COMputational electronICS Assemblée générale Dép. Nanoélectronique, IEF 7 mars 2012 http://computational-electronics.ief.u-psud.fr/

« COMICS 2012 » L’équipe Les thèmes Des Projets

Les 13 + 2 « COMICS » 6 Permanents 2 Post-doc, 5 doctorants, 2 stagiaires Arnaud Bournel (PR) Christophe Chassat (IE) Philippe Dollfus (DR) Damien Querlioz (CR) Sylvie Retailleau (PR) Jérôme Saint-Martin (MC) Alfonso Alarcon Ming Shi Yann Apertet Salim Berrada Sébastien Guarnay (LETI) Thu-Trang Nghiem-Thi Vincent Talbo Jérôme Larroque Dongzhe Li

Compétences « COMICS » Physique des dispositifs : transport hors équilibre, effets quantiques. Développement d’outils de simulations : Monte Carlo particulaire, formalisme de Green, structures de bandes… Nouveau concept de dispositifs et de circuits

Outils « COMICS » Moyens informatiques : 62 CPUs cluster Linux , 180 coeurs Nos modèles utilisent Fortran, C++ and Python Modèles 1D/2D Schrödinger/Poisson. Tight binding (graphène) Non Equilibrium Green Function (NEGF, électrons et phonons pour graphène). Xnet (développé avec le CEA LIST). Simulateur système de réseau neuro-inspiré à memristors. Simulateur particulaire Monte Carlo MONACO : semi-classique, full band, multi sousbandes , formalisme quantique de Wigner.

Thèmes « COMICS » Nano Electronique Thermoélectricité CMOS ultimes : nouvelles architectures, silicium ou III-V Au-delà du CMOS : boîtes quantiques, SET Nanotube de carbone, graphène : charge et spin Thermoélectricité Neuro inspiration Nano Transport de chaleur Transport couplé electron/phonon Thermoélectricité Récupération d’énergie Synapses artificielles Nouveaux circuits à faible consommation

Thèmes « COMICS » Nano Electronique Thermoélectricité CMOS ultimes : nouvelles architectures, silicium ou III-V Au-delà du CMOS : boîtes quantiques, SET Nanotube de carbone, graphène : charge et spin Thermoélectricité Neuro inspiration Nano transport de chaleur Transport couplé électron/phonon Thermoélectricité Récupération d’énergie Synapses artificielles Nouveaux circuits à faible consommation

Nanoélectronique Single-Electron Transistor (SET) MOS III-V S D G

V. Hung Nguyen, Nanotechnology 23, 065201 (2012) Nanoélectronique (2) Diode Esaki (jonction PN) à base de graphène à réseau de trous ou Graphene NanoMesh (GNM) V. Hung Nguyen, Nanotechnology 23, 065201 (2012) Résistance différentielle négative avec rapport pic/vallée > 100 !

Thermoélectricité F. Mazzamuto, Physical Review B 83, 235426 (2011) ZT > 1 T=300 K Les GNR nanostructurés ont des performances thermoélectriques intéressantes

Dispositifs et circuits neuroinspirés Modélisation des « synapses artificielles » Dispositifs memristifs à changement de phase Effets probabilistes dans les RAM résistives (type OxRAM, CBRAM) Mesures LETI symboles Modèle pointillés Collab. UMPHI, IM2NP Circuits & architectures associés Traitement automatique de données naturelles (cf. JOK) Collab. LIST, LETI 11

En savoir plus… http://computational-electronics.ief.u-psud.fr/