Détermination des conditions d’epitaxie Couche mince de MnAs/GaAs produite par Epitaxie par Jets Moléculaires et observée par Microscopie Electronique à Balayage.
Motivations de MnAs/GaAs MMnAs GaAs
Construction de la maille de GaAs Multiplicité de la maille cubique ? Réseau de Bravais ? Motif ? Réseau réciproque? Orientation de la maille par rapport à l’image MEB ?
Construction de la maille de GaAs
Réseau réciproque de GaAs
Réseau réciproque de GaAs h,k et l ont la même parité.
Construction de la maille de GaAs Multiplicité de la maille cubique ? 4 Réseau de Bravais ? cF Cubique à faces centrées Motif ? Ga (0,0,0) et As (¼, ¼, ¼) Réseau réciproque? Cubique centrè de paramètre : 2/a Orientation de la maille par rapport à l’image MEB ?
GaAs : Réseau direct et réseau réciproque
Orientation par rapport au MEB
Orientation par rapport au MEB
GaAs : plan (1, 1, 1) d111 = 1/ d*111 = a/√(1+1+1) = 5,65/ √3 = 3,26 Å
Plan (1,1,1) : surface du substrat de GaAs
GaAs : plan (4, -2, -2) d4,-2-2 = 1/ d*4,-2-2 = a/√(16+4+4) = 5,65/ √24 = 1,15 Å
GaAs : plan (2,0,0) d2,0,0 = 1/ d*2,0,0 = a/√(4) = 5,65/ √4 = 2,83 Å
GaAs : plan (-1, 3, 3) d-1,3,3 = 1/ d*1,3,3 = a/√(19) = 5,65/ √19 = 1,30 Å
Image du réseau réciproque par diffraction d’électrons Cliché de diffraction = contributions de GaAs + MnAs car epitaxié
MnAs : On remarque la symétrie hexagonale.
MnAs : réseau direct et réciproque
MnAs : réseau direct et réciproque
Orientation rélative MnAs GaAs + MnAs RR à trouver
Orientation rélative MnAs GaAs
Orientation rélative MnAs GaAs +
Conditions d’épitaxie (-1-1-1)GaAs// (001)MnAs [0-11]GaAs // [100] MnAs
-112 GaAs // 120 MnAs