Le Transistor bipolaire a heterojonction(HBT)

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1 REALISE PAR : DOUEYEB ANOUAR LAJRI HAMZA AGHBALOU SOUFIANE BARHOUN HICHAM : M.AGHOUTANE ENCADRÉ PAR : M.AGHOUTANE MASTER ETC ANNÉE UNIVERSITAIRE : 2016 - 2017 جامعة عبد المالك السعدي كلية العلوم تطوان UNIVERSITE ABDELMALEK ESSAADI FACULTE DES SCIENCES TETOUAN

2  INTRODUCTION  TRANSISTOR BIPOLAIRE HOMOJONCTION (BJT)  LIMITATION DES BJT  TRANSISTOR BIPOLAIRE HETEROJONCTION (HBT)  CONCLUSION

3 Le transistor bipolaire à homojonction (BJT) a énormément évolué et présente plusieurs performances : un transconductance (gm) élevée, la possibilité d’avoir de forte densités de courant et un bruit minimisé. Cependant les limitations fréquentielles ont entrainé le développement de transistor à hétérojonction (TBH) autorisé par de nombreux progrès technologiques. En effet, l’introduction des hétérojonctions à permis une augmentation de la fréquence de transition Ft et de la fréquence maximale d’oscillation Fmax,de gain, et un réduction de facteur de bruit.

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5 Définition La juxtaposition de deux jonctions P-N conduit au transistor à jonction dans lequel interviennent les deux types de porteurs d’où l’appellation de transistor bipolaire. Il en existe deux sortes: les NPN et les PNP.

6 Principe de fonctionnement (l’effet transistor) Dans le régime normal de fonctionnement, la jonction émetteur-base est polarisée en direct, et la jonction base-collecteur en inverse : Donc : V BE >0 et V BC <0  V BE >0 : injection d’électrons de l’émetteur vers la base (les trous se déplace dans le sens inverse)  V BC <0 : la majorité des électrons qui son injecté dans la base s’injecte dans le collecteur (collection des électrons) mais une petite portion se trouve recombiné au niveau de la base.

7 Montages de polarisations La polarisation d’un transistor a pour but de fixer le point de fonctionnement et de stabilise le transistor. Il existe des déférentes montage et type de polarisation: Polarisation par base Polarisation par émetteurPolarisation par diviseur de tension

8 Polarisation par contre réaction de collecteurPolarisation par source de courant

9 Diagramme des bandes d’énergie

10 Equation fondamentale Généralement I 0BC le courant inverse de saturation de la jonction bloquée base-collecteur est négligeable devant I B.

11 Module électrique grand signal Pour les grand signaux les équations présidentes c’écrit:

12 Module électrique petite signal On rappelle ici que une jonction PN peut être modalisé dans le cas des petite signal par une résistance en parallèle avec une capacité. NP R D’où le schéma électrique suivant:

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14 Les limites du transistor bipolaire à homojonction sont atteintes lorsque l’on cherche à diminuer au maximum la largeur de la base, afin de diminuer le temps de transit des électrons, temps nécessaire pour que les électrons traversent la base.

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