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Cours du Collège de France
Morphogenèse Chimique Jacques Livage Collège de France Cours du Collège de France
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L’oxyde de Zinc ZnO 12 décembre 2006
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Croissance le long de l’axe c en prismes hexagonaux
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Croissance naturelle prismes hexagonaux
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Plaquettes hexagonales
1µm
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Croissance en rubans polaires
face Zn-(0001) chargée positivement face O-(0001) chargée négativement -
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hélices anneaux 1µm
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Nanocombs & Nanosaws - Nanopeignes & Nanoscies
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Filaments axiaux à partir desquels poussent des ramifications
Arborescences Filaments axiaux à partir desquels poussent des ramifications
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2µm
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P. Gao, Z.L. Wang, J. Phys. Chem. B, 106 (2002) 12653
ZnO + SnO2
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On observe des petites billes de Sn au bout des fils de ZnO
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Sn ZnO
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Croissance de ZnO le long de deux directions perpendiculaires
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Croisance en 2 étapes croissance axiale rapide des rubans le long de [0001] croissance radiale par épitaxie perpendiculaire aux rubans à partir de gouttelettes de Sn
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Symétrie hexagonale
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Croissance sur 1, 2, 4 ou 6 côtés
Ramifications ≈ 1 µm
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La forme des fils axiaux dépend de la face de croissance
Pu Xian Gao † and Zhong L. Wang* La forme des fils axiaux dépend de la face de croissance
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Interaction faible entre Sn et les faces Zn2+ prismes ZnO
Interaction plus forte entre Sn et les faces O2- pyramides ZnO
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En l’absence de germes de Sn
Les faces positives Zn2+ s’oxydent pour donner ZnO tandis que les faces négatives O2- restent plus inertes plans Zn2+ plans O2- Wang, Kong, Zuo, Phys. Rev. Lett. 385 (2003)
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Pas de germe Sn
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JACS, 125 (2003) 4728
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Du peigne au ruban 1 Croissance 1D rapide le long de l‘axe c 2
3 1 Croissance 1D rapide le long de l‘axe c 2 Formation de dendrites via la sursaturation locale résultant de processus de diffusion limitée 3 Extension 2D
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À partir de rubans plutôt que de fils
4 µ 0,5 µ 200 nm MEB MET
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Nanocastles
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1 µ
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1 µ 0,2 µ
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10 µ 5 µ 1 µ 0,2 µ
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Pyrite framboïdale Sphéroïdes <250 mm avec 103 to 106 microcristaux de même taille et même forme.
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Croissance en deux étapes
Évaporation dépôt 1100°C pendant 60 min substrat à 650°C 1300°C pendant 30 min substrat à 850°C
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Petites billes de Sn à l’extrémité
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Transport en phase vapeur : Zn(g) + 1/2 O2(g) ZnO(s)
Paramètres = T°C - PO2 Chaque branche est un monocristal de ZnO wurtzite croissant le long de l’axe hexagonal
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Le diamètre varie de 0,1 à 2 µm quand on augmente PO2
4 monocristaux allongés le long de la direction <001>
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contrôle thermodynamique
La forme change quand PO2 augmente 5% Croissance lente contrôle thermodynamique 10% Croissance rapide contrôle cinétique
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Auto-assemblage des tétrapodes
dimère trimère
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Arm 1 Patch 2
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2006 Conjugaison des propriétés semi-conductrices et piezo-électriques de ZnO
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Transistors à effet de Champ
création d ’une zone dépeuplée au sein d’u n semi-conducteur par application d’un champ électrique. ZnO - MOSFET
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Transistor à effet de champ
200°C air 200°C vide 250°C vide ZnO-MOSFET
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La conductance d’un nanofil de ZnO diminue lorsqu’on lui applique une déformation
force appliquée
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Création d ’une zone dépeuplée par déformation
distribution des charges Distribution des contraintes le long d’un nanofil courbé création d’une zone dépeuplée
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courbure d’un nanofil de ZnO
caractéristique I-V
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Réseau de nanofils de ZnO
l ≈ 200 à 500 nm d ≈ 20 à 40 nm distance ≈ 100 nm Réseau de nanofils de ZnO Procédé Vapeur-Liquide-Solide croissance à partir de gouttelettes d’or sur substrat d’alumine
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Transformation d’une énergie mécanique en énergie électrique
le fil de ZnO est plié sous l’action d’une pointe d’AFM Signal électrique provoqué par la déformation Vibration du fil
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La déformation entraîne l’apparition de charges électriques
(piezo-électricité) positives à l’extérieur et négatives à l’intérieur Utilisation des micro-décharges piezo-électriques générées par la déformation des nanofils de ZnO dans un réseau comprenant des millions de nanofils
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Contact ohmique ZnO-Ag
Diode Schottky ZnO-Pt (redresseur) pôle positif V+ Contact ohmique ZnO-Ag pôle négatif V- Transformation d’un mouvement en courant électrique
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Tension produite par un réseau de nanofils de ZnO
au cours d’un balayage par la pointe de l’AFM
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