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17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGES 1 GPA667 CONCEPTION ET SIMULATION DE CIRCUITS ÉLECTRONIQUES AMPLIFICATEURS EN CASCADE OU MULTIÉTAGES.

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1 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGES 1 GPA667 CONCEPTION ET SIMULATION DE CIRCUITS ÉLECTRONIQUES AMPLIFICATEURS EN CASCADE OU MULTIÉTAGES

2 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 2 AMPLIFICATEURS EN CASCADE OU MULTIÉTAGES Bloc amplificateur Effet de R S (source) et R L (charge) Topologies damplificateurs BJT et FET Modèles et paramètres BJT et FET Mise en cascade des étages Notion de décibel (dB)

3 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 3 BLOC AMPLIFICATEUR

4 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 4 BLOC AMPLIFICATEUR

5 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 5 BLOC AMPLIFICATEUR

6 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 6 RÉSISTANCE DE CHARGE R L

7 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 7 RÉSISTANCE DE CHARGE R L

8 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 8 RÉSISTANCE DE SOURCE R S

9 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 9 RÉSISTANCE DE SOURCE R S

10 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 10 EFFET COMBINÉ DE R S et R L

11 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 11 EFFET COMBINÉ DE R S et R L

12 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 12 TOPOLOGIES Les paramètres A V, Z i et Z o pour les différentes topologies à BJT et FET sont disponibles au Tableau 5.1 du chapitre 5, Two-Port System Approach (« Electronic Devices and Circuit Theory », Boylestad e& Nashelski, édition 12) Nous ferons simplementun rappel des paramètres qui figurent dans ce tableau et qui ont été vu au cours GPA325

13 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 13 MODÈLE TRANSISTOR BJT Emetteur Commun h ie βr e

14 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 14 MODÈLE TRANSISTOR BJT Emetteur Commun ca = h fe cc ca = h fe cc

15 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 15 MODÈLE TRANSISTOR BJT Emetteur Commun On peut négliger r o si r o > 10 R C où R C est la résistance dans le collecteur

16 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 16 Amplificateur BJT émetteur commun, pol. base

17 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 17 Amplificateur BJT collecteur commun, pol. diviseur

18 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 18 Amplificateur BJT émetteur commun, pol. div., avec contre réaction émetteur

19 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 19 Amplificateur BJT émetteur commun, pol. diviseur, avec découplage

20 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 20 Amplificateur BJT émetteur commun, pol. diviseur, avec découplage et contre réaction émetteur

21 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 21 Exemple (Boylestad & Nashelski) Calculer le gain A Vs de lamplificateur à transistor suivant

22 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 22 Exemple (Boylestad & Nashelski) Z i = R B // βr e I B = (12-0.7)/470K I B = 24 uA I E = 100 x I B = 2.4 mA βr e = 26 mV/I B = 1.08K Z i = 470K // 1.08K = 1.07K Z o = 3 K A V = V 0 /V i = -(R L //R C )/r e A V = -170 A VS = 1.07K/(0.3K K)*A V A VS = -133

23 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 23 TRANSISTORS JFET ÉQUATION DU JFET ou ÉQUATION DE SHOCKLEY

24 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 24 COUBE DE TRANSFERT JFET ÉQUATION DE LA COURBE DE TRANSFERT I DS vs V GS

25 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 25 COURBE DE TRANSFERT JFET POINTS PARTICULIERS

26 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 26 COURBES DE TRANSFERT ET DE SORTIE, JFET N TRANSFERTSORTIE

27 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 27 MODÈLE DE JFET

28 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 28 RELATIONS IMPORTANTES

29 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 29 MODÈLE FET

30 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 30 MODÈLE JFET g m

31 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 31 MODÈLE JFET g m

32 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 32 MODÈLE JFET r d

33 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 33 Amplificateur FET source commune, pol. auto, avec découplage

34 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 34 Amplificateur FET source commune, pol. auto, avec contre réaction

35 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 35 Amplificateur FET drain commun, pol. auto (R D = 0)

36 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 36 MISE EN CASCADE AMPLIFICATEUR MULTIÉTAGES

37 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 37 Exemple 5.14 (Boylestad & Nashelski) Figure 5.68 Exemple 5.14

38 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 38 Exemple 5.14 (Boylestad & Nashelski) Le gain en charge du premier étage émetteur commun est :

39 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 39 Exemple 5.14 (Boylestad & Nashelski) Le gain en charge du deuxième étage base commune est :

40 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 40 Exemple 5.14 (Boylestad & Nashelski) Le gain total A VT des deux étages en cascade est : Le gain total des deux étages en cascade incluant la résistance de source R s est :

41 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 41 GAIN DE TENSION : SOMME DES GAINS EN dB

42 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 42 RAPPORT DE PUISSANCE : BEL

43 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 43 DÉCIBEL

44 17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 44 RAPPORT DE TENSION : DÉCIBEL


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