Capacité MOS - Vg Vox S 0 VS = 0 SUBSTRAT GRILLE ISOLANT VS Vox Vg S 0 = 0 image TEM du structure MOS en coupe (d’après Buchanan, IBM J Res Vol 43 n°3 May 1999) - = 0 EQUILIBRIUM (F=0) DEPLETION WEAK INVERSION STRONG INVERSION ACCUMULATION
Densité de charge Qsc en fonction du potentiel de surface 0.1 0.5 1 1.5 - 0.1 CHARGE (C/m-2) POTENTIEL DE SURFACE VS (V) 0.5 1 1.5 10 5 4 3 0.01 0.1 CHARGE (C/m-2) POTENTIEL DE SURFACE VS (V)
Tension de seuil, courbes Vs(Vg) 0.2 2 1 -1 1019 1018 1017 1016 1015 TESNION DE SEUIL (V) DOPAGE (cm-3) tox = 2 nm tox = 10 nm tox = 50 nm tox = 3 nm Na = 51017 cm-3 Vfb = 1 V -3 -2 -1 1 2 3 -0.5 0.5 1.5 TENSION DE GRILLE (V) POTENTIEL DE SURFACE (V) Bande Plate Seuil
En négligeant le temps de réponse Caractéristiques C-V théoriques En négligeant le temps de réponse des minoritaires : -6 -4 -2 2 4 6 Cox Vfb Vt Na = 1017 m-3 tox=500 Å CAPACITE (10-8 F/cm2) 3 5 7 8 TENSION DE GRILLE (V) a b c -6 -4 -2 2 4 6 Na = 5 1016 m-3 tox=500 Å CAPACITE (10-8 F/cm2) 3 5 7 8 TENSION DE GRILLE (V) Na = 1017 m-3 Na = 5 1017 m-3