LA.M.E ***************** Mémoire de DEA de Physique présentée par M. ……………….
« ETUDE EN REGIME STATIQUE D’UNE PHOTOPILE BIFACIALE AU SILICIUM CRISTALLIN SOUS POLARISATION ELECTRIQUE ET SOUS ECLAIREMENT MULTISPECTRAL CONSTANT. »
PLAN INTRODUCTION THEORIE CONCLUSION
Présentation de la photopile Figure ( II.1 ) : Structure d’une photopile bifaciale au silicium de type n-p-p+ sous polarisation électrique externe.
PRINCIPE DE BASE DE L’EQUATION DE CONTINUITE
ETUDE DE LA DENSITE DES PORTEURS
EXPRESSSION DE LA DENSITE DE COURANT 3 et 4 5 avec
EXPRESSIONS DE LA DENSITE DES PORTEURS 6 7 8 à 11
CONDITIONS AUX LIMITES 12 13
PROFIL DE LA DENSITE DES PORTEURS Éclairement par la face avant Court-circuit Circuit ouvert
ÉCLAIREMENT PAR LA FACE ARRIÈRE Court-circuit Circuit ouvert
DENSITE DE PHOTOCOURANT Soit 14 15 16
EXPRESSIONS DE LA DENSITE DE PHOTOCOURANT POUR LES DEUX MODES D’ECLAIREMENT . 17 18
PROFIL DE LA DENSITE DE PHOTOCOURANT
VITESSES DE RECOMBINAISONS A LA FACE ARRIERE: 19 20 21
COURBES DES VITESSES DE RECOMBINAISON
EXPRESSIONS DE LA PHOTOTENTION
COURBES DES PHOTOTENTIONS
CONCLUSION ET PERSPECTIVES Paramètres de recombinaison Influence du champ (microscopique, macroscopique) Contribution de l’émetteur Régime dynamique transitoire (excitation optique pulsée + électrique constant, excitation électrique pulsé+lumière constant) et fréquentiel (modulation de fréquence et modulation de tension) Effets d’un champ constant sur une photopile en régime transitoire Etude en 3 dimensions
MERCI DE VOTRE PRESENCE ET DE VOTRE ATTENTION !!!