«  ETUDE EN REGIME STATIQUE D’UNE PHOTOPILE BIFACIALE AU SILICIUM CRISTALLIN SOUS POLARISATION ELECTRIQUE ET SOUS ECLAIREMENT MULTISPECTRAL CONSTANT.  »

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1 LA.M.E ***************** Mémoire de DEA de Physique présentée par M. ……………….

2 «  ETUDE EN REGIME STATIQUE D’UNE PHOTOPILE BIFACIALE AU SILICIUM CRISTALLIN SOUS POLARISATION ELECTRIQUE ET SOUS ECLAIREMENT MULTISPECTRAL CONSTANT.  »

3 PLAN INTRODUCTION THEORIE CONCLUSION

4 Présentation de la photopile
Figure ( II.1 ) : Structure d’une photopile bifaciale au silicium de type n-p-p+ sous polarisation électrique externe.

5 PRINCIPE DE BASE DE L’EQUATION DE CONTINUITE

6 ETUDE DE LA DENSITE DES PORTEURS

7 EXPRESSSION DE LA DENSITE DE COURANT
3 et 4 5 avec

8 EXPRESSIONS DE LA DENSITE DES PORTEURS
6 7 8 à 11

9 CONDITIONS AUX LIMITES
12 13

10 PROFIL DE LA DENSITE DES PORTEURS
Éclairement par la face avant Court-circuit Circuit ouvert

11 ÉCLAIREMENT PAR LA FACE ARRIÈRE
Court-circuit Circuit ouvert

12 DENSITE DE PHOTOCOURANT
Soit 14 15 16

13 EXPRESSIONS DE LA DENSITE DE PHOTOCOURANT POUR LES DEUX MODES D’ECLAIREMENT .
17 18

14 PROFIL DE LA DENSITE DE PHOTOCOURANT

15 VITESSES DE RECOMBINAISONS A LA FACE ARRIERE:
19 20 21

16 COURBES DES VITESSES DE RECOMBINAISON

17 EXPRESSIONS DE LA PHOTOTENTION

18 COURBES DES PHOTOTENTIONS

19 CONCLUSION ET PERSPECTIVES
Paramètres de recombinaison Influence du champ (microscopique, macroscopique) Contribution de l’émetteur Régime dynamique transitoire (excitation optique pulsée + électrique constant, excitation électrique pulsé+lumière constant) et fréquentiel (modulation de fréquence et modulation de tension) Effets d’un champ constant sur une photopile en régime transitoire Etude en 3 dimensions

20 MERCI DE VOTRE PRESENCE
ET DE VOTRE ATTENTION !!!