HLL= labo semi-conducteurs = 18 cher., 6 ingé., 8 tech, 3 adm.
Silicium aminci : détecteur Idée : Alternative au détecteur dit “3D” pour éviter le trapping des charges et une trop grande tension de déplétion après irradiation Normal « 3D » Aminci 250 µm de longueur de trace 50 µm de trace 250 µm de drift 50 µm de drift 50 µm de drift
Silicium aminci : détecteur Fabrication : Intérêt : Process “standard”
Silicium aminci : détecteur Réalisation :
Idée : Construire une électronique 3D Electronique 3D : VSI Idée : Construire une électronique 3D Recherche motivée par l’industrie du Si (Réduction des RC, augmentation de la densité et des performances)
VSI : électronique Beaucoup de gens travaillent dessus :
VSI : Comment ca marche ?
VSI : Comment ca marche ? Très haute densité d’interconnexion : 100 000 /cm2 Via de l’ordre de 1 à2 µm Distance min via-gate =11 µm Distance min via-drain= 4µm
VSI : Comment ca marche ? Technologie clés : Contacts inter-couches : -Fusion directe du cuivre ou Eutectique Cu-Sn Amincissement des wafers : 50 µm en routine, 6 µm déjà fait et visiblement peu de dégâts si l’on reste dans la gamme 12-25 µm Formation et remplissage des vias : Etching plasma ( Si02) , remplissage après isolation des parois (cas du CMOS) par W ou TiN/cu Précision de l’alignement : 1 µm sur le wafer ..
VSI : Comment ca marche ? 2 approches : Wafer sur wafer : Un seul fabricant mais les circuits doivent être de même taille et le rendement se réduit avec le nombre de couches Chip sur wafer : On peut utiliser différents fabricants, on augmente le rendement, mais on multiplie les tests et les manipulations
Un exemple de VSI
Module et mécanique Le module est assez semblable aux modules actuels mais son épaisseur devrait être inférieure à 150 µm
Objectifs du proposal : Un proto en 2009 1FTE process eng., 1 FTE mech. eng.,1FTE tech.