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1 Mesures détalement Mesures détalement par SiProt avec TimePix CEA Saclay Réunion RESIST 3 novembre 2008 David ATTIÉ

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1 1 Mesures détalement Mesures détalement par SiProt avec TimePix CEA Saclay Réunion RESIST 3 novembre 2008 David ATTIÉ

2 RESIST, Saclay – 3 novembre Introduction Puce + Siprot + Micromegas/Ingrid Puce TimePix SiProt Pilier aSi:H, Si 3 N 4

3 RESIST, Saclay – 3 novembre TimePix + InGrid 55 m Pixel μ m μ m 20 μm de a-Si:H

4 RESIST, Saclay – 3 novembre Micro TPC à base de puce TimePix Cage de champ Capot Micromegas puce de lecture Medipix2/TimePix Fenêtre pour sources X Fenêtre pour source Schéma :

5 RESIST, Saclay – 3 novembre Micro-TPC TimePix/Micromegas + 20 μm Puce TimePix + 20 μm SiProt + Micromegas 90 Sr source Ar He Mode Temps z ~ 40 mm V mesh = -340 V t shutter = 180 μs

6 RESIST, Saclay – 3 novembre TimePix + 20 μm SiProt + Micromegas Ar/Iso (95:5)

7 RESIST, Saclay – 3 novembre TimePix + 20 μm SiProt + Micromegas Ar/Iso (95:5) 1

8 RESIST, Saclay – 3 novembre TimePix + 20 μm SiProt + Micromegas ns

9 RESIST, Saclay – 3 novembre TimePix + 20 μm SiProt + Micromegas 1

10 RESIST, Saclay – 3 novembre TimePix + SiProt 15 μm + InGrid Ar/Iso (95:5) ns

11 RESIST, Saclay – 3 novembre TimePix + SiProt 15 μm + InGrid Ar/Iso (95:5) 2

12 RESIST, Saclay – 3 novembre TimePix + 20 μm SiProt + Micromegas 2 50 ns

13 RESIST, Saclay – 3 novembre Silicon Nitride Si 3 N 4 Utilisé habituellement comme couche ahti-scratch sur les CMOS Si-RichN, lexcès de Si donne une couche résistive Déposé PECVD à T < 300 °C 7 μm Si 3 N 4

14 RESIST, Saclay – 3 novembre TimePix + 7 μm Si 3 N 4 + InGrid

15 RESIST, Saclay – 3 novembre TimePix + 7 μm Si 3 N 4 + InGrid


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