Matthieu Kauffmann – UCCS – Vendredi 9 novembre 2007 Nouveaux semi-conducteurs pour l’optoélectronique “étude ab-initio ” Présenté par M r. Mostefa DJERMOUNI.

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1 Matthieu Kauffmann – UCCS – Vendredi 9 novembre 2007 Nouveaux semi-conducteurs pour l’optoélectronique “étude ab-initio ” Présenté par M r. Mostefa DJERMOUNI Laboratoire de Modélisation et de Simulation en Science des Matériaux (LMSSM) Les Premières Journées Nationales sur les Matériaux (JNMK2011), Khenchela, 29 & 30 Novembre 2011

2 Introduction Mostefa DJERMOUNI – Mardi 29 Novembre 2011 Les semi-conducteurs IV-IV (Si), III-V (GaAs), II-VI (CdS), I-VII (LiF) Diodes laser Cellule solaire Détecteurs infrarouge

3 Le taux de remplissage  34% Mostefa DJERMOUNI – Mardi 29 Novembre 2011 Introduction r 2 Cation r 3 Anion r 1 Sites tétraédriques vide Zinc-Blende Chalcopyrite

4 Introduction Zinc-blendeinsertion des éléments électropositive demi-Heusler

5 Introduction demi-Heusler: des isolants topologique CoCrPt Ru 0.6 nm CoCrPt Reduced stray field between bits demi-Heusler dans le spintronique demi-Heusler: des matériaux piézoélectriques

6 Les semi-conducteurs zinc-blende A II B VI : I-VII, II-VI, III-V, IV-IV Les demi-Heusler X I Y II Z V : I-I-VI, I-II-V, I-III-IV, II-II-IV, II-III-III Introduction 8 électrons de valence

7 Les demi-Heusler et II-VI I (Li, Na, K)-II (Mg, Ca, Zn, Cd)-V (N, P, As) 36 demi-Heusler II-VI : ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe I - II - V

8 Méthode de Calculs FP-L/APW+lo Mostefa DJERMOUNI – Mardi 29 Novembre 2011 DFT FP-LAPW

9 Résultats & discussions

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17 Conclusions Mostefa DJERMOUNI – Mardi 29 Novembre 2011

18 Merci de votre Attention Mostefa DJERMOUNI – Mardi 29 Novembre 2011