Détecteurs semi-conducteur Activités récentes CPPM.

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1 Détecteurs semi-conducteur Activités récentes CPPM

2 3 thématiques "détecteurs" Réunion réseau semi-conducteurs LPNHE, 21/10/2014  HV CMOS  Détecteurs CdTe pour imagerie X  Caractérisation de détecteurs IR  Et aussi B-layer ATLAS (méca)

3 HV CMOS (dans le cadre d'Atlas) Réunion réseau semi-conducteurs LPNHE, 21/10/2014  "Nouvelle technique" pour des trackers : Cela ressemble au CMOS pour la détection mais  C'est en partie déplété : Signal rapide  A priori résistant aux radiations (tests jusqu'à 800 MRad)  Cela resterait un hybride  Mais pourrait-être hybridé à moindre coût sur un circuit de lecture (collage)  Pas mal d'avantages / actuels pixels hybrides  Pixels plus petits, moins de matière, moindre coût, applicable pour ministrips  Mais aussi pas mal de R&D:  Sur la résistance aux radiations (bon résultats de HVFEI4p2)  Sur l'efficacité de détection et la résolution spatiale  test beam  Pour optimiser la géométrie et l'architecture  simulation à la limite entre le détecteur et l'électronique

4 Pixels CdTe pour l'imagerie X (collaboration ESRF/Soleil) Réunion réseau semi-conducteurs LPNHE, 21/10/2014  Adaptation de détecteurs CdTe (Schottky h) sur des circuits de lecture existant (XPAD3.2)  Efficacité de détection/ Silicium  Réalisation d'un détecteur de "grande" dimension (80x 80 mm) par mise cote à cote de circuits individuels  C'est essentiellement un projet d'intégration avec des points durs  Fragilité du CdTe  Connection à la polarisation du détecteur  Précision de positionnement

5 Caractérisation et intégration des détecteurs IR (expérience Euclid) Réunion réseau semi-conducteurs LPNHE, 21/10/2014  Détecteurs et électronique "quasi- existants"  Modifs sur électronique de lecture et longueur d'onde  Packaging  Ambitieux  Technos nouvelles au CPPM (cryogénie, IR, Spatial)  Précision de mesure (de l'ordre du % par pixel)  En collaboration avec l'IPNL et l'APC