La présentation est en train de télécharger. S'il vous plaît, attendez

La présentation est en train de télécharger. S'il vous plaît, attendez

LASES-FST1 Université Cheikh Anta Diop Faculté des Sciences et Techniques Laboratoire des Semi-conducteurs et dÉnergie Solaire(LASES) Étude en modélisation.

Présentations similaires


Présentation au sujet: "LASES-FST1 Université Cheikh Anta Diop Faculté des Sciences et Techniques Laboratoire des Semi-conducteurs et dÉnergie Solaire(LASES) Étude en modélisation."— Transcription de la présentation:

1 LASES-FST1 Université Cheikh Anta Diop Faculté des Sciences et Techniques Laboratoire des Semi-conducteurs et dÉnergie Solaire(LASES) Étude en modélisation dune photopile bifaciale en régime statique sous éclairement multispectral constant et sous leffet dun champ magnétique:contribution de lémetteur. Mémoire de DEA présenté par: BABOGUEL ALAYE Koumakoy

2 LASES-FST2 Présentation de la photopile bifaciale Conclusion et Perspectives Étude en modélisation Plan

3 LASES-FST3 Figure1: La photopile bifaciale au silicium sous éclairement et sous laction du champ magnétique Présentation de la photopile

4 LASES-FST4 Équation de continuité Mode déclairement Face avant Face arrière Simultané (2) Densité des porteurs minoritaires (1) (3) (4) Solution générale

5 LASES-FST5 Condition aux limites Pour les trous Pour les électrons (5) (6) (7) (8)

6 LASES-FST6 Figure 2: Densité des trous en fonction de la profondeur dans lémetteur : Face avant, p s, d=1 m,Sfe 1 = cm.s -1 Sav 1 = cm.s -1 Figure 3: Densité des trous en fonction de la profondeur dans lémetteur : Face arrière, d=1 m, p s, Sfe 2 = cm.s -1 Sav 2 = cm.s -1 Profils des densités des porteurs

7 LASES-FST7 Figure 4: Densité des trous en fonction de la profondeur dans lémetteur : éclairement simultané des deux faces, p s, d=1 m, Sfe 3 = cm.s -1 Sav 3 = cm.s -1

8 LASES-FST8 Des électrons Figure 5: Densité des électrons en fonction de la profondeur dans la base : Face avant, n =10 -5 s, H 0 =300 m Sf 1 = cm.s -1 Sb 1 = cm.s -1 Figure 6: Densité des électrons en fonction de la profondeur dans la base : Face arrière, n =10 -5 s, H 0 =300 m Sf 2 = cm.s -1 Sb 2 = cm.s -1

9 LASES-FST9 Figure 7: Densité des électrons en fonction de la profondeur dans la base : éclairement simultané des deux faces, n =10 -5 s, H 0 =300 m Sf 3 = cm.s -1 Sb 3 = cm.s -1

10 LASES-FST10 (9) Forme générale: Densité de courant

11 LASES-FST11 Des trous Figure 8:Densité de photocourant des trous en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction, p s, Sav 1,2,3 = cm.s -1 Figure 9:Densité de photocourant des trous en fonction en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction, p s, Sav 1,2,3 = cm.s -1 Profils des densités de photocourant

12 LASES-FST12 Figure 10:Densité de photocourant des trous en fonction de la vitesse de recombinaison à la face avant, p s, Sfe 1,2,3 = cm.s -1

13 LASES-FST13 Des électrons Figure 11:Densité de photocourant des électrons en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction, n =10 -5 s, Sb 1,2,3 = cm.s -1 Figure 12:Densité de photocourant des électrons en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction, n =10 -5 s, Sb 1,2,3 = cm.s -1

14 LASES-FST14 Figure13: Densité de photocourant des électrons en fonction de la vitesse de recombinaison à la face arrière, n =10 -5 s, Sf 1,2,3 = cm.s -

15 LASES-FST15 Des trous Figure14:Vitesses de recombinaison intrinsèques des trous à la jonction en fonction du champ magnétique, p s Figure15:Vitesses de recombinaison des trous à la face avant de lémetteur en fonction du champ magnétique, p s (10) (11) Vitesses de recombinaison

16 LASES-FST16 Des électrons Figure16: Vitesse de recombinaison intrinsèque des électrons à la jonction en fonction du champ magnétique, n =10 -5 s Figure17: Vitesse de recombinaison intrinsèque des électrons en fonction du champ magnétique, n =10 -5 s (12)(13)

17 LASES-FST17 Figure18:Vitesses de recombinaison des électrons à la face arrière en fonction du champ magnétique, p s, H 0 =300 m Figure19:Vitesse de recombinaison des électrons à la face arrière en fonction du champ magnétique, n =10 -5 s, H 0 =300 m

18 LASES-FST18 Figure 20:Phototension dans lémetteur en fonction du champ magnétique, p s, d=1 m Figure21:Phototension dans la base en fonction du champ magnétique, n =10 -5 s H 0 =300 m (14) Phototension

19 LASES-FST19 LES RESISTANCES Figure22:Caractéristique courant-tension de lémetteur. Figure23:Caractéristique courant-tension de la base. Résistance Série

20 LASES-FST20 Figure24:Modèle électrique équivalent de lémetteur ou la base en circuit ouvert (15)

21 LASES-FST21 Figure25:Caractéristique courant-tension de lémetteur Figure26:Caractéristique courant-tension de la base. Résistance Shunt

22 LASES-FST22 (16) Figure27:Modèle électrique équivalent de lémetteur et la base en court-circuit

23 LASES-FST23 Profil de la résistance shunt: Figure 28:Résistance shunt dans lémetteur en fonction du champ magnétique,éclairement face avant et simultané, p s, d=1 m Figure 29:Résistance shunt dans lémetteur en fonction du champ magnétique,éclairement face arrière, p s, d=1 m Émetteur

24 LASES-FST24 Base Figure 30:Résistance shunt dans la base en fonction du champ magnétique, n =10 -5 s, H 0 =300 m

25 LASES-FST25 Profil de la résistance série Émetteur Figure 31:Résistance série dans lémetteur en fonction du champ magnétique,d=1 m, p s

26 LASES-FST26 Base Figure 32:Résistance série dans la base en fonction du champ magnétique,éclairement face avant et simultané, n =10 -5 s, H 0 =300 m Figure 33:Résistance série dans la base en fonction du champ magnétique,éclairement face arrière, n =10 -5 s, H 0 =300 m

27 LASES-FST27 Effet du champ magnétique. Contribution de lémetteur. Paramètres électriques de la photopile sous influence du champ magnétique et électrique-en régime dynamique transitoire et fréquentiel. Photopile bifaciale sous leffet des agents chimiques ou électrochimiques. Conclusion et Perspectives

28 LASES-FST28 Merci de votre aimable attention!!


Télécharger ppt "LASES-FST1 Université Cheikh Anta Diop Faculté des Sciences et Techniques Laboratoire des Semi-conducteurs et dÉnergie Solaire(LASES) Étude en modélisation."

Présentations similaires


Annonces Google