REALISE PAR : DOUEYEB ANOUAR LAJRI HAMZA AGHBALOU SOUFIANE BARHOUN HICHAM : M.AGHOUTANE ENCADRÉ PAR : M.AGHOUTANE MASTER ETC ANNÉE UNIVERSITAIRE : جامعة عبد المالك السعدي كلية العلوم تطوان UNIVERSITE ABDELMALEK ESSAADI FACULTE DES SCIENCES TETOUAN

 INTRODUCTION  TRANSISTOR BIPOLAIRE HOMOJONCTION (BJT)  LIMITATION DES BJT  TRANSISTOR BIPOLAIRE HETEROJONCTION (HBT)  CONCLUSION

Le transistor bipolaire à homojonction (BJT) a énormément évolué et présente plusieurs performances : un transconductance (gm) élevée, la possibilité d’avoir de forte densités de courant et un bruit minimisé. Cependant les limitations fréquentielles ont entrainé le développement de transistor à hétérojonction (TBH) autorisé par de nombreux progrès technologiques. En effet, l’introduction des hétérojonctions à permis une augmentation de la fréquence de transition Ft et de la fréquence maximale d’oscillation Fmax,de gain, et un réduction de facteur de bruit.

Définition La juxtaposition de deux jonctions P-N conduit au transistor à jonction dans lequel interviennent les deux types de porteurs d’où l’appellation de transistor bipolaire. Il en existe deux sortes: les NPN et les PNP.

Principe de fonctionnement (l’effet transistor) Dans le régime normal de fonctionnement, la jonction émetteur-base est polarisée en direct, et la jonction base-collecteur en inverse : Donc : V BE >0 et V BC <0  V BE >0 : injection d’électrons de l’émetteur vers la base (les trous se déplace dans le sens inverse)  V BC <0 : la majorité des électrons qui son injecté dans la base s’injecte dans le collecteur (collection des électrons) mais une petite portion se trouve recombiné au niveau de la base.

Montages de polarisations La polarisation d’un transistor a pour but de fixer le point de fonctionnement et de stabilise le transistor. Il existe des déférentes montage et type de polarisation: Polarisation par base Polarisation par émetteurPolarisation par diviseur de tension

Polarisation par contre réaction de collecteurPolarisation par source de courant

Diagramme des bandes d’énergie

Equation fondamentale Généralement I 0BC le courant inverse de saturation de la jonction bloquée base-collecteur est négligeable devant I B.

Module électrique grand signal Pour les grand signaux les équations présidentes c’écrit:

Module électrique petite signal On rappelle ici que une jonction PN peut être modalisé dans le cas des petite signal par une résistance en parallèle avec une capacité. NP R D’où le schéma électrique suivant:

Les limites du transistor bipolaire à homojonction sont atteintes lorsque l’on cherche à diminuer au maximum la largeur de la base, afin de diminuer le temps de transit des électrons, temps nécessaire pour que les électrons traversent la base.