMM SO-RIMM : Small Out-line RIMM DDR-RAM : Dual Data Rate RAM

DIP Puce (circuit intégré) directement implanté à la carte mére, sur deux rangée de pattes. Défaults : Fragile et sensible à l’électricité statique. Précurceur de la mémoire sur barettes ou RAM.

DRAM Créé en 1967 par INTEL pour le microprocesseur 4004 DRAM PM : Paged Mode DRAM FPM : Fast Paged Mode DRAM EDO : Extended Out Data

DRAM-PM Organisée en matrice. Il y a autant de condensateur que de bit à stocker ; dans lesquels sont mémoriser les données logiques sous formes de petites charges électriques : mémoires dynamique. Utiliser par les premiers ordinateurs personnels.

DRAM-FPM Utiliser sur Mac, sont cycle d’horloge est inférieure à la DRAM-PM. Indépendance avec le cycle d’horloge de la carte mère.

DRAM EDO Utiliser d’abord sur les PC puis sur les MAC. Elle permet de lire les données durant la période de rafraîchissement, ce qui diminue le temps d’accès.

S-RAM Cette mémoire utilise des bascules comme points de mémoires. Utilisées comme mémoire vive principale dans les premiers Apple portables, car elle consomme moins d’énergie.

SD-RAM Utiliser avec au maximum une fréquence de 150 Mhz, et une capacité de 512 Mo. Synchronisé avec le bus de la carte mère, elle permet d’éviter les longs cycles d’attentes.

DDR-RAM Fréquence pouvant atteindre 200 Mhz. Module extensible jusqu’à 1 Go La plus vendue actuellement, excellent rapport qualité/prix.

RDRAM Innovation de la société RAMBUS. Pouvant atteindre jusqu’à 800 Mhz de Fréquence, et 512 Mo de capacité.

Mémoires graphiques WRAM (abandonnée) VRAM (la plus utilisée actuellement) SGRAM EDO (abandonnée) SDRAM DDRAM

Autres mémoires ESDRAM (Enhanced SDRAM) FCRAM (Fast cycle RAM) SLDRAM (Synclink DRAM) VCM (Virtual Channel memory) Mémoire Flash

Caractéristiques Contrôleur mémoire MMU (Memory Management Unit) Parité ECC La mémoire Buffered La mémoire Registred

RECAPITUALITIF

CONCLUSION Évolution rapide des capacités et des performances en 20 ans DDR II : nouvelle génération de PC et serveurs 2X la bande passante de la DDR standard