CONCEPTION ET SIMULATION DE CIRCUITS ÉLECTRONIQUES

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1 CONCEPTION ET SIMULATION DE CIRCUITS ÉLECTRONIQUES
GPA667 CONCEPTION ET SIMULATION DE CIRCUITS ÉLECTRONIQUES AMPLIFICATEURS EN CASCADE OU MULTIÉTAGES AMPLIFICATEURS ÉTAGES 17 novembre 2013

2 AMPLIFICATEURS EN CASCADE OU MULTIÉTAGES
Bloc amplificateur Effet de RS (source) et RL (charge) Topologies d’amplificateurs BJT et FET Modèles et paramètres BJT et FET Mise en cascade des étages Notion de décibel (dB) AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 17 novembre 2013

3 BLOC AMPLIFICATEUR AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
17 novembre 2013

4 BLOC AMPLIFICATEUR AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
17 novembre 2013

5 BLOC AMPLIFICATEUR AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
17 novembre 2013

6 RÉSISTANCE DE CHARGE RL
AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 17 novembre 2013

7 RÉSISTANCE DE CHARGE RL
AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 17 novembre 2013

8 RÉSISTANCE DE SOURCE RS
AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 17 novembre 2013

9 RÉSISTANCE DE SOURCE RS
AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 17 novembre 2013

10 EFFET COMBINÉ DE RS et RL
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11 EFFET COMBINÉ DE RS et RL
AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 17 novembre 2013

12 TOPOLOGIES Les paramètres AV, Zi et Zo pour les différentes topologies à BJT et FET sont disponibles au Tableau 5.1 du chapitre 5, Two-Port System Approach (« Electronic Devices and Circuit Theory », Boylestad e& Nashelski, édition 12) Nous ferons simplementun rappel des paramètres qui figurent dans ce tableau et qui ont été vu au cours GPA325 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 17 novembre 2013

13 MODÈLE TRANSISTOR BJT Emetteur Commun
hie ≈ βre AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 17 novembre 2013

14 MODÈLE TRANSISTOR BJT Emetteur Commun
ca = hfe ≈ cc AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 17 novembre 2013

15 MODÈLE TRANSISTOR BJT Emetteur Commun
On peut négliger ro si ro > 10 RC où RC est la résistance dans le collecteur AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 17 novembre 2013

16 Amplificateur BJT émetteur commun, pol. base
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17 Amplificateur BJT collecteur commun, pol. diviseur
AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 17 novembre 2013

18 Amplificateur BJT émetteur commun, pol. div
Amplificateur BJT émetteur commun, pol. div., avec contre réaction émetteur AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 17 novembre 2013

19 Amplificateur BJT émetteur commun, pol. diviseur, avec découplage
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20 Amplificateur BJT émetteur commun, pol
Amplificateur BJT émetteur commun, pol. diviseur, avec découplage et contre réaction émetteur AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 17 novembre 2013

21 Exemple (Boylestad & Nashelski)
Calculer le gain AVs de l’amplificateur à transistor suivant AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 17 novembre 2013

22 Exemple (Boylestad & Nashelski)
Zi = RB // βre IB = (12-0.7)/470K IB = 24 uA IE = 100 x IB = 2.4 mA βre = 26 mV/IB = 1.08K Zi = 470K // 1.08K = 1.07K Zo = 3 K AV = V0/Vi = -(RL//RC)/re AV = -170 AVS = 1.07K/(0.3K K)*AV AVS = -133 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 17 novembre 2013

23 TRANSISTORS JFET ÉQUATION DU JFET ou ÉQUATION DE SHOCKLEY
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24 COUBE DE TRANSFERT JFET
ÉQUATION DE LA COURBE DE TRANSFERT IDS vs VGS AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 17 novembre 2013

25 COURBE DE TRANSFERT JFET POINTS PARTICULIERS
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26 COURBES DE TRANSFERT ET DE SORTIE, JFET N
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27 MODÈLE DE JFET AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
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28 RELATIONS IMPORTANTES
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29 MODÈLE FET AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 17 novembre 2013

30 MODÈLE JFET gm AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
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31 MODÈLE JFET gm AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
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32 MODÈLE JFET rd AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
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33 Amplificateur FET source commune, pol. auto, avec découplage
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34 Amplificateur FET source commune, pol. auto, avec contre réaction
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35 Amplificateur FET drain commun, pol. auto (RD = 0)
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36 MISE EN CASCADE AMPLIFICATEUR MULTIÉTAGES
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37 Exemple 5.14 (Boylestad & Nashelski)
Figure 5.68 Exemple 5.14 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 17 novembre 2013

38 Exemple 5.14 (Boylestad & Nashelski)
Le gain en charge du premier étage émetteur commun est : AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 17 novembre 2013

39 Exemple 5.14 (Boylestad & Nashelski)
Le gain en charge du deuxième étage base commune est : AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 17 novembre 2013

40 Exemple 5.14 (Boylestad & Nashelski)
Le gain total AVT des deux étages en cascade est : Le gain total des deux étages en cascade incluant la résistance de source Rs est : AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 17 novembre 2013

41 GAIN DE TENSION : SOMME DES GAINS EN dB
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42 RAPPORT DE PUISSANCE : BEL
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43 DÉCIBEL AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE 17 novembre 2013

44 RAPPORT DE TENSION : DÉCIBEL
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